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핵심이 보이는 전자회로실험 BJT의 전류-전압 특성2025.05.161. NPN형 BJT의 I_C-V_CE 특성 NPN형 BJT의 I_C-V_CE 출력 특성 곡선을 그래프로 그리고, 시뮬레이션 결과와 비교하였다. NPN형 BJT의 공통이미터 DC 전류이득 beta_DC,sim과 공통베이스 DC 전류이득 alpha_DC,sim을 시뮬레이션 결과에서 구하고, 측정 결과에서 구한 beta_DC,meas와 alpha_DC,meas와 비교하였다. 2. PNP형 BJT의 I_C-V_CE 특성 PNP형 BJT의 I_C-V_CE 출력 특성 곡선을 그래프로 그리고, 시뮬레이션 결과와 비교하였다. PNP형 BJT의 ...2025.05.16
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BJT 3-BJT Amplifier_예비레포트2025.01.121. BJT 증폭기 이 보고서는 BJT(Bipolar Junction Transistor) 증폭기의 작동 원리와 특성을 다룹니다. Common Emitter 회로에서 BJT의 전압 및 전류 관계를 설명하고, 이를 바탕으로 Small Signal Parameters와 Gain을 계산하는 방법을 제시합니다. 또한 실험을 통해 이론적 예측과 실제 측정 결과를 비교하여 BJT 증폭기의 동작을 확인합니다. 1. BJT 증폭기 BJT(Bipolar Junction Transistor) 증폭기는 전자 회로에서 널리 사용되는 중요한 회로 구성 요...2025.01.12
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BJT IV 특성 실험 레포트2025.05.081. BJT(Bipolar Junction Transistor) BJT(Bipolar Junction Transistor)는 2개의 PN 접합 구조로 되어있으며, n-p-n형, 혹은 p-n-p형이 있다. 총 3개의 전극으로 이루어져 있으며, 각각 Emitter, Base, Collector이다. Emitter는 전류가 흐르게 하도록 전자를 주입하게 되고, Base는 전류의 흐름을 제어하며, Collector는 Transistor에서 증폭된 전류를 받게 된다. 2. BJT의 동작 모드 BJT는 Emitter-Base와 Base-Col...2025.05.08
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BJT 1-Large Signal Analysis 1_결과레포트2025.01.121. BJT의 DC 특성 실험 실험을 통해 NPN BJT와 PNP BJT의 DC 특성을 확인하였다. 실험 결과, BJT의 Ic-Vce 특성이 지수함수 형태로 나타났으며, 시뮬레이션 결과와 잘 일치하는 것을 확인하였다. 또한 BJT의 베타 값을 측정한 결과, 저항 값에 따라 베타 값이 달라지는 것을 관찰하였다. 2. NPN BJT의 DC 특성 NPN BJT의 Ic-Vce 특성 실험 결과, 시뮬레이션 결과와 잘 일치하는 지수함수 형태의 특성 곡선을 얻을 수 있었다. 또한 베타 값 측정 실험에서는 저항 값에 따라 베타 값이 100에서 2...2025.01.12
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microelectronic circuits - BJT / MOSFET 정리본2025.01.281. BJT (Bipolar Junction Transistor) BJT는 pnpn 구조로 이루어져 있으며, 베이스-이미터 접합에서 전자와 정공이 주입되어 증폭 작용을 할 수 있습니다. 정방향 바이어스에서는 콜렉터 전류가 잘 흐르고, 역방향 바이어스에서는 콜렉터 전압이 높아집니다. BJT의 주요 특성으로는 베이스 전류, 콜렉터 전류, 이미터 전류의 관계, 증폭률 β, 역증폭률 α 등이 있습니다. BJT는 스위칭 회로와 증폭기 회로에 사용됩니다. 2. MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect...2025.01.28
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BJT와 MOSFET을 사용한 구동(switch) 회로2025.05.011. BJT 구동 회로 설계 BJT 2N3904를 사용하여 BL-B4531 (VF =2 V, IF =20 mA) LED를 구동하는 회로를 설계하였습니다. 구동신호(VIN)는 1 Hz, 5 Vdc의 square pulse (duty=50%)입니다. BJT가 saturation 영역에서 동작하도록 회로를 설계하였으며, 이때 beta_force=10, VCE(sat)=0.2[mV], VBE(sat)=0.8[mV]로 설정하였습니다. LED에 흐르는 전류 IF=20[mA]=IE이며, IB=1.818[mA], IC=18.18[mA]로 계산되었...2025.05.01
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반도체소자공학 이론(BJT, FET)2025.05.111. 반도체 소자 반도체 소자의 기본 원리와 구조에 대해 설명합니다. 주요 내용으로는 pn 접합, 전하 캐리어, 전계 효과 트랜지스터(FET) 등이 포함됩니다. 2. 바이폴라 접합 트랜지스터(BJT) 바이폴라 접합 트랜지스터(BJT)의 동작 원리와 특성에 대해 설명합니다. 주요 내용으로는 에미터-베이스 접합, 베이스-콜렉터 접합, 전하 캐리어 흐름 등이 포함됩니다. 3. 전계 효과 트랜지스터(FET) 전계 효과 트랜지스터(FET)의 동작 원리와 특성에 대해 설명합니다. 주요 내용으로는 채널, 게이트, 소스, 드레인 등의 구조와 전하...2025.05.11
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BJT 1-Large Signal Analysis 1_예비레포트2025.01.121. BJT 소자의 구조 및 동작 원리 BJT 소자는 3개의 불순물 영역으로 구성되어 있으며, Emitter, Base, Collector로 명명된다. NPN 트랜지스터와 PNP 트랜지스터로 구분된다. Emitter-Base 접합은 순방향으로, Base-Collector 접합은 역방향으로 바이어스된다. BJT의 동작 영역은 Cut-Off, Active, Saturation 영역으로 나뉘며, 이에 따라 다른 특성을 보인다. 2. BJT의 특성 실험 실험을 통해 BJT의 IC-VCE 특성과 Beta 특성을 확인하였다. 실험 회로 1-a...2025.01.12
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실험 04_BJT 기본 특성 예비 보고서2025.04.271. BJT의 기본 동작 원리 BJT는 N형과 P형 반도체를 샌드위치 모양으로 접합한 구조로, 이미터, 베이스, 컬렉터라는 3개의 단자로 구성된다. 베이스 단자의 전류가 컬렉터 단자의 전류나 이미터 단자의 전류에서 증폭되는 특성을 가지므로, 증폭기로 사용될 수 있다. 이 실험에서는 BJT의 기본적인 동작 원리를 살펴보고, 전류-전압 특성 및 동작 영역을 실험을 통하여 확인한다. 2. BJT의 동작 영역 BJT는 모형과 n형 반도체 3개를 결합하여 만든 소자로서, 그 구성에 따라서 npn형과 pnp형으로 나뉜다. npn형 BJT의 동...2025.04.27
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BJT 기본 특성 결과보고서2025.04.281. BJT 동작점 및 바이어스 회로 BJT를 증폭기로 동작시키기 위해서는 적절한 DC 바이어스가 인가되어야 하며 이때의 DC 바이어스를 동작점 또는 Q점이라고 부른다. DC 바이어스는 증폭기의 전압 이득과 스윙을 결정하는 중요한 역할을 한다. 이 실험에서는 BJT를 이용한 증폭기의 DC 동작점을 잡아주기 위한 바이어스 회로에 대해 알아보고, 실험을 통하여 동작을 확인하고자 한다. 2. BJT 전류-전압 특성 이 실험에서는 BJT의 기본 동작 원리를 파악하고, 전류-전압 특성을 실험을 통하여 파악하였다. BJT의 네 가지 동작 영역...2025.04.28
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