패터닝 실험 결과보고서

목차

1. Experimental details
1) 실험에 사용된 모든 재료와 왜 이 재료를 사용하는지에 대한 설명을 하세요. (예를들어, 실험 재료 중 한 가지는 pattern이 완료된 SiO2 wafer가 있어요)
2) 사용한 실험장비 3개의 이름과 무었을 위해 사용하였는지 간단하게 서술하세요 (식각장비의 경우엔, 모식도를 power point로 이용하여 그려주세요. 사진 필요없습니다)
3) 실험을 실행할 때 공정변수(변화를 주는 parameter)에 따른 식각 결과 이론을 설명하세요. (실험시간에 공정변수들에 대해서 설명을 합니다. 공정변수들의 변화가 미치는 식각속도, Profile 결과 등을 이론적으로 서술하면 됩니다)
4) 실제 실험한 내용을 순서대로 메모하여, 실험 방법에 작성하세요.

2. Result and discussion
1) 실험을 통하여 얻은 data 값을 그래프, 도표로 만듭니다(실험 data가 잘못얻은 결과라고 생각 되어도 모두 기입합니다)
2) 그래프와 도표에 대해서 결과분석을 합니다. (우선, 계산과정 및 계산결과의 타당성 검토가 들어가야 합니다. 그 다음으로 표준조건으 로 식각을 진행하였을 때와 공정변수들에 변화를 주었을 때의 결과를 비교하며 Experimental details-3번에 서술한 이론과 일치하는지 여부를 논리적으로 서술하면 됩니다)
3) 이번 실험을 통하여 본인이 반도체에 대하여 새롭게 알게 된 사실을 알려주세요.

3. Conclusion

4. Process problem

본문내용

1. Experimental details
1. 실험에 사용된 모든 재료와 왜 이 재료를 사용하는지에 대한 설명을 하세요.
(예를들어, 실험 재료 중 한 가지는 pattern이 완료된 SiO2 wafer가 있어요)

① 패턴이 완료된 SiO_〖 2〗 wafer : SiO_〖 2〗 wafer를 사용하는 이유는 패턴이 완료된 SiO_〖 2〗 wafer에 공정을 진행함으로써 패턴에 따라서 식각이 진행되기 때문에 우리가 원하는 모양을 얻을 수 있다. 이 실험에서 패턴이 완료된 SiO_〖 2〗 wafer를 사용해야 후에 SiO_〖 2〗 가 얼마나 식각이 진행되어 깎여져 나갔는지를 알 수 있고 눈으로 직접 식각이 진행된 부분을 찾음에 있어서 손쉽게 찾을 수 있다.

② Ar : Ar은 Ar^〖 +〗 + e^〖 − 〗 형태가 되어 타격하면서 식각을 진행하고 또한 Ar^〖 ∗ 〗로 들뜬 상태가 되어 플라즈마에 빛을 발산한다. 이때 Ar^〖 ∗ 〗 만 있게 되면 보라색을 띠는 빛을 발산한다.

③ C2F6 : C_〖 2〗 F_〖 6〗 또한 C_〖 2〗 F_〖 6〗 ^〖 ∗ 〗 의 형태가 되어 들뜬 상태로 빛을 발산한다. Ar^〖 ∗ 〗 과 C_〖 2〗 F_〖 6〗 ^〖 ∗ 〗 가 함께 빛을 발산하여 빛은 밝은 흰색을 띤다. Ar 이 Ar^〖 +〗 + e^〖 − 〗 가 되어 타격할 때, 수직으로 깎는 것이 목표이지만 사선으로 내려와서 옆을 깎는 경우가 발생하게 된다. 이것을 막기 위해 C_〖 2〗 F_〖 6〗 를 넣는 것인데 C_〖 2〗 F_〖 6〗 는 시료표면에 얇은 폴리머 막을 형성하여 사선으로 식각이 되는 것을 방지한다. 또한 식각이 진행되면서 SiO_〖 2〗 가 떨어져나가서 옆 표면에 달라붙기도 하는데 이것을 재증착이라 하는데 이것은 막는 역할을 한다.

④ O2 : 애싱공정에 있어서 PR을 제거하기 위한 용도로 사용한다. PR은 산소와 결합하기 때문에 PR을 산화시키는 역할을 한다.

2. 사용한 실험장비 3개의 이름과 무었을 위해 사용하였는지 간단하게 서술하세요

참고 자료

없음