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전자공학응용실험 - MOSFET기본특성 / MOSFET바이어스회로 결과레포트

허어억
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최초 등록일
2021.12.20
최종 저작일
2021.10
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소개글

"전자공학응용실험 - MOSFET기본특성 / MOSFET바이어스회로 결과레포트"에 대한 내용입니다.

목차

1. 실험 제목
2. 실험 결과
3. 고찰
4. 고찰사항

본문내용

4. 고찰사항:
실험 9:
1) NMOS의 문턱 전압이 양수이고, PMOS의 문턱 전압이 음수인 이유를 설명하고, 이를 바탕으로 일반적으로 NMOS를 낮은전압 쪽에, PMOS를 높은 전압 측에 사용하는 이유를 설명하시오.
-> NMOS의 경우 p판에 n과 n이 부분적으로 도핑이 되어 있고 이 두 개를 이어야 전류가 흐른다. 따라서 Gate에 양전압을 줘야 n과 n사이에 n채널이 형성되어서 Drain에서 Source까지 전류가 흐를 수 있다. 반면에 PMOS의 경우 n판에 p와 p가 부분적으로 도핑이 되어 있기 때문에 음전압을 걸어야 p와 p사이에 p채널이 형성되어서 Source에서 Drain까지 전류가 흐를 수 있다.
Source 단자는 Body 단자에 접속된다. 보통 개별의 회로의 경우에 기판은 회로 동작에 어떠한 영향도 하지 않으므로 그 존재는 완전히 무시될 수 있다. 하지만 직접회로에서, 많은 MOS들이 공통이 된다. 모든 기판과 채널 사이의 접합들을 차단 상태로 유지하기 위하여, 기판은 NMOS 회로에서는 전압이 가장 낮은, PMOS에서는 전압이 가장 높은 전원 공급기에 접속이 된다.

참고 자료

없음
허어억
판매자 유형Bronze개인인증

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