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Common-Gate & Common-Drain Amplifiers 12주차 예비보고서

*재*
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최초 등록일
2020.04.04
최종 저작일
2018.06
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목차

I. 서론
A. 실험 목적
B. 실험 이론
C. 예상 실험 순서

II. 예비 보고서

본문내용

I. 서론
A. 실험 목적
MOSFET을 이용한 Common-gate 및 Common-drain amplifier에 대한 이해
B. 실험 이론
Common-gate amplifier란 MOSFET의 gate terminal을 ground와 연결하고, 이를 input voltage와 output terminal과 common시킨 amplifier이다. 이와 달리Common-drain amplifier는 Drain terminal을 common 시킨 amplifier 이다.

C. 예상 실험 순서
3.3.1 Common-gate amplifiers

1) 위의 회로를 구성하고 Vdd=0V로 한다.
2) Vsig=1Vp-p인 5kHz, sine 파형의 신호를 인가한다.
3) Vin과Vout의 파형을 측정한다..
4) Voltage gain을 측정한다.
5)Rsig에 흐르는 전류를 측정하고 이를 통해 Rin을 측정한다.
6) Vout의 peak값을 기록한다.

참고 자료

없음
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