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MOSFET의 특성 실험

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최초 등록일
2021.05.10
최종 저작일
2020.06
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소개글

"MOSFET의 특성 실험"에 대한 내용입니다.

목차

1. 실험 개요(목적)

2. 실험원리 학습실
1) MOSFET이란?
2) MOSFET의 채널 형성과 동작원리
3) 공핍형 MOSFET(D-MOSFET)'
4) 증가형 MOSFET(E-MOSFET)
5) 증가형 MOSFET과 공핍형 MOSFET의 전달특성곡선

3. 시뮬레이션 학습실
1) 증가형 MOSFET 드레인 특성곡선
2) 증가형 MOSFET 전달특성곡선
3) 공핍형 MOSFET 드레인 특성곡선과 전달특성곡선

4. 검토 및 고찰

본문내용

13.1 실험 개요(목적)
MOSFET의 동작 원리를 이해하고 전압-전류 관계를 실험적으로 측정하여 드레인 특성곡선과 전달특성곡선을 결정한다.

13.2 실험원리 학습실
MOSFET이란?
ⅰ. 금속 산화물 반도체 전계효과 트랜지스터(Metal Oxide Semiconductor Field-Effect-Transistor; MOSFET)는 디지털 회로와 아날로그 회로에서 가장 일반적으로 사용되는 전계효과 트랜지스터(FET)이다. MOSFET은 N형 반도체와 P형 반도체 재료의 채널 구성에 따라 크게 N-MOSFET, P-MOSFET 그리고 N형과 P형을 모두 사용한 C-MOSFET(Complementary MOSFET)으로 분류한다.
ⅱ. 초기 MOSFET의 게이트에는 금속을 사용하였지만 현재는 게이트에 Poly Silicon을 사용하고 있고, Oxide에는 산화 실리콘(SiO_2)을 사용하여 게이트 층과 채널을 격리시키고 있다.

참고 자료

없음
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