[인하대 A+ 실험보고서] 공업화학실험 패터닝 결과보고서

최초 등록일
2019.03.05
최종 저작일
2018.03
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인하대 화학공학과 공업화학실험 보고서입니다.

공업화학실험 학점은 A+를 받았습니다.

결과보고서의 경우는 스스로 생각한 내용을 바탕으로 작성하였으므로 실험결과를 분석하고 고찰하는 부분에서는 다소 틀린 내용이 있을 수 있습니다. 내용 자체를 그대로 받아들이기 보다는 이러한 방향으로 분석 및 고찰을 하였음을 참고하시면 좋을 것 같습니다.

목차

1.서론
2.실험방법
3.실험결과분석 및 고찰
4.결론
5.Process Problem

본문내용

1.서론(실험개요, 목적, 필요성 등을 서술)
본 실험은 산화막(Si02) 위에 패터닝을 한 뒤에 식각공정에서 공정변수에 변화를 주어 변수가 식각공정에 미치는 결과를 비교하고 공정변수 변화에 따른 차이에 대해 고찰하는 실험이다. 또한 실험을 통해서 반도체 제조공정의 핵심 중 하나인 패터닝과 식각공정의 원리와 방법을 이해한다. 반도체는 IT산업을 기반으로 하여 현재에도 진행 중인 4차산업혁명의 주춧돌이 되는 장치이다. 때문에 반도체와 그 제조공정에 대한 기본적인 지식을 갖추는 것은 반도체 산업에 종사하는 사람뿐만 아니라 격변하는 사회 속에서 공학자(Engineer)가 지녀야 할 필수적인 소양임을 깨닫고 이를 배양하도록 한다.

2.실험방법
1) 산화막(SiO2) 위에 Lithgraphy에 의한 패터닝 공정을 통해 PR 패턴을 형성한다.
2) 패턴이 새겨진 산화막과 새겨지지 않은 산화막을 육안으로 확인한다.
3) 본 실험에서는 패턴이 새겨진 산화막을 유도결합 플라즈마 반응성 이온 식각(Inductive coupled plasma Reactive Ion Etching, ICP-RIE)을 이용하여 Etching 및 Ashing process를 실시한다.

< 중 략 >

마지막 공정변수는 공정압력(Pressure)이다. 공정압력은 앞선 두 변수에 비해 보다 복잡한 양상을 보인다. 압력이 낮아질수록 평균자유행로(MFP, Mean free path)는 증가하고 입자와 입자간의 충돌횟수는 감소한다. 따라서 입자의 산란이 줄어들고 입자가 갖는 에너지 또한 손실되지 않으므로 산화막에 충돌하는 입자의 에너지와 밀도가 커지고 반응기체에 의한 식각속도가 증가한다고 볼수 있다. 그러나 다른 면에서는 압력이 낮아질수록 반응기 내의 분자의 양이 줄어들고 플라즈마의 밀도 또한 감소하므로 결과적으로 식각속도가 감소한다고 볼 수 있다 따라서 이러한 공정압력에 따른 2가지 측면이 복합적으로 작용하므로 이에 따른 양상을 실험적으로 확인하는 것이 정확하다고 볼 수 있다. 다음 그래프는 공정압력에 따른 식각속도를 나타낸다.

참고 자료

없음

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