PVD와 CVD

소개

한양대학교 서울캠퍼스 반도체공정시간에 제출했던 프리젠테이션입니다. 물론 에이뿔 받았고요~ 내용이 풍부하면서 가격도 저렴한 편이므로 구입하셔서 참고하신다면 만족하실 겁니다.

목차

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본문내용

Plating
기판제어 기술
: 증착에 필요한 원소들의 생성 및 전달과정과는 별도로 기판에서의 종착조건을 제어함으로써 박막의 성질 및 구조 등을 변화시키는 기술
Energetic beam assistance
Atomic layer deposition (ALD)
에피텍시 기술
: 반도체를 기판과 동일한 결정구조로 성장시켜 소자의 특성을 향상시 키는 기술
PVD (Physical Vapor Deposition)
정의
-물리적인 힘에 의해 대상 물질을 기판에 증착하는 방법
종류
Evaporation, Sputter
장점
Clean process
Easy to control composition
Easy mechanism
Good adhesion
Safe process
High deposition rate
단점
Bad step coverage
PVD에서의 Thin Film Formation
PVD Process
1)증착 물질의 합성단계
⇒응축상에서 기상으로의 상 전이(Phase Transition)
⇒화합물의 증착인 경우는 성분끼리의 화학반응
2)Source에서 Substrate로의 물질의 운송(Transport)단계
3)Substrate 위로의 기상의 응축 후의 Film 형태로의 핵생성과 성장
열증착법 (Thermal evaporation)
열 source로는 고융점의 filament, baskets 또는 boat 등과, 용융점이 넓은 재료의 evaporation에 적합한 electron beam이 있다.
저항열을 이용한 evaporation은 용융점이 낮은 재료(예:Al, Cu, Ag, Au)의 증착에 유리하며 증착속도는 filament에 공급하는 전류량을 조절함으로써 변화시킬 수 있다.
전자빔증착법 (E-beam evaporation)

참고자료

· 없음