반도체의 제조 공정

소개

반도체의 제조 공정 조사.
세부공정 표, 그림 순서로 설명.

목차

1. 웨이퍼
세부공정

1. 단결정 성장
2. 규소봉 절단
3. 웨이퍼 표면 연마
4. 회로설계
5. MASK 제작
6. 산화공정
7. 감광액 (PR : PhotoResist) 도포
8. 노광
9. 현상
10. Etching
11. 이온주입 공정
12. 화학기증착 (CVD)
13. 금속배선
14. 웨이퍼 자동선별
15. 웨이퍼 절단
16. 칩 접착 (Die Attach)
17. 금속연결 (wire bonding)
18. 성형 (molding)
19. 최종검사

본문내용

☀ 웨이퍼란?
- 실리콘(규소)은 땅 속에 풍부하다. 이것을 고순도로 정제해서 단결정으로 만든 것이 집적회로(IC)를 만드는 재료이며 이것이 실리콘 단결정인 Ingot 이라 한다. 실리콘 잉곳은 수백 나노미터의 두께로 절단되어 한쪽면을 거울같이 연마한 실리콘 Wafer가 된다.




*화학기 증착
화학기상증착이란 반도체 제조공정 중 반응기 안에 화학기체들을 주입하여 화학반응에 의해 생성된 화합물을 웨이퍼에 증기 착상시키는 것을 말하며 이 과정에 사용되는 고순도 약액 또는 특수가스를 화학기상증착재료라 한다.
증착법에는 크게 네가지로 분류되는데 1) 상압화학기상증착 (AP CVD : Atmospheric Pressure CVD), 2) 저압 화학기상증착(LP CVD : Low Pressure CVD), 3) 열화학증착 과 4) 플라즈마 화학 증착 (PE-CVD)으로 나눌 수 있다
13. 금속배선

참고자료

· 없음