전자공학응용실험 - MOSFET기본특성 / MOSFET바이어스회로 결과레포트

소개

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목차

1. 실험 제목
2. 실험 결과
3. 고찰
4. 고찰사항

본문내용

4. 고찰사항:
실험 9:
1) NMOS의 문턱 전압이 양수이고, PMOS의 문턱 전압이 음수인 이유를 설명하고, 이를 바탕으로 일반적으로 NMOS를 낮은전압 쪽에, PMOS를 높은 전압 측에 사용하는 이유를 설명하시오.
-> NMOS의 경우 p판에 n과 n이 부분적으로 도핑이 되어 있고 이 두 개를 이어야 전류가 흐른다. 따라서 Gate에 양전압을 줘야 n과 n사이에 n채널이 형성되어서 Drain에서 Source까지 전류가 흐를 수 있다. 반면에 PMOS의 경우 n판에 p와 p가 부분적으로 도핑이 되어 있기 때문에 음전압을 걸어야 p와 p사이에 p채널이 형성되어서 Source에서 Drain까지 전류가 흐를 수 있다.
Source 단자는 Body 단자에 접속된다. 보통 개별의 회로의 경우에 기판은 회로 동작에 어떠한 영향도 하지 않으므로 그 존재는 완전히 무시될 수 있다. 하지만 직접회로에서, 많은 MOS들이 공통이 된다. 모든 기판과 채널 사이의 접합들을 차단 상태로 유지하기 위하여, 기판은 NMOS 회로에서는 전압이 가장 낮은, PMOS에서는 전압이 가장 높은 전원 공급기에 접속이 된다.

참고자료

· 없음