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반도체 부품 장비 융합 개론 - 노트정리 & 기출문제 포함2025.01.181. 반도체 기본 특성 반도체의 기본적인 특성에 대해 설명하고 있습니다. 마이크로 패브리케이션 공정을 활용한 집적회로, MEMS 센서, 태양광 패널 등의 예시를 제시하고 있습니다. in-plane과 out-of-plane의 차이, 트랜지스터의 발전, 무어의 법칙, 반도체 8대 공정 등을 다루고 있습니다. 또한 클린룸 시설의 중요성과 기준, 실리콘 웨이퍼 직경 증가 추세와 그에 따른 이슈 등을 설명하고 있습니다. 2. 3D 반도체 트렌드 집적도를 높이기 위해 웨이퍼 표면에 수직방향으로 소재를 쌓아올리는 3D 반도체 기술에 대해 설명하...2025.01.18
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반도체공정개론 (반도체공학 이론 전량 필기본)2025.05.111. 반도체 제조 공정 반도체 제조 공정에 대한 전반적인 내용을 다루고 있습니다. IC 제작 공정, 클린룸 기본, 웨이퍼 처리 공정, 박막 증착, 포토리소그래피, 식각, 이온주입, 열처리 등 반도체 제조에 필요한 다양한 공정 단계를 설명하고 있습니다. 2. 반도체 소자 구조 및 특성 반도체 소자의 구조와 특성에 대해 다루고 있습니다. MOSFET, BJT, DRAM 등 주요 반도체 소자의 구조와 동작 원리, 특성 등을 설명하고 있습니다. 또한 SOI, 스트레인 실리콘 등 최신 반도체 기술도 소개하고 있습니다. 3. 열처리 공정 반도...2025.05.11
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[A+]전자회로설계실습 예비보고서 52025.01.041. BJT와 MOSFET을 이용한 RTL switch 회로 설계 및 구현 이 보고서의 목적은 BJT와 MOSFET을 사용하여 TTL 레벨의 전압(5V)으로 동작하는 RTL switch 회로를 설계하고 구현하여 relay 또는 LED를 구동하고 그 동작을 측정 및 평가하는 것입니다. 준비물로는 Function Generator, Oscilloscope, DC Power Supply, BJT, LED, MOSFET, 저항 등이 필요합니다. 설계 계획으로는 BJT 2N3904를 사용하여 BL-B4531 LED를 구동하는 회로를 설계하고...2025.01.04
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[일반화학실험] PDMS를 이용한 미세접촉 인쇄 예비 레포트2025.05.021. 미세접촉 인쇄 미세접촉 인쇄는 릴리프 무늬를 가진 탄성 중합체의 도장에서 도장이 접촉된 부분의 기질로 물질이 이동하는 과정을 나타낸다. 이 과정에서 알케인싸이올이 찍힌 부위에 피브로넥틴이 선택적으로 흡착되고, 이는 도장이 찍힌 부위에 세포들이 선택적으로 부착할 수 있게끔 한다. 2. 자기조립 자기조립은 무질서하게 존재하는 물질들이 일정한 규칙으로 인해 제어된 구조체를 형성하거나 물질들이 일정한 양식으로 배치되는 현상을 나타낸다. 자기조립에는 반데르발스 힘과 수소 결합 등 느슨한 상호작용이 주로 개입하며, 이를 통해 형성된 유기...2025.05.02
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중앙대학교 아날로그및디지털회로설계실습 9차 예비보고서2025.01.061. 전가산기 설계 전가산기는 입력 A, B와 이전 연산의 carry bit Cin을 더하여 생긴 합 S와 그때 발생한 carry bit Cout을 출력한다. Karnaugh 맵을 이용하여 간소화된 Sum of product 또는 Product of sum 형태의 불리언 식을 구하고, 2-level AND-OR(NAND-NAND) 또는 OR-AND(NOR-NOR) 로직 회로를 설계하였다. 또한 XOR gate를 이용하여 보다 간소화된 다단계 조합 논리 회로를 설계하였다. 2. 2-Bit 가산기 회로 설계 2-Bit 가산기는 두 개의...2025.01.06
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[전자공학응용실험]12주차_8차실험_실험 20 차동 증폭기 기초 실험_예비레포트_A+2025.01.291. MOSFET 차동 증폭기 이 실험에서는 MOSFET을 사용한 차동 쌍의 동작을 위한 기본 조건을 살펴보고 기본적인 측정을 통해 검증하고자 합니다. 또한 부하 저항을 연결한 MOSFET 차동 증폭 회로를 구성하여 특성을 분석합니다. 차동 증폭기는 집적회로 설계에서 중요한 기본 회로 중 하나로, 능동 부하와 전류 거울 회로를 이용하여 설계할 수 있습니다. 1. MOSFET 차동 증폭기 MOSFET 차동 증폭기는 전자 회로 설계에서 매우 중요한 역할을 합니다. 이 회로는 두 개의 MOSFET 트랜지스터를 사용하여 입력 신호를 증폭하...2025.01.29
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반도체 취업] 8대공정 간단 정리 및 추가 개념 상세 설명2025.01.181. 반도체 제조 공정 반도체 제조 공정은 크게 웨이퍼 제조, 전공정, 후공정으로 나뉩니다. 웨이퍼 제조 공정에서는 실리콘 웨이퍼를 만들고, 전공정에서는 웨이퍼 위에 회로를 형성하며, 후공정에서는 테스트와 패키징을 진행합니다. 8대 핵심 공정은 산화, 포토, 식각, 박막증착, 금속배선, 전기적 테스트, 패키징 등입니다. 각 공정에서는 다양한 기술이 활용되며, 최근 EUV 리소그래피, ALD 등의 기술이 도입되고 있습니다. 2. 포토리소그래피 공정 포토리소그래피 공정은 반도체 소자의 집적도를 높이는 핵심 공정입니다. 이 공정에서는 마...2025.01.18
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아날로그 및 디지털 회로 설계실습 예비보고서 4주차2025.01.171. 전압제어 발진기 전압제어 발진기(VCO: Voltage Controlled Oscillator)를 설계하고 전압을 이용한 발진 주파수의 제어를 실험으로 확인한다. 슈미츠 회로의 특성을 실험하고, 시뮬레이션 도구를 이용하여 슈미트 트리거 회로를 설계한다. 또한 전압제어 발진기 회로를 설계하고 출력 파형을 관찰하며, 전압 변화에 따른 주파수 변화를 그래프로 나타낸다. 중심 주파수 2kHz가 되도록 회로를 설계하고, 슈미츠 회로의 저항비와 커패시터 값 변화에 따른 출력 파형 변화를 관찰한다. 1. 전압제어 발진기 전압제어 발진기(V...2025.01.17
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방통대 출석대체시험 컴퓨터구조 요약본2025.01.261. 컴퓨터 세대별 발전과정 컴퓨터 세대별 발전과정은 1세대 - 진공관(어셈블리어 일괄처리), 2세대 - 트랜지스터(고급언어 실시간처리), 3세대 - 직접회로[IC](시분할처리), 4세대 - LSI(인공지능 전문가시스템), 5세대 - VLSI(병렬처리, 자연언어처리)로 설명되어 있습니다. 2. 기본 연산회로 기본 연산회로에는 가산기(덧셈), 감산기(뺄셈), 승산기(곱셈), 제산기(나눗셈)이 포함됩니다. 3. MSI(Medium Scale Integrated circuits) MSI(Medium Scale Integrated circ...2025.01.26
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아날로그 및 디지털 회로 설계실습 결과보고서52025.01.171. 전압 제어 발진기 이번 실습에서는 적분기와 슈미트 회로 그리고 BJT를 이용하여 전압제어 발진기 회로를 설계하였다. Vc를 0.5V~4.5V까지 변화시키며 출력주파수를 확인하였다. 1.5V~2.5V 구간에서 포화하며 주파수가 약 17kHz로 수렴하는 것을 볼 수 있었고, 전압제어 발진기의 Gain을 구하면 2.67kHz/V임을 알 수 있었다. 1. 전압 제어 발진기 전압 제어 발진기(Voltage Controlled Oscillator, VCO)는 전압 입력에 따라 출력 주파수가 변화하는 전자 회로 장치입니다. VCO는 주파수...2025.01.17
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