(전자회로실험)MOSFET기본특성 결레 레포트

목차

1. 실험목적
2. 실험기자재 및 부품
3. 배경이론
4. 실험절차
5. 실험 결과 및 분석
6. 오차 분석
7. 고찰 사항
8. 결론

본문내용

실험목적
MOSFET의 기본적인 동작 원리를 살펴보고, 전류-전압 특성 및 동작 영역을 실험을 통하여 확인하고자 한다.

실험기자재 및 부품
DC 파워 서플라이, 디지털 멀티미터, 오실로스코프, 함수 발생기, 2n7000(NMOS), 저항, 커패시터, FQP17P10 (PMOS)

배경이론
MOSFET의 개념
금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터 (MOS field-effect transistor)는 디지털 회로와 아날로그 회로에서 가장 일반적인 전계효과 트랜지스터 (FET)이다. 줄여서 MOSFET라고도 한다. 모스펫은 N형 반도체나 P형 반도체 재료 의 채널로 구성되어 있고, 이 재료에 따라서 크게 엔모스펫 (NMOSFET)나 피모스펫 (PMOSFET), 두 가지를 모두 가진 소자를 씨모스펫(cMOSFET, complementary MOSFET)으로 분류한다. (또한 일반적으로 nMOSFET, pMOSFET, NMOS FET, PMOS FET, nMOS FET, pMOS FET. etc..라고도 한다.)

NMOS의 구조
금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터 (MOSFET)는 모스 축전기에 의한 전하농도의 변화에 기초를 두고 있다. 두개의 단자(소스와 드레인)는 각각 분리되어 고농도로 도핑된 영역에 연결되어 있다. 이런 영역은 P형이나 N형이 될 수 있지만 두개는 반드시 동일한 형태이어야 한다. 고농도 도핑 영역은 일반적으로 도핑 형태에 따라서 '+'로 표시된다. 이 두 영역은 이와 반대 형(type)으로 도핑된 바디 영역에 의하여 분리되어있다. 이 영역은 고농도 도핑이 아니며 '+' 기호가 없다. 활성 영역은 모스 축전기를 구성하며 세 번째 전극, 즉 게이트가 되어 몸체 위에 있으며 산화층에 의해 다른 모든영역과 절연되어 있다. 만약 모스펫이 N채널 즉 NMOS이면 소스와 드레인은 'N+' 영역이고 몸체는 'P' 영역이다.

참고 자료

없음