GAAFET발표자료(대본포함),게이트올어라운드,(삼성전자,TSMC,숏채널효과,High-k,FinFET,공정방식,개발동향,시장동향)

소개글

"GAAFET발표자료,게이트올어라운드,(삼성전자,TSMC,숏채널효과,High-k,FinFET,공정방식,개발동향,시장동향,Field effect transistor)"에 대한 내용입니다. 하단 메모에 발표 대본 있습니다. 최대한 깔끔하게 발표하기 위해서 열심히 공들여서 쓴 대본이고, 이미 GAA를 잘 아시거나 더 전문적인 지식을 필요로 하시는 분들은 이미 다 아실 내용일거지만 그래도 반도체 관련 학과를 재학 중이신 모든 학부,대학원 여러분들께 도움이 되었으면 좋겠습니다.

목차

1. Introduction
2. Short Channel Effect
3. FinFET vs GAAFET
4. GAAFET 공정방식
5. GAAFET 개발동향

본문내용

FinFET vs GAAFET

GAAFET (Gate-All-Around Field Effect Transistor)

Advantages of GAAFET

Since the gate covers all sides, leakage current is suppressed.

By applying 3D-Stacking technology, on current is maximized through multi-channel to improve device performance.

참고 자료

삼성전자 뉴스룸
SK hynix newsroom
Gartner
Precedence research
Intel newsroom
Semiconductor device Fundamental
칩쟁이 유튜브
가젯서울 유튜브
Samsung Electronics Co., Ltd, Investor Form 2021
TSMC 2022 Technology Symposium.
IMEC newsroom