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Photolithography 예비보고서2025.05.051. 반도체 기본 개념 반도체는 상온에서 전기 전도도가 도체와 부도체 사이인 물질을 말한다. 반도체를 통해 다이오드, 트랜지스터, DRAM, 플래시 메모리와 같은 소자를 만들 수 있게 되었으며 현대 산업의 핵심 물질로 각광받고 있다. 반도체의 종류로는 intrinsic semiconductor(진성반도체)와 extrinsic semiconductor(외인성반도체)가 있으며 extrinsic semiconductor에는 Negative Type과 Positive Type이 있다. 2. 전자 이동도 전기장이 외부에서 가해지면 자유 전자...2025.05.05
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전자공학과 세특 (노광장비 EUV관련 공학 탐구 보고서)2025.01.211. 반도체 공정 보고서에서는 반도체 8대 공정 중 포토공정에 대해 자세히 탐구하였습니다. 포토공정은 회로를 그리는 작업으로, 연필심에 비유하여 연필심이 가늘수록 미세한 그림을 그릴 수 있다고 설명하였습니다. 2. 노광장비 포토공정에 사용되는 노광장비에 대해 조사하였습니다. DUV와 EUV 기술의 차이점인 파장의 크기를 제시하였고, EUV 기술이 LPP(Laser Produced Plasma) 방법으로 빛을 발생시킨다는 점을 설명하였습니다. 1. 반도체 공정 반도체 공정은 매우 복잡하고 정밀한 기술입니다. 실리콘 웨이퍼에 다양한 층...2025.01.21
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microelectronic circuits - BJT / MOSFET 정리본2025.01.281. BJT (Bipolar Junction Transistor) BJT는 pnpn 구조로 이루어져 있으며, 베이스-이미터 접합에서 전자와 정공이 주입되어 증폭 작용을 할 수 있습니다. 정방향 바이어스에서는 콜렉터 전류가 잘 흐르고, 역방향 바이어스에서는 콜렉터 전압이 높아집니다. BJT의 주요 특성으로는 베이스 전류, 콜렉터 전류, 이미터 전류의 관계, 증폭률 β, 역증폭률 α 등이 있습니다. BJT는 스위칭 회로와 증폭기 회로에 사용됩니다. 2. MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect...2025.01.28
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[A+]전자회로설계실습 예비보고서 42025.01.041. MOSFET 소자 특성 이 보고서의 목적은 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) 소자의 특성인 문턱전압(VT), 전도도 계수(kn)를 데이터시트를 이용하여 구하고, 설계 및 구현을 통해 전압 변화에 따른 전류를 측정하여 소자의 특성을 분석하는 것입니다. 준비물로는 DC 전원 공급장치, 디지털 멀티미터, 연결선, 브레드보드, 점퍼 와이어 키트, MOSFET 소자(2N7000) 및 1kΩ 저항이 필요합니다. 실습 계획은 데이터시트를 활용하여 VT와 kn을 구하고, ...2025.01.04
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전압제어 발진기 회로 설계 및 실험 결과2025.01.041. 슈미트 회로 슈미트 회로는 히스테리시스 특성을 가진 비교기로, 입력 신호가 증가할 때와 감소할 때의 입출력 특성이 다르다. 입력 전압이 문턱 전압 사이에 있을 경우 출력 상태는 이전 상태에 따라 결정된다. 2. 적분기 회로 적분기 회로에서 출력 전압은 입력 전압과 시간에 따라 변화한다. 이를 이용하여 전압 제어 발진기를 구현할 수 있다. 3. 전압제어 발진기 회로 전압제어 발진기 회로는 슈미트 회로, 적분기, BJT 스위치로 구성된다. 적분기 출력이 슈미트 회로의 문턱 전압을 넘으면 BJT 스위치가 on/off되어 적분기 출력...2025.01.04
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디지털집적회로 inverter 설계도 및 시뮬레이션 결과2025.04.281. CMOS 인버터 설계 CMOS 인버터는 다른 유형의 인버터에 비해 노이즈 마진이 넓고 전력 소비가 낮아 집적 회로 설계의 기반이 되고 있습니다. 이 프로젝트에서는 CMOS 인버터를 선택하여 설계하고 시뮬레이션을 수행했습니다. PMOS와 NMOS의 크기 비율을 변경하여 스위칭 임계 전압과 전파 지연 시간을 분석했습니다. 2. DC 분석 DC 분석에서는 스위칭 임계 전압(Vs)을 계산하고 PMOS/NMOS 크기 비율에 따른 변화를 확인했습니다. PMOS/NMOS 크기 비율이 1.4335일 때 Vs는 VDD/2보다 낮았고, 1일 때...2025.04.28
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서강대학교 22년도 전자회로실험 11주차 결과레포트2025.01.131. 전류원 및 전류미러 전자회로실험 예비/결과 보고서실험 11주차. 전류원 및 전류미러/MOSFET 차동 증폭기분반조학번이름시작15:00종료17:30실험시작/종료시간 기재(통계목적임)예비보고서는 아래 각 문항 중 (예비)라고 되어 있는 부분을 수행하여 작성한다.결과보고서는 측정결과 및 분석을 추가하고, 설계과제를 수행하여 결과를 작성한다.회로 구성 사진 및 측정화면 사진은 실험 조원의 학생증 등 ID 가 보이도록 촬영함 2. MOSFET 차동 증폭기 전자회로실험 예비/결과 보고서실험 11주차. 전류원 및 전류미러/MOSFET 차동...2025.01.13
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[A+] 중앙대학교 전자회로 설계실습 예비보고서 8. MOSFET Current Mirror 설계2025.04.291. 단일 Current Mirror 설계 이 섹션에서는 단일 Current Mirror 회로를 설계하는 방법에 대해 설명합니다. 주요 내용은 다음과 같습니다: (A) 2N7000 MOSFET의 데이터시트를 참고하여 (1/2)μ'(W/L)을 계산합니다. (B) IREF = 10 mA인 전류원을 설계하기 위해 필요한 VGS와 W/L 값을 구합니다. (C) MOSFET이 포화 영역에서 동작하기 위한 조건을 설명하고, VDS의 최대값을 계산합니다. (D) 10 mA 전류원을 OrCAD로 설계하여 회로도를 제출합니다. (E) PSPICE ...2025.04.29
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실험 20_차동 증폭기 기초 실험 예비보고서2025.04.281. 차동 증폭기 기초 실험 이 실험에서는 MOSFET을 사용한 차동 쌍의 동작을 위한 기본 조건을 살펴보고 기본적인 측정을 통하여 검증하고자 한다. 이를 토대로 부하 저항을 연결한 MOSFET 차동 증폭 회로를 구성하여 확인하고, 특성을 분석한다. 2. 전류 거울 능동 부하와 전류 거울은 집적회로를 설계할 때 일정한 전류원이 가장 기본적인 요소가 되는데, 전류원이 필요한 곳마다 저항을 사용하여 회로를 설계하면 신뢰성이 저항의 정확도에 따라 결정된다. 따라서 수동 부하 저항을 사용하여 집적회로를 설계하기보다는 능동 부하 회로를 이용...2025.04.28
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A+ 2022 중앙대학교 전자회로설계실습 예비보고서 8 MOSFET Current Mirror 설계2025.05.011. 단일 Current Mirror 설계 설계실습 8. MOSFET Current Mirror 설계에서는 그림 1의 Current Source 회로를 이용하여 IREF = 10 mA인 전류원을 설계하는 것이 목표입니다. 이를 위해 (A) 2N7000 MOSFET의 데이터시트를 활용하여 (1/2)kn'(W/L)을 구하고, (B) IREF = 10 mA인 전류원을 설계하기 위해 M2의 VGS와 R1 값을 계산합니다. (C) M1이 Saturation 영역에서 동작하기 위한 조건과 RL의 최대값을 구하고, (D) OrCAD로 IO = ...2025.05.01
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