
중앙대 전자회로설계실습 결과보고서8
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중앙대 전자회로설계실습 결과보고서8
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2024.07.05
문서 내 토픽
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1. 단일 Current Mirror 구현 및 측정단일 Current Mirror 회로를 구현하고 측정한 결과를 분석하였습니다. 설계한 대로 회로를 구현하고 전압을 측정하고 전류값을 계산한 결과 대부분 작은 오차를 보였습니다. 설계실습계획서에서 설계한 회로에 비해 실제로 구현한 회로에서는 channel length modulation에 의해 약간의 오차가 발생하는 것을 확인할 수 있었습니다.
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2. Cascode Current Mirror 구현 및 측정Cascode Current Mirror 회로를 구현하고 측정한 결과를 분석하였습니다. 실험 4.2에서 가변저항 조절 단자의 민감성에 의해, 측정한 저항값에서 오차가 발생하였고 이에 따라 계산한 Drain 전류값이 channel legth modulation에 의해 가 감소함에 따라 도 감소할 것이라는 예상과는 반대로 증가하였습니다. 따라서 를 통하여 계산한 출력저항은 오차가 클 것이라고 생각합니다.
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3. 출력저항 비교실험 4.1의 출력저항과 실험 4.2의 출력저항을 비교하였습니다. 실험 4.2의 출력저항이 더 커진 이유는 cascode 형태로 의 Source쪽에 이 연결되어있기 때문입니다. 따라서 의 이 작용함으로써 최종 출력 저항이 증가하게 됩니다.
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1. 단일 Current Mirror 구현 및 측정단일 Current Mirror는 가장 기본적인 전류 거울 회로로, 입력 전류를 복사하여 출력 전류를 생성하는 역할을 합니다. 이를 구현하고 측정하는 것은 아날로그 회로 설계에서 매우 중요한 기술입니다. 단일 Current Mirror는 간단한 구조로 인해 설계가 용이하지만, 출력 저항이 낮고 전류 전달 정확도가 떨어지는 단점이 있습니다. 따라서 이를 개선하기 위한 다양한 기법들이 연구되고 있으며, 이를 통해 보다 정밀한 전류 거울 회로를 구현할 수 있습니다.
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2. Cascode Current Mirror 구현 및 측정Cascode Current Mirror는 단일 Current Mirror의 단점을 보완하기 위해 개발된 회로입니다. Cascode 구조를 통해 출력 저항을 높이고 전류 전달 정확도를 향상시킬 수 있습니다. 이를 구현하고 측정하는 것은 고성능 아날로그 회로 설계에 필수적입니다. Cascode Current Mirror는 단일 Current Mirror에 비해 구조가 복잡하지만, 높은 출력 저항과 정확한 전류 전달 특성으로 인해 다양한 응용 분야에서 활용되고 있습니다. 따라서 Cascode Current Mirror의 구현 및 측정 기술을 습득하는 것은 매우 중요합니다.
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3. 출력저항 비교출력 저항은 전류 거울 회로의 성능을 결정하는 중요한 지표입니다. 단일 Current Mirror와 Cascode Current Mirror의 출력 저항을 비교하는 것은 이들 회로의 특성을 이해하는 데 도움이 됩니다. 단일 Current Mirror는 출력 저항이 낮은 반면, Cascode Current Mirror는 Cascode 구조로 인해 출력 저항이 높습니다. 이러한 차이는 각 회로의 전류 전달 정확도, 전압 이득, 대역폭 등의 성능에 직접적인 영향을 미칩니다. 따라서 출력 저항 비교를 통해 두 회로의 장단점을 파악하고, 응용 분야에 적합한 전류 거울 회로를 선택할 수 있습니다.
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중앙대학교 전자회로설계실습 8 MOSFET Current Mirror 결과보고서 (A+) 3페이지
2021.12.06· 3페이지 -
[A+] 중앙대 전자회로설계실습 결과보고서 8주차 MOSFET Current Mirror 설계 8페이지
전자회로 설계 및 실습결과보고서학 부전자전기공학부학 번조이 름실 험 일제 출 일담당 교수담당 조교설계 실습 8. MOSFET Current Mirror 설계1. 서론N-Type MOSFET을 이용하여 특정 Reference 전류가 흐를 수 있는 단일 Current Mirror와 Cascode Current Mirror를 설계 및 측정하여, current mirror를 이용한 전류원의 전기적 특성을 이해한다.2. 실험 결과각 실험에서 M _{`1}, M` _{2}의 V _{GS} , V` _{DS} `, I` _{REF} `,I`` ...2021.04.07· 8페이지 -
(22년) 중앙대학교 전자전기공학부 전자회로설계실습 결과보고서 8. MOSFET Current Mirror 설계 4페이지
설계실습 8. MOSFET Current Mirror 설계요약:10V의 Power Supply 전압을 인가하고 단일 MOS Current Mirror 회로를 구현해 transistor M1, M2의 VGS1, VGS2, VDS1, VDS2를 측정하고 IO와 IREF를 계산하였다. 여기서 M1이 diode-connected transistor이다. 측정 결과 VGS1, VGS2, VDS1, VDS2의 오차율은 각각 5.53%, 5.96%, 5.96%, 13.76%로 매우 낮아 PSPICE 시뮬레이션 결과와 거의 일치했고 IO, IRE...2023.02.12· 4페이지 -
[중앙대학교 3학년 1학기 전자회로설계실습] 결과보고서8 구매 시 절대 후회 없음(A+자료) 5페이지
이션 값이 10.363mA으로 오차가 4.6%로 미미한 수치가 나왔다. 그리고 식을 통해 출력저항을 구할 수 있었다.두 번째 실험에서는 Cascode Current Mirror회로를 통해 출력저항값을 증가시킬 수 있음을 알 수 있었다. 여기서도 의 측정값이 9.351mA, 시뮬레이션 값이 10.007mA으로 오차가 6.55%나왔고, 는 측정값 9.248mA, 시뮬레이션 값 9.952mA로 7.07%으로 잘된 실험을 하였다. 실제 회로에는 얼리전압이 있기 때문에 정확한 을 확인할 수는 없었다. 하지만 거의 차이가 없음을 확인하였다...2023.08.28· 5페이지 -
(21년) 중앙대학교 전자전기공학부 전기회로설계실습 결과보고서 8. 인덕터 및 RL회로의 과도응답 5페이지
설계실습 8. 인덕터 및 RL회로의 과도응답요약: 시정수가 10μs인 RL회로를 구성하기 위해 10mH 인덕터와 가변저항을 준비하고 가변저항의 저항을 DMM을 통해 1KΩ에 가깝게 조절한다. FG의 설정을 주파수가 10 KHz, 크기가 0.5Vpp, Offset값이 0.25V인 사각파로 설정하고 조정한 가변저항과 인덕터, 오실로스코프로 이루어진 회로를 구성하고 FG의 출력을 인가해 오실로스코프에 나타나는 결과를 확인한다. 시정수의 이론값인 10μs에서 저항에 걸리는 전압은 0.656V로 오차 3.797%를 보였다. 이 오차는 FG에...2022.08.22· 5페이지