[화학공학실험] 패터닝 결과보고서

항긔
최초 등록일
2018.11.29
최종 저작일
2017.03
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목차

1. Experimental details
1) 실험사용재료와 쓰임
2) 사용한 실험장비
3) 공정변수에 따른 식각 결과 이론
4) 실험 방법

2. Result and discussion

본문내용

① patterning이 완료된 SiO2 wafer
먼저 이 실험은 식각과 애싱 공정을 다룬다고 볼수 있다. 따라서 그 이전의 과정이 진행된 상태로 시작된다. 반도체 제작 과정순서에서 식각(etching)전의 lithography 과정이 완료된 SiO2웨이퍼가 필요하다.
② Ar+C2F6 가스
아르곤 C2F6 혼합가스는 식각을 위해 사용된다. 이 가스 혼합물은 플라즈마 상태가 되어 식각에 이용된다. 플라즈마 상태가 되었을때 ar가스는 Ar+ e- 이온과 전자 분리상태/ Ar들뜬 상태/ radical 세가지의 상태로 분리되는데 먼저 SiO2 표면을 깎아내는 것은 아르곤 양이온이다. 그런데 이온에 의해서 떨어져 나간 SiO2가 그림 처럼 옆면에 다시 붙어 원하는 대로 식각이 이루어지지 않을 수도 있다. SiO2가 온전히 떨어져 나가지 않고 붙는 이 현상을 재증착이라고 한다. 그런데 이 현상을 막기 위하여 첨가하는 가스가 바로 C2F6가스이다. 이 가스의 역할은 재증착 현상을 막는 것 이라고 할수 있다.

참고 자료

없음
항긔
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