GAA기술에 대하여 PT하시오 (삼성전자_SK하이닉스 기술PT면접)

소개

삼성전자_SK하이닉스 기술PT면접, 전공면접

목차

I. GAA 기술의 개념
II. GAA기술과 핀펫 기술과의 비교
III. 삼성전자와 TSMC의 GAA 기술 비교
IV. 다른 반도체 기업들의 GAA 기술
V. 결론 (GAA 기술의 미래)

본문내용

I. GAA 기술의 개념
GAA(Gate-All-Around) 기술은 전류가 흐르는 채널 4개면을 게이트가 둘러싸는 형태의 차세대 트랜지스터 구조입니다. 기존 핀펫 구조와 비교해, GAA 기술은 게이트의 면적이 넓어지며 공정 미세화에 따른 트랜지스터 성능 저하를 극복하고 데이터 처리 속도와 전력 효율을 높입니다. 이렇게 GAA 기술은 차세대 반도체 기술의 핵심 요소로 간주되고 있습니다.

II. GAA기술과 핀펫 기술과의 비교
(1) 같은 점
두 기술 모두 반도체 트랜지스터의 구조를 개선하기 위한 기술입니다. 양자 모두 전류의 흐름을 제어하는 게이트와 실리콘 채널 사이의 접촉 면적을 늘리기 위해 개발되었습니다.
(2) 다른 점
차이점: 핀펫은 게이트와 채널이 3면에서 만나는 반면, GAA는 게이트가 실리콘 채널을 완전히 감싸 4면에서 만나게 됩니다.