mos (Metal-Oxide-Semiconductor)작동원리 이해

소개

MOS(Metal-Oxide-Semiconductor)소자를 직접 제작하고, 작동원리를 이해한다.

목차

1.목적
2.이론
3.실험방법
4.결과
5.고찰

본문내용

1.실험목적
MOS(Metal-Oxide-Semiconductor)소자를 직접 제작하고, 작동원리를 이해한다.

2.이론
① Oxidation
반도체 공정에서 Si 기판 위에 산화제(H2O, O2)와 열에너지를 공급하여
절연막 등 다양한 용도로 사용되는 SiO2 막을 형성하는 공정
* 산화막의 용도
- 확산 공정 mask layer
- PN 접합 보호(Passivation)
- 유전체로서의 응용 - ILD, IMD
- 소자간의 격리 - LOCOS, STI
- 열주기 동안 불순물 주입 mask layer
- Gate capacitor, MOSFET에서의 유전체

② Deposition
1) 화학적 기상 증착법(CVD)
기상의 소스를 열, 플라즈마, 빛 등의 에너지를 이용하여 기판 위에서
분해, 흡착, 반응시킴으로써 박막을 증착하는 방법.
- 에너지에 따라 : thermal CVD, plasma enhanced CVD, photo CVD,
laser CVD
- 압력에 따라 : APCVD, LPCVD, UHVCVD
장점: 대량생산용이, Step Coverage 우수.
단점: 고가의 장비, 성장조절이 어려움.
2) 물리적 기상 증착법(PVD)
* Evaporation : 진공분위기에서, Heating Source에서 금속, 화합물,
또는 합금을 가열하여 용융상태로부터 증발시켜 evaporated된 입자
들이substrate surface에 증착.
⇒ 증발과정이 열교환 과정이라는 점이 sputtering과 다르다.
* Sputtering : 여기된 양이온이 증착하고자 하는 물질(target)과 충돌
하고 이때 sputtering 된 입자들이 기판에 증착. Sputtering은 진공
분위기로 이루어진 chamber 내에 불활성 가스 (주로 Ar)를 주입하
고 음극에는 target이 양극에는 substrate가 놓이게 된다.
음극과 양극 사이에 plasma가 형성되고 Ar+가 음극의 target 에
충돌하여 target의 원자를 나오게 한다. 이때 target 원자는 양극의
시편에 증착이 된다.

참고자료

· 없음