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2019.10.30
최종 저작일
2017.05
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목차

1. Experimental details
2. Result and discussion
3. Conclusion
4. Process problem
5. Reference

본문내용

[사용된 재료] etching gas(Ar, C2F6, O2), silicon wafer, patterned SiO2 thin film
- Ar : Ar+ + e-로 분리되어 플라즈마화 된다. Ar+가 표면에 물리적인 힘을 가하는데, 이는 건식식각 과정 중 물리적인 식각 과정에 해당한다.
- C2F6 : 플루오린 라디칼을 생성해서 떨어져 나온 SiO2 잔해물을 치우는 역할과, wafer표면에 polymer layer(buffer layer, inhibition layer라고도 한다.)를 형성하여 벽면의 데미지를 감소시키는 역할을 수행한다.
- O2 : 플라즈마화 되어 PR 층을 제거하는 Ashing 과정을 수행한다.

참고 자료

C2F6/O2유도결합플라즈마(ICP)을 이용한 SiC 건식식각 관한 연구/2001.2/전남대학교 대학원 금속공학과 석사 학위논문/공성민
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