총 140개
-
[A+] 일반 논리게이트 응용 예비보고서2025.05.131. 일반 논리 게이트 실험 목적은 OR Gate, AND Gate, NOT Gate, NAND Gate, NOR Gate, XOR Gate와 같은 논리회로의 기본 게이트들의 기본 논리, 이론, 동작 원리를 공부하고 이해하는 것입니다. 특히 NAND Gate, NOR Gate, XOR Gate에 대해 집중적으로 실험하고 동작 원리를 이해하는 것이 목적입니다. 또한 이러한 논리 게이트들을 이용하여 논리식을 구현하고 진리표를 작성하며 동작을 확인하고 특성을 알아보는 것입니다. 2. 양의 논리와 음의 논리 부울 논리에서 1과 0은 조건을...2025.05.13
-
SOC(software on chip) 조사하시오2025.01.121. SOC(System on Chip) SOC(System on Chip)은 하나의 칩에 컴퓨터 시스템의 대부분 또는 모든 구성 요소를 통합하는 반도체입니다. CPU, GPU, 메모리, 인터페이스 등 다양한 기능을 가진 블록들이 하나의 칩에 집적되어 있어 크기가 작고 전력 소비가 적으며 저렴한 가격으로 생산될 수 있다는 장점이 있습니다. 최근 스마트폰, 태블릿, 사물 인터넷(IoT) 기기 등 모바일 및 임베디드 시장의 성장과 함께 SOC 기술 또한 빠르게 발전하고 있습니다. 2. SOC의 역사 SOC는 1980년대에 처음 등장했습...2025.01.12
-
전자공학응용실험 ch20 차동증폭기 기초실험 예비레포트2025.05.051. 차동 증폭기 기초 실험 차동 증폭 회로는 출력이 단일한 단일 증폭 회로에 비하여 노이즈와 간섭에 의한 영향이 적고, 바이패스 및 커플링 커패시터를 사용하지 않고도 증폭 회로를 바이어싱 하거나 다단 증폭기의 각 단을 용이하게 커플링 할 수 있으므로, 집적회로의 제작 공정이 좀 더 용이하여 널리 사용되고 있다. 이 실험에서는 MOSFET을 사용한 차동 쌍의 동작을 위한 기본 조건을 살펴보고 기본적인 측정을 통하여 검증하고자 한다. 이를 토대로 부하 저항을 연결한 MOSFET 차동 증폭 회로를 구성하여 확인하고, 특성을 분석한다. ...2025.05.05
-
[전자공학응용실험]2주차_1차실험_MOSFET 기본특성 및 MOSFET 바이어스 회로_예비레포트_A+2025.01.291. MOSFET 기본 특성 MOSFET의 기본적인 동작 원리를 살펴보고, 전류-전압 특성 및 동작 영역을 실험을 통하여 확인한다. 2. MOSFET 바이어스 회로 MOSFET을 이용한 증폭기의 DC 동작점을 잡아 주기 위한 바이어스 회로에 대해서 공부하고, 실험을 통하여 그 동작을 확인한다. 1. MOSFET 기본 특성 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)은 반도체 소자 중 하나로, 전자 기기에 널리 사용되는 핵심 부품입니다. MOSFET의 기본 특성은 다음과 같습...2025.01.29
-
전기전자공학실험-다단 증폭기 RC 결합2025.04.301. RC 결합 JFET 다단 증폭기 다단으로 연결된 증폭기의 전압이득은 서로 연결된 증폭기의 전압이득의 곱이다. RC 결합은 커패시터를 이용해 직류 성분을 차단하고 교류 성분만 전달하는 결합 방식이다. 각각의 증폭 회로에서 독자적인 바이어스 전압을 선택할 수 있으나 결합 커패시터의 리액턴스가 주파수의 영향을 받기 때문에 두 증폭기 간 교류 신호 전달이 주파수의 영향을 받아 전체 증폭 회로의 이득이 주파수에 따라 변할 수 있다. 2. BJT와 JFET의 차이점 BJT와 비교하면 FET의 종류는 더 다양하다. 모든 FET는 매우 높은...2025.04.30
-
계측실험[Op-Amp를 이용한 비교기 구성]2025.01.121. 연산증폭기를 이용한 비교기 구성 이 실험에서는 연산증폭기(Op-Amp)를 이용하여 비교기 회로를 구성하고 그 작동 원리를 이해하는 것이 목적입니다. 비교기는 두 개의 입력 신호를 비교하여 출력 신호를 생성하는 회로로, 연산증폭기의 특성을 이용하여 구현할 수 있습니다. 실험에서는 입력 신호로 +13V와 -13V를 사용하고, 발광 다이오드와 멀티미터를 통해 출력 신호를 관찰합니다. 또한 반전 입력 단자와 비반전 입력 단자에 각각 +13V와 -13V를 인가하여 비교기 회로의 동작을 확인합니다. 1. 연산증폭기를 이용한 비교기 구성 ...2025.01.12
-
Memory 세미나 내용, RAM ROM Flash NOR NAND2025.04.261. Memory의 종류 메모리에는 RAM, ROM, 자기 표면 기억장치, 반도체 기억장치 등 다양한 종류가 있다. RAM은 전원이 유지되는 동안만 사용 가능한 휘발성 메모리로 CPU의 연산이나 응용프로그램 로딩, 데이터 일시 저장 등에 이용된다. ROM은 전원 차단 이후에도 데이터가 유지되는 비휘발성 메모리로 BIOS, OS, 펌웨어 저장에 사용된다. 2. 반도체 기억장치의 구조와 동작 반도체 기억장치는 실제 정보가 저장되는 메모리 셀과 주소, 데이터, 제어 신호를 처리하는 주변 회로로 구성된다. 데이터 쓰기 시 주소 레지스터에서...2025.04.26
-
학과소개-반도체공학과2025.05.101. 반도체공학과 개요 반도체 기술은 컴퓨터, 자동차, 스마트폰 등 다양한 전자 제품의 작동에 핵심적인 역할을 합니다. 반도체공학과에서는 반도체, 디스플레이, 스마트폰, 자동차 등 국가 핵심 산업과 나노, 에너지, 바이오, 항공우주, 웨어러블, IOT, 인공지능, 자율주행 등 신성장 동력 산업에 필요한 핵심 부품 및 시스템 설계, 생산 기술, 공정 및 장비 등에 대한 지식과 기술을 교육합니다. 2. 관련 학과 반도체공학과, 반도체학과, 반도체과학기술학과, 디스플레이·반도체물리학부, 디스플레이반도체공학과, 물리반도체과학부, 반도체·디...2025.05.10
-
실험 09_MOSFET 기본 특성 결과보고서2025.04.281. MOSFET 기본 특성 MOSFET은 전계 효과(field effect)를 이용하여 전류가 흐르는 소자이며, 전하를 공급하는 소오스 단자, 전하를 받아들이는 드레인 단자, 전류의 양을 조절하는 게이트 단자, 기판의 역할을 하는 바디 단자로 구성되어 있습니다. 게이트 전압을 바꾸면 드레인에서 소오스로 흐르는 전류가 바뀌면서 증폭기로 동작할 수 있습니다. 이 실험에서는 MOSFET의 기본적인 동작 원리를 살펴보고, 전류-전압 특성 및 동작 영역을 실험을 통하여 확인하였습니다. 2. NMOS와 PMOS의 문턱 전압 차이 NMOS의 ...2025.04.28
-
[예비보고서]중앙대학교 전자회로설계실습 MOSFET Current Mirror 설계2025.05.101. 단일 Current Mirror 설계 전자회로 설계 및 실습 예비보고서에서 단일 Current Mirror 설계에 대해 설명하고 있습니다. 2N7000 트랜지스터를 이용하여 10.09 mA의 전류원을 설계하는 과정을 보여주고 있습니다. 트랜지스터의 특성을 이용하여 전류원의 동작 조건을 만족시키는 방법을 설명하고 있으며, OrCAD와 PSPICE를 이용한 회로 설계 및 시뮬레이션 결과를 제시하고 있습니다. 2. Cascode Current Mirror 설계 전자회로 설계 및 실습 예비보고서에서 Cascode Current Mir...2025.05.10
4 / 14
