MOSFET의 특성 실험

소개

MOSFET의 동작 원리를 이해하고 전압-전류 관계를 실험적으로 측정하여
드레인 특성곡선과 전달 특성곡선을 결정한다.

목차

13.MOSFET의 특성 실험
13.1 실험개요
13.2 실험 원리
13.3 실험기기 및 부품
13.4 웹기반 가상실험 학습실
13.5 실험방법

본문내용

13.1 실험개요
MOSFET의 동작 원리를 이해하고 전압-전류 관계를 실험적으로 측정하여
드레인 특성곡선과 전달 특성곡선을 결정한다.

13.2 실험 원리
13.2.1 실험원리의 이해
금소 산화물 반도체 전계효과 트랜지스터는 게이트가 산화 실리콘층에 의해 채널과
격리된 점이 JFET와 다르며 게이트가 격리되어 있으므로 이들 소자를 종종 IGFET라고 부르며 공피병과 증가형의 두종류가 있다.

(1)공핍형 MOSFET(D-MOSFET)
그림 13-1에서와 같이 드레인과 소스는 기판재료에 확산시켜 만들고 절연 게이트 옆으로 좁은 채널이 물리적으로 구성되어있다.

①공핍모드(Depletion Mode)
음의 게이트-소스전압이 인가되면 공핍형 MOSFET은 공핍모드로 동작된다.
게이트에 음의 전압을 가하면 게이트의 음전하는 채널 밖으로 더 많은 전도전자를 밀어내어 채널의 전도도가 감소하게 된다.

증가모드(Enhancement Mode)
양의 게이트-소스전압이 인가되면 공핍형MOSFET은 증가모드로 동작된다.
게이트에 양의 전압을 가하면 게이트의 양전하는 채널로 더 많은 전도전자를 잡아
당겨 채널의 전도도가 증가하게 된다.

(2)증가형 MOSFET(E-MOSFET)
증가형 MOSFET는 단지 증가 모드로만 동작하고 공핍모드로는 동작하지 않는다.
증가형 MOSFET은 공핍형 MOSFET과는 달리 인위적으로 물리적인 채널을 만들지 않는다는 것이 서로 다르다.

참고자료

· 없음