총 381개
-
BJT 바이어스 회로 설계2025.04.301. 이미터 바이어스 회로 이미터 바이어스 회로는 단일 또는 이중 전원공급 장치를 사용하여 구성될 수 있으며, 실험 9의 고정 바이어스보다 향상된 안정도를 제공한다. 이미터 저항에 트랜지스터의 beta를 곱한 값이 베이스 저항보다도 매우 크다면, 이미터 전류는 본질적으로 트랜지스터의 beta와 무관하게 된다. 따라서 적절히 설계된 이미터 바이어스 회로에서 트랜지스터를 교환한다면, IC와 VCE의 변화는 미약할 것이다. 2. 컬렉터 귀환 바이어스 회로 컬렉터 귀환 바이어스 회로는 베이스 저항 RB를 전압원 VCC에 직접 연결하지 않고...2025.04.30
-
중앙대 전자회로 설계 실습 결과보고서11_Push-Pull Amplifier 설계2025.01.111. Classic Push-Pull Amplifier 특성 결과보고서 11. Push-Pull Amplifier 설계에서 Classic Push-Pull Amplifier 회로를 구성하고 실험한 결과, 입력전압이 특정 전압보다 작으면 두 BJT가 모두 꺼져 출력전압이 0이 되는 Dead zone이 발생하여 출력파형에 Crossover distortion이 나타남을 확인하였다. 2. Feedback loop와 OP-amp를 이용한 Push-Pull Amplifier 특성 Feedback loop와 OP-amp를 이용한 Push-Pu...2025.01.11
-
디지털집적회로설계 실습 3주차 보고서2025.05.161. NMOS 단과 GND n-diff, ndc, poly를 이용해 NMOS를 그리며, n-diff는 실리콘 웨이퍼에 n-type 도펀트를 도입하고, ndc는 n-diff와 poly를 연결하는 역할을 한다. poly는 gate 역할을 하며, pwc는 GND와 p-substate 사이의 연결 역할을 한다. metal은 wire 역할을 한다. NMOS 단은 Boolean Equation에 따라 직렬로 연결되어야 한다. 2. PMOS 단과 VDD n-well, p-diffusion, pdc와 poly를 이용해 PMOS를 그리며, meta...2025.05.16
-
실험 12 . B급 전력 증폭기 회로실험2025.05.111. B급 증폭기의 특성 B급 동작 트랜지스터의 특성은 컬렉터 전류가 오직 교류 사이클 중에서 180° 동안만 흐른다는 것을 의미한다. B급 동작의 이점은 트랜지스터의 전력소비를 낮추고, 전력유출을 감소시키는데 있다. 푸시-풀 회로를 사용하면 낮은 왜곡, 큰 부하전력, 높은 효율을 갖게 된다. 2. 교차왜곡(crossover distortion) B급 푸시-풀 이미터 활로워에서 입력되는 교류전압이 전위장벽을 극복할 수 있는 0.7V까지 증가해야 하므로, 반주기동안에 클리핑이 생기게 되어 신호가 왜곡된다. 이러한 크로스오버 왜곡을 제...2025.05.11
-
A+받은 에미터 공통 증폭기회로(common emiter) 예비레포트2025.05.101. 에미터 공통 증폭기회로 실험을 통해 에미터 공통 증폭기회로의 동작을 이해하였습니다. 베이스 전류에 따른 콜렉터 전류의 변화를 측정하여 전류이득을 결정하였고, 소신호 증폭기로 사용하여 전압이득을 측정하였습니다. 또한 에미터 바이패스 커패시터가 증폭기 이득에 미치는 영향을 분석하였으며, 입력/출력 임피던스, 전력이득, 위상 변화 등을 관찰하였습니다. 2. 트랜지스터 증폭기 회로 트랜지스터의 세 가지 연결 방식(에미터 공통, 베이스 공통, 콜렉터 공통)에 대해 살펴보았습니다. 에미터 공통 증폭기는 작은 베이스 전류로 큰 콜렉터 전류...2025.05.10
-
실험 08_공통 베이스 증폭기 결과 보고서2025.04.281. 공통 베이스 증폭기 이번 실험은 BJT를 이용한 기본적인 세 가지 증폭기 중 공통 베이스 증폭기에 대한 실험이다. 공통 베이스 증폭기는 입력 임피던스가 작기 때문에 전류를 잘 받아들이는 특성을 지니고 있다. 이 실험에서는 공통 베이스 증폭기의 동작 원리를 살펴보고, 증폭기의 전압 이득 및 특성을 실험을 통해 확인하고자 한다. 2. DC 조건 측정 실험 절차 1에서는 공통 베이스 증폭기의 DC 조건을 측정하였다. 예비 보고서와 저항값을 다르게 사용하였으나, 1kΩ일 때 값을 예비 보고서와 비교하여 보면 오차가 조금 발생하긴 했지...2025.04.28
-
전기전자공학실험-전류원 및 전류 미러 회로2025.04.301. 전계효과 트랜지스터 (JFET) JFET는 전압을 증폭시키는 트랜지스터이며, 유니폴라 소자로 한 종류의 캐리어에 의해 전류가 형성된다. JFET는 BJT보다 온도적으로 더 안정되어 있어 트랜지스터의 손상 위험이 큰 직접회로에 많이 사용된다. JFET의 특성으로는 V_GS=0V, V_DS>0일 경우 n채널의 내부 전자들이 양의 전위인 드레인쪽으로 이동하여 소스방향으로 전류가 흐르며, V_GS<0V일 경우 소스쪽의 공핍영역이 커져 n채널의 전자흐름을 방해하게 된다. 2. 전류원 전류원은 부하의 조건에 상관없이 항상 일정한 전류를 ...2025.04.30
-
MOSFET 기본 특성2025.01.021. NMOS 동작 원리 NMOS의 기본적인 동작 원리는 소스와 드레인 단자 사이의 전압 및 전류 흐름을 제어하는 것입니다. NMOS는 스위치와 같이 작동하며, MOS 커패시터를 기반으로 합니다. 소스와 드레인 단자 사이에 위치한 산화층 아래의 반도체 표면은 게이트 전압을 인가함으로써 P형에서 N형으로 반전될 수 있습니다. 2. NMOS 동작 영역 NMOS는 차단 영역, 트라이오드 영역, 포화 영역의 세 가지 동작 영역을 가집니다. 각 영역에서 소스-드레인 전압, 게이트-소스 전압, 드레인 전류 사이의 관계가 다릅니다. 3. PMO...2025.01.02
-
CE 증폭기 설계 예비결과보고서2025.01.021. CE 증폭기 설계 이 실험의 목적은 CE 증폭기를 설계, 구성하고 시험하며, DC bias와 AC 증폭값을 계산하고 측정하는 것입니다. 실험 이론에서는 트랜지스터 선정, 사용 전압 및 전류 범위 설정, 증폭률 설정 등 CE 증폭기 설계를 위한 주요 고려사항들을 다루고 있습니다. 트랜지스터의 정격 전압, 전류, 증폭률 등을 고려하여 적절한 트랜지스터를 선정하고, 사용 전압 및 전류가 트랜지스터의 정격을 초과하지 않도록 설계해야 합니다. 또한 직류 전류 증폭률의 편차를 고려하여 최솟값을 기준으로 증폭률을 설정해야 합니다. 1. C...2025.01.02
-
반도체 용어집2025.04.291. 반도체 반도체는 전기전도성이 도체와 절연체의 중간 정도인 물질로, 불순물 포함 여부에 따라 진성 반도체와 불순물 반도체로 나뉩니다. 진성 반도체는 불순물이 없거나 매우 적은 상태이며, 불순물 반도체는 불순물을 첨가하여 전기적 특성을 변화시킨 것입니다. n형 반도체는 전자가 주된 전류 운반체이고, p형 반도체는 정공이 주된 전류 운반체입니다. 이들을 결합하여 다이오드, 트랜지스터, 사이리스터 등의 반도체 소자를 만들 수 있습니다. 2. 게르마늄 게르마늄은 청색이 감도는 회백색의 단단한 금속으로, 전형적인 반도체 물질입니다. 3가...2025.04.29
7 / 39
