BJT Charactersitics & Common-emitter amplifier 14주차 결과보고서(점수 10/10)

목차

I. 서론
1. 실험 목적
2. 실험 이론

II. 실험 결과 및 분석
1. Input characteristics of common-emitter configuration
2. Output characteristics of common-emitter configuration
3. Biasing circuit of a common-emitter amplifiers

III. 결론

본문내용

I. 서론
A. 실험 목적
BJT의 I-V특성과 Common-emitter configuration의 특성에 대해 알아본다.
B. 실험 이론
BJT는 3-terminal device로 base 터미널에 얇은 n-또는 p-type 반도체를 형성하고 양 터미널에는 반대 극성의 반도체를 형성하여 만든 transistor이다. 3개의 반도체의 특성에 의해 전류가 흐르게 된다.
II. 실험 결과 및 분석
3.3.1 Input characteristics of common-emitter configuration

Figure 1
BJT를 이용한 첫 번째 실험은 Figure 1의 회로를 설계하여 진행한다. 우선 VCC=1V를 인가하여 BJT의 Base에 전류가 흐르도록 한다. Gate에는 Insulator가 있기 때문에 전류가 흐르지 않았던 MOSFET과는 달리, BJT는 Base에 전류가 흐른다. 또한 이 전류는 Common-emitter에서 출력 전류 IC를 조절하게 된다. MOSFET은 전압을 기준으로 보았던 Voltage Controlled Current Source(VCCS)였다면, BJT는 Current Controlled Current Source(CCCS)라고 할 수 있다.
Common- emitter 역시 전류를 증폭시키는 Amplifier이기 때문에 Input resistance가 존재한다. 이는 VCC를 1,3,4.5,5.5V로 인가하고 각각의 경우에 VBB변화 시키면서 IB, VBE를 구하는 것으로 측정할 수 있다. 실험의 결과를 보면 다음과 같다.

Figure 2
각각의 VCC의 경우에 IB vs VBE를 한 그래프에 Figure 2와 같이 나타내었다. 이론적으로 IB의 값은 VCC와 관계 없이 같은 값을 가져야 한다. 하지만 Figure 2를 보면 약간씩의 차이가 발생한 것을 확인할 수 있다. 하지만, 이를 수치적으로 보면 그렇지 않다는 것을 알 수 있다. 실험 값을 수치적으로 볼 때 VCC의 값에 상관없이 IB는 오직 VBB에 의해서만 정해진다는 것을 알 수 있다.

참고 자료

없음