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(22년) 중앙대학교 전자전기공학부 전자회로설계실습 결과보고서 8. MOSFET Current Mirror 설계2025.04.301. 단일 Current Mirror 구현 및 측정 10V의 Power Supply 전압을 인가하고 단일 MOS Current Mirror 회로를 구현해 transistor M1, M2의 VGS1, VGS2, VDS1, VDS2를 측정하고 IO와 IREF를 계산하였다. 측정 결과 VGS1, VGS2, VDS1, VDS2의 오차율은 각각 5.53%, 5.96%, 5.96%, 13.76%로 매우 낮아 PSPICE 시뮬레이션 결과와 거의 일치했고 IO, IREF 또한 오차율 9.75%, -2.24%로 PSPICE 시뮬레이션 결과와 거의 ...2025.04.30
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MOSFET Current Mirror 설계 및 실습2025.11.131. 단일 Current Mirror 설계 N-Type MOSFET 2N7000을 이용하여 Reference 전류가 흐르는 단일 Current Mirror를 설계한다. 트랜지스터의 Transconductance Parameter를 Data sheet에서 구하고, Saturation 영역에서 동작하기 위한 조건을 분석한다. 출력저항은 Channel Length Modulation 효과를 고려하여 계산하며, 10mA의 전류원 설계를 목표로 한다. OrCAD와 PSPICE를 이용한 시뮬레이션으로 설계값을 검증한다. 2. Cascode C...2025.11.13
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중앙대 전자회로설계실습 결과보고서82025.01.121. 단일 Current Mirror 구현 및 측정 단일 Current Mirror 회로를 구현하고 측정한 결과를 분석하였습니다. 설계한 대로 회로를 구현하고 전압을 측정하고 전류값을 계산한 결과 대부분 작은 오차를 보였습니다. 설계실습계획서에서 설계한 회로에 비해 실제로 구현한 회로에서는 channel length modulation에 의해 약간의 오차가 발생하는 것을 확인할 수 있었습니다. 2. Cascode Current Mirror 구현 및 측정 Cascode Current Mirror 회로를 구현하고 측정한 결과를 분석하였...2025.01.12
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MOSFET Current Mirror 설계 예비보고서2025.11.131. 단일 Current Mirror 설계 N-Type MOSFET 2N7000을 이용하여 IREF = 10 mA인 단일 Current Mirror를 설계한다. M1, M2는 동일한 트랜지스터이며 Gate와 Source 단자를 공유한다. Data sheet에서 Vth = 2.1 V, VGS = 2.41 V를 구하고, R1 = 759Ω으로 계산된다. M1이 Saturation 영역에서 동작하기 위한 조건은 VDS ≥ 0.31 V이며, RL의 최대값은 969Ω이다. PSPICE 시뮬레이션 결과 IREF = 10.09 mA, IO = 1...2025.11.13
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MOSFET Current Mirror 설계 및 측정 실습2025.12.181. 단일 Current Mirror (Simple Current Mirror) N-Type MOSFET을 이용하여 Reference 전류를 복제하는 단일 Current Mirror를 breadboard에 구현하고 측정했다. 10V 전원 공급 시 측정값은 2.50V, 9.88mA이며 Simulation값은 2.344V, 10.09mA로 나타났다. MOSFET 소자의 특성 차이로 인해 설계값과 측정값 사이에 오차가 발생했으며, 출력저항은 약 Ω 수준으로 측정되었다. 2. Cascode Current Mirror 출력저항을 향상시키기 ...2025.12.18
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MOSFET Current Mirror 설계 및 시뮬레이션2025.12.111. 단일 Current Mirror 설계 N-Type MOSFET 2N7000을 이용하여 Reference 전류가 흐르는 단일 Current Mirror를 설계한다. Gate Threshold Voltage 2.1V와 On-Stage Drain Current 600mA를 이용하여 (1/2)gm을 구하고, 10mA 전류원 설계를 위해 VGS와 저항값을 계산한다. MOSFET이 Saturation 영역에서 동작하기 위한 조건은 VDS ≥ VGS - VT이며, VL의 최대값은 약 2.34V이다. OrCAD 설계 및 PSPICE 시뮬레이...2025.12.11
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MOSFET Current Mirror 설계 및 시뮬레이션2025.11.181. 단일 Current Mirror 설계 N-Type MOSFET 2N7000을 이용하여 10mA의 Reference 전류를 갖는 단일 Current Mirror를 설계한다. Data Sheet에서 VTH=2.1V, VDS=4.5V, ID=600mA를 이용하여 (1/2)kn'(W/L)=104.167[mA/V²]을 계산한다. Saturation 영역에서 동작하기 위해 VGS≥VTH 조건을 만족해야 하며, 출력저항은 RL 변화에 따른 ID 변화로 구한다. 2. Cascode Current Mirror 설계 단일 Current Mirr...2025.11.18
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(22년) 중앙대학교 전자전기공학부 전자회로설계실습 예비보고서 8. MOSFET Current Mirror 설계2025.04.301. 단일 Current Mirror 설계 설계실습 8. MOSFET Current Mirror 설계 목적: N-Type MOSFET을 이용하여 특정 Reference 전류가 흐를 수 있는 단일 Current Mirror와 Cascode Current Mirror를 설계 및 측정하여, Current Mirror를 이용한 전류원의 전기적 특성을 이해한다. 단일 Current Mirror 설계에서는 2N7000 MOSFET을 이용하여 Vcc=VDD=10V, IREF=10mA인 전류원을 설계하고, PSPICE 시뮬레이션을 통해 전압, 전...2025.04.30
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MOSFET Current Mirror 설계 및 특성 분석2025.11.111. 단일 Current Mirror 설계 N-Type MOSFET 2N7000을 이용하여 10mA의 Reference 전류가 흐르는 단일 Current Mirror를 설계한다. Gate threshold voltage는 2.1V, on-stage drain current는 75mA이다. Saturation 영역에서 동작하기 위해 VDS > 0.09V 조건을 만족해야 하며, 출력저항은 ∆VDS/∆ID로 구한다. OrCAD 설계 및 PSPICE 시뮬레이션을 통해 VGS=2.34V, ID=9.808mA~10mA의 특성을 확인한다. 2....2025.11.11
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MOSFET Current Mirror 설계 및 특성 분석2025.12.111. MOSFET Current Mirror MOSFET을 이용한 단일 Current Mirror 설계 및 구현. 이론값과 측정값이 동일함을 확인하였으며, 저항값 변경을 통해 출력 전류값을 조절할 수 있음을 입증. 실험 결과 오차율이 1% 이하로 매우 낮았으며, 오차 원인은 breadboard 저항, 전선 저항, MOSFET 소자의 공정 차이(W/L 값 변화)로 분석됨. 2. Cascode Current Mirror Cascode 구조의 Current Mirror 설계 및 측정. 단일 Current Mirror와 동일한 실험 과정을...2025.12.11
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