[2024/A+]서울시립대_전전설3_실험11_예비

목차

Ⅰ. 서론
1. 실험 목적
2. 배경 이론

Ⅱ. 실험 장비 및 실험 방법
1. 실험 순서
2. 실험 장비

Ⅲ. 예비보고서
1. 예비보고서1
2. 예비보고서2
3. 예비보고서3

Ⅳ. 참고문헌

본문내용

1. 실험 목적
가) BJT 트랜지스터를 사용하여 Common-Emitter 증폭기 회로설계
나) 동작 검증

2. 배경이론
가) 실험 이론
１) BJT

BJT는 Bipolar Junction Transistor의 약자로, 전자(electron)와 정공(hole)이라는 두 가지 타입의 캐리어를 사용하는 트랜지스터이다. 이 트랜지스터는 N형과 P형 반도체 재료로 구성되며, 주로 전류 증폭과 스위칭 응용에 사용된다. BJT에는 NPN형과 PNP형 두 가지가 있으며, 각각의 캐리어 이동에 따라 동작 방식이 다르다.

- NPN형 BJT: N형 반도체 - P형 반도체 - N형 반도체로 구성된다. 전자는 에미터(Emitter)에서 베이스(Base)로, 그리고 컬렉터(Collector)로 이동하며, 이 과정에서 정공도 중요한 역할을 한다.
- PNP형 BJT: P형 반도체 - N형 반도체 - P형 반도체로 구성된다. 정공은 에미터에서 베이스로, 그리고 컬렉터로 이동하며, 이 과정에서 전자도 중요한 역할을 한다.

BJT의 작동 원리는 베이스 전류의 작은 변화가 에미터와 컬렉터 사이의 큰 전류를 제어할 수 있게 한다는 점이다. 이는 작은 신호를 크게 증폭할 수 있음을 의미하며, 이 특성 덕분에 BJT는 다양한 전자 회로에서 증폭기와 스위치로 널리 사용된다.

참고자료

· Raymond A. Serway, John W. Jewett, 『대학물리학Ⅱ』, 북스힐(2019)
· Irwin, 『Engineering Circuit Analysis』, WILEY(2015)
· Sedra, 『Microelectronic Circuit 7th』, OXFORD(2016)