CVD

소개글

CVD 전반에 관한 자료입니다.

목차

없음

본문내용

MOCVD(Metal Organic CVD)
기본적으로 CVD공정으로써 CVD에 의한 박막 성장 시 전구체로써 MO-source를 중심으로 Hydride나 반응물들을 사용하여 박막을 성장 하는 것.
※ 왜 MOCVD를 사용하는가?
최근 소자의 경우 실리콘 뿐만 아닌 여러가지 막(금속 및 금속의 실리사이드, 산화물, 질화물 막 등)을 요구하고 있기때문에, 이러한 금속을 함유하고 있는 원료가 필요한데, 이런 금속의 무기화합물은 결합력이 강해서 분해온도가 매우 높다. 반면 합성과정을 통해 만들어진 유기금속 화합물은 비교적 분해 온도가 낮고, 유기물의 탈착이 용이하기 때문에 원하는 재료의 박막 생성이 비교적 수월하다.

<중 략>

PECVD란?
플라즈마 보강 기상 증착으로 Source Gas의 분해를 플라즈마를 이용함으로써 비교적 낮은 온도인 300℃에서 Gas를 분해 시킴으로써 박막 형성 및 증착시키는 방법
PECVD 원리
플라즈마되는 열에너지의 도움으로 재결합 하여 박막이 형성, 성장되는 원리이다.
1. 전극에 RF 전원을 인가로 인해 Gas가 플라즈마 상태가 된다.
2. 전자는 증착에 이용되는 Gas와 충돌한다.
3. 충돌에 의해 Gas가 분해되고 이들 분해된 Gas간의 반응이 일어난다.
4. 가열된 기판표면과 화학적 반응을 하여 기판에 증착이 된다.
5. 반응된 반응 부산물과 미반응 Gas는 Pump를 통해 Chamber 밖으로 배출함.
PECVD 공정 변수
기판온도, 가스, 조성비, 압력, 고주파수, 배기능력, 전극간 거리
PECVD 종류
PECVD의 사용 용도
1) 수소화된 비정질 실리콘(a-si:H) 증착
○ 태양전지 , 박막 트랜지스터에 사용된다.
2) 실리콘 질화막 (3Si3N4)
○ 400℃ 이하에서 증착가능
→증착소자가 열에의해 손상되는 것을 억제.

참고 자료

없음