MOSFET의 특성 실험
- 최초 등록일
- 2021.05.10
- 최종 저작일
- 2020.06
- 5페이지/ MS 워드
- 가격 3,000원
소개글
"MOSFET의 특성 실험"에 대한 내용입니다.
목차
1. 실험 개요(목적)
2. 실험원리 학습실
1) MOSFET이란?
2) MOSFET의 채널 형성과 동작원리
3) 공핍형 MOSFET(D-MOSFET)'
4) 증가형 MOSFET(E-MOSFET)
5) 증가형 MOSFET과 공핍형 MOSFET의 전달특성곡선
3. 시뮬레이션 학습실
1) 증가형 MOSFET 드레인 특성곡선
2) 증가형 MOSFET 전달특성곡선
3) 공핍형 MOSFET 드레인 특성곡선과 전달특성곡선
4. 검토 및 고찰
본문내용
13.1 실험 개요(목적)
MOSFET의 동작 원리를 이해하고 전압-전류 관계를 실험적으로 측정하여 드레인 특성곡선과 전달특성곡선을 결정한다.
13.2 실험원리 학습실
MOSFET이란?
ⅰ. 금속 산화물 반도체 전계효과 트랜지스터(Metal Oxide Semiconductor Field-Effect-Transistor; MOSFET)는 디지털 회로와 아날로그 회로에서 가장 일반적으로 사용되는 전계효과 트랜지스터(FET)이다. MOSFET은 N형 반도체와 P형 반도체 재료의 채널 구성에 따라 크게 N-MOSFET, P-MOSFET 그리고 N형과 P형을 모두 사용한 C-MOSFET(Complementary MOSFET)으로 분류한다.
ⅱ. 초기 MOSFET의 게이트에는 금속을 사용하였지만 현재는 게이트에 Poly Silicon을 사용하고 있고, Oxide에는 산화 실리콘(SiO_2)을 사용하여 게이트 층과 채널을 격리시키고 있다.
참고 자료
없음