Photolithography

소개

광노광 공정 전반에 관한 자료입니다.

목차

Ⅰ. 프롤로그 (Prologue)
Ⅱ. 두번째 이야기 (Transfer)
Ⅲ. 세번째 이야기 (Tech)
Ⅳ. 에필로그 (Epilogue)

본문내용

Ⅰ. 프롤로그 (Prologue)
Photolithography의 어원..
Photolithography는 뭐니?
Photo(그림)
Litho(바위)
Graphy(그리다)
석판사진인쇄술
포토마스크(photo-mask)기판에
그려진 반도체 회로 패턴을 웨이퍼 상에
전사(projection)하는 공정
반도체에서의 Photolithography 란?
반도체 제조 공정에 있어
회로의 미세화 및 집적도를 결정짓는 핵심 공정
Photolithography가 뭐라구~?
설계된 레이아웃
데이터
전자빔 패턴 형성기
광마스크의 제작과 패턴 전사 과정
포토레지스트 도포공정
전처리
패턴 노광공정
밀착성 향상제 도포처리
포토레지스트 도포
프리베이크(소프트베이크)
노광
Photolithography의 흐름도 >
현 상
포토레지스트 현상공정
포스트베이크(하드베이크)
UV 큐어
패턴 에칭공정

<중 략>

진공 Chuck
웨이퍼
감광막
현상액
세정액
현상은 뭐에 쓰는 것인고..?
분사현상 방식의 장점
1 . 미세한 패턴 현상이 가능.
: 물리적인 힘
2 . 오염이 줄어든다.
: 현상액과 세정액에 노출
3 . 균일한 패턴을 얻을 수 있다.
: 웨이퍼를 고속 회전
4 . 약품 사용량이 적다.
: 침적법에 비해
5 . 자동화가 가능하다.
: 경화 건조오븐과 결합
경화건조의 원리
Hard Baking (경화건조)
120~180℃
(20~30Min)
용제(Solvent)
수분 증발
photoresist
Wafer
1. 감광막의 내약품성 및 내구성 강화
경화건조 과정에 있어서도
굽는온도와 시간 요소가 감광막의 감도에 큰 영향을 미친다.
2. 감광막과 웨이퍼 표면 간 접착력을
증진
온도및 시간에 따른 특성
Hard Baking (경화건조)
구 분
양성 감광막
(Positive Type)
현 상
처음에는 오므라들다가
나중에는 녹게 됨.
퍼들링(puddling)현상
= 경화 건조시 온도는
퍼들링 온도보다
5~10℃ 정도 낮게 유지
음성 감광막
(Negative Type)
비교적 높은 온도에서 굽는 것이 가능하나 식각 후
감광막 제거를 어렵게 함

참고자료

· 없음