Trench 식각각도에 따른 Super Juction MOSFET의 래치 업 특성에 관한 연구 (Study on Latch Up Characteristics of Super Junction MOSFET According to Trench Etch Angle)

서지정보

· 발행기관 : 한국전기전자재료학회
· 수록지 정보 : 전기전자재료학회논문지 / 27권 / 9호 / 551 ~ 554페이지
· 저자명 : 정헌석, 강이구

초록

본 논문에서는 SJ MOSFET의 기생적으로 존재하는 사이리스터에 의한 래치 업 특성에 관련하여 서술하였다. 또한 핵심공정인 트렌치 식각 각도에 따른 래치 업 전압의 변화를 연구하였다. 연구한 결과 600 V급 SJ MOSFET의 트렌치 식각 각도가 커지면 커질수록 래치 업 전압도 상승하는 것을 알 수 있었으며, 90°의 식각 각도를 가질 때 50 V 이상의 높은 래치 업 전압을 얻을 수 있었으며, 그때의 공정 및 설계변수를 활용하면 700 V 이상의 높은 항복전압도 얻을 수 있었지만, 상대적으로 온 저항의 값도 증가하였다. 온 저항이 증가하였다는 것은 스위칭 손실이 많아지게 되어 전형적인 트레이드 오프관계에 놓이게 된다. 소자의 정격 안에서 래치 업이 발생하지 않도록 하는 것이 매우 중요하므로 설계 및 공정 변수에 변화를 주어 최적의 설계 점을 찾는 것이 매우 중요할 것으로 판단된다.

영어초록

This paper was showed latch up characteristics of super junction power MOSFET by parasiticthyristor according to trench etch angle. As a result of research, if trench etch angle of super junctionMOSFET is larger, we obtained large latch up voltage. When trench etch angle was 90°, latch up voltagewas more 50 V. and we got 700 V breakdown voltage. But we analyzed on resistance. if trench etchangle of super junction MOSFET is larger, we obtained high on resistance. Therefore, we need optimalpoint by simulation and experiment for solution of trade off.

참고자료

· 없음