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BJT 바이어스 회로 설계2025.04.301. 컬렉터 귀환 바이어스 회로 컬렉터 귀환 바이어스 회로는 베이스 저항을 전압원에 직접 연결하지 않고 컬렉터로 피드백을 시킨 구조입니다. 이를 통해 베이스 전압에 대한 영향을 줄여 매우 안정된 동작점을 얻을 수 있습니다. 이미터 전류가 증가하면 컬렉터 전압이 증가하고 베이스 전류가 감소하며, 베이스 전류가 증가하면 안정도가 감소하게 됩니다. 2. 이미터 바이어스 회로 이미터 바이어스 회로는 양과 음의 두 전압원을 이용하여 트랜지스터가 활성 영역에 동작하도록 하는 방법입니다. 이미터 바이어스 회로는 이미터에 저항을 사용하기 때문에 ...2025.04.30
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울산대학교 전기전자실험 9. 공통 에미터 트랜지스터 증폭기2025.01.121. 공통 에미터 트랜지스터 증폭기 이론값과 측정값 사이에서 가장 큰 오차가 발생한 원인은 트랜지스터의 β값 차이 때문이다. 이론값을 작성할 때는 트랜지스터의 β값을 180으로 가정했지만, 실제 측정값을 통해 구한 β값은 200이었다. 따라서 트랜지스터의 β값 차이로 인해 이론값과 측정값 사이에 오차가 발생했다는 것을 알 수 있다. 1. 공통 에미터 트랜지스터 증폭기 공통 에미터 트랜지스터 증폭기는 전자 회로 설계에서 매우 중요한 역할을 합니다. 이 증폭기는 입력 신호를 증폭하여 출력 신호를 생성하는 기능을 수행합니다. 이를 통해 ...2025.01.12
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전자공학실험 5장 BJT 바이어스 회로 A+ 예비보고서2025.01.131. BJT 바이어스 회로 BJT를 증폭기로 동작시키기 위해서는 적절한 DC 바이어스가 인가되어야 하며, 이때의 DC 바이어스를 동작점 또는 Q점이라고 부른다. DC 바이어스는 증폭기의 전압 이득과 스윙을 결정하는 중요한 역할을 한다. 이 실험에서는 BJT를 이용한 증폭기의 DC 동작점을 잡아주기 위한 바이어스 회로에 대해 알아보고, 실험을 통하여 동작을 확인하고자 한다. 2. 전압분배 바이어스 회로 일반적으로 증폭기의 동작점을 잡아주기 위해서는 바이어스 회로가 필요하다. 가장 기본적인 전압분배 바이어스 회로는 저항 RB1 또는 R...2025.01.13
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울산대학교 전기전자실험 14. 전류원 및 전류 미러 회로2025.01.121. 공통 source 회로의 바이어스 공통 source 회로의 바이어스에 대해 설명하고 있습니다. Shockley 방정식을 통해 구한 해 중 하나는 V_P와 I_DSS 범위 내에 있지만 다른 하나는 이 범위 밖에 있어 타당하지 않은 값이라고 설명하고 있습니다. 2. 이론값과 측정값의 오차 이론값과 측정값 사이에 가장 큰 오차가 발생한 이유는 이전 실험에서 사용한 JFET의 I_DSS가 8mA로 측정되어 이번 실험에서 이론값을 8mA로 두고 구했기 때문이라고 설명하고 있습니다. 3. 트랜지스터의 동작 V_DS와 V_DG의 차이를 통...2025.01.12
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전기전자공학실험-공통 베이스 및 이미터 폴로어2025.04.301. 공통 베이스 트랜지스터 증폭기 공통 베이스 트랜지스터 증폭기는 주로 고주파 응용에 사용되며, 작은 입력 임피던스와 중간 정도의 출력 임피던스를 가지고 전압 이득을 크게 할 수 있다. 전압 이득은 RC/re로 주어진다. 입력 임피던스는 re, 출력 임피던스는 RC이다. 2. 이미터 폴로어 트랜지스터 증폭기 이미터 폴로어 트랜지스터 증폭기는 입력 임피던스가 높고 출력 임피던스가 낮다. 전압 이득은 1보다 낮지만 전류 이득과 전력 이득은 높다. 입력 신호와 출력 신호의 위상이 같으므로 위상 반전이 일어나지 않는다. 3. 공통 베이스...2025.04.30
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전기전자공학실험-A급 및 B급 전력 증폭기 (2)2025.04.301. pnp형 트랜지스터 pnp형 트랜지스터는 npn형 트랜지스터와 방향이 반대이므로 회로를 구성할 때 주의해야 한다. 2. B급 증폭기 설계 B급 증폭기를 설계할 때 피크전압이 앞의 것과 똑같이 나타나 회로의 효율이 완벽하게 실험이 가능했다. 3. 출력 전력 계산 책에 나온 출력 전력을 사용할 때는 rms값인지, peak값인지, p-p값인지 주의하여 값을 계산해야 한다. 4. A급 증폭기 효율 A급 증폭기의 최대 효율 25%는 초과할 수 없다는 것을 확인했다. 5. B급 증폭기 다이오드 B급 증폭기의 다이오드 2개는 파형이 0.7...2025.04.30
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트랜지스터 회로 실험 결과 보고서2025.01.031. 트랜지스터의 증폭작용 트랜지스터의 가장 핵심적인 기능은 전류 증폭기로서의 기능이다. 트랜지스터를 이용하여 적절한 회로를 구성하면 베이스 전류가 입력전류이고 컬렉터 전류를 출력 전류로 할 때 I_C = betaI_B(beta는 전류 증폭률)의 관계식이 성립한다. 트랜지스터 회로의 전류 증폭률을 계산함으로써 회로의 동작 특성을 확인할 수 있다. 2. 이미터 공통(common emitter)회로 이미터 공통 회로에서 I_B와 I_C는 각각 I_B' = (V_RB) / (V_B) = (V_BB - V_B) / (V_R)와 I_C = ...2025.01.03
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기초실험2 결과보고서2025.01.291. 저항소자 및 써미스터 소자의 특성 실험을 통해 저항소자와 써미스터 소자의 저항값을 측정하였다. 저항소자는 10 kΩ의 저항값을 갖도록 제작되어 있으며, 실제 측정값도 이와 유사하였다. 그러나 써미스터 소자의 경우 10 kΩ에서 많이 벗어난 저항값이 측정되었는데, 이는 써미스터의 온도 의존성 때문이다. 온도계로 측정한 주변 온도를 참고하면 써미스터의 저항값 변화를 이해할 수 있다. 2. 저항소자와 써미스터 소자의 전압-전류 특성 저항소자와 써미스터 소자는 동일한 10 kΩ의 저항값을 갖지만, 열을 가했을 때 전압-전류 특성이 다...2025.01.29
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전자회로실험 설계2 결과보고서2025.05.091. CMOS 특성 확인 실험 1에서는 NMOS 트랜지스터의 특성을 확인하였다. V_DS를 고정하고 V_GS에 따른 I_DS의 선형성을 살펴보았으며, 문턱 전압 V_TH를 측정하고 cut-off region, saturation region, triode region에서의 동작을 관찰하였다. 또한 실험 결과를 통해 μ_n C_ox W/L와 λ_n을 도출하였다. 2. NMOS 기반 증폭기 설계 실험 2에서는 NMOS 특성과 파라미터를 이용하여 전압 이득이 2 이상인 common source 증폭기 회로를 설계하였다. 입력 신호의 진폭...2025.05.09
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전기전자공학실험-달링턴 및 캐스코드 증폭기 회로2025.04.301. 달링턴 회로 달링턴 회로는 두 개의 BJT 트랜지스터를 하나의 IC 패키지 내에 제공한다. 달링턴 회로의 베타 실효값(beta_D)은 각 트랜지스터 베타 값의 곱과 같다. 달링턴 이미터 폴로어는 일반 이미터 폴로어에 비해 높은 입력 임피던스를 가지고 있다. 달링턴 이미터 폴로어의 입력 임피던스, 출력 임피던스, 전압 이득 등을 계산하고 측정하였다. 2. 캐스코드 회로 캐스코드 회로는 Q1을 이용한 공통 이미터 증폭기가 Q2를 이용한 공통 베이스 증폭기에 직접 연결되어 있다. Q1단의 전압이득은 약 1이며, Q2단의 전압 이득은...2025.04.30
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