MOSFET Source Follower 증폭기 설계 및 특성 분석
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[전자회로실험2]보고서6주차-MOSFET SF Amplifier
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2023.12.27
문서 내 토픽
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1. Source Follower (Common Drain) 회로Source follower는 MOSFET의 드레인을 공통으로 하는 회로 구성으로, AC 회로 변환을 통해 전압이득 A_V를 계산한다. 입력 임피던스 R_i는 R1과 R2의 병렬값이고, 출력 임피던스 R_o는 1/g_m과 R_S, r_o의 병렬값으로 표현된다. 이 회로는 버퍼로서의 역할을 하며 입력 임피던스는 크고 출력 임피던스는 작은 특성을 가진다.
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2. MOSFET 전압이득 및 임피던스 특성실험에서 측정된 전압이득 A_V는 0.942로, 이론값 0.99와 유사한 결과를 보였다. 입력 임피던스는 200kΩ과 100kΩ의 병렬값인 66.7kΩ이며, 출력 임피던스는 2N7000 트랜지스터의 g_m=100mA/V를 이용하여 9.933Ω으로 계산되었다. 이론값과 실험값의 차이는 R_S>>r_o 근사에서 비롯된다.
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3. 입출력 임피던스 계산 방법입력 임피던스는 R1과 R2의 병렬 조합으로 직접 계산된다. 출력 임피던스는 입력전압을 제거하고 출력에 테스트 전압 V_T를 인가하여 테스트 전류 I_T를 측정한 후 Z_T=V_T/I_T로 구한다. 이때 v_gs=0-V_T 조건에서 I_T=g_m·V_T+V_T/(R_S||r_o)로 표현되며, R_o=1/g_m||R_S||r_o 형태로 도출된다.
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4. 2N7000 MOSFET 특성 및 회로 설계실험에 사용된 2N7000 트랜지스터는 상대적으로 높은 상호컨덕턴스 g_m=100mA/V를 가지며, 200kΩ, 100kΩ, 15kΩ 저항과 10μF 커패시터를 이용하여 source follower 회로를 구성했다. 직류전원, 디지털 멀티미터, 오실로스코프, LCR meter 등의 장비를 활용하여 회로의 전압이득과 임피던스 특성을 측정 및 검증했다.
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1. Source Follower (Common Drain) 회로Source Follower 회로는 MOSFET 기반의 중요한 버퍼 증폭기 구조입니다. 이 회로는 게이트에 입력 신호를 받고 소스에서 출력을 제공하며, 드레인은 전원에 연결됩니다. 주요 특징은 높은 입력 임피던스와 낮은 출력 임피던스를 제공한다는 점입니다. 전압이득은 1보다 작지만 거의 1에 가까워 신호 손실이 적습니다. 이 회로는 임피던스 매칭, 버퍼링, 그리고 고임피던스 소스를 저임피던스 부하에 연결할 때 매우 유용합니다. 또한 우수한 선형성과 낮은 왜곡률을 제공하여 아날로그 신호 처리 응용에 적합합니다.
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2. MOSFET 전압이득 및 임피던스 특성MOSFET 회로의 전압이득과 임피던스 특성은 회로 구성에 따라 크게 달라집니다. Common Source 구성에서는 높은 전압이득을 얻을 수 있으며, 이는 상호컨덕턴스(gm)와 부하 임피던스의 곱으로 결정됩니다. 입력 임피던스는 매우 높아 신호원에 부하를 주지 않습니다. 출력 임피던스는 드레인 저항과 MOSFET의 출력 저항에 의해 결정됩니다. Source Follower에서는 전압이득이 감소하지만 입출력 임피던스 특성이 개선됩니다. 이러한 특성들을 이해하는 것은 효율적인 회로 설계와 임피던스 매칭에 필수적입니다.
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3. 입출력 임피던스 계산 방법입출력 임피던스 계산은 회로 해석의 핵심 요소입니다. 입력 임피던스는 신호원이 보는 회로의 임피던스로, MOSFET의 경우 게이트 임피던스는 매우 높습니다. 출력 임피던스는 신호원을 제거하고 출력단에서 보는 임피던스입니다. 계산 방법으로는 소신호 모델을 사용하여 등가 회로를 분석하는 방법이 일반적입니다. 상호컨덕턴스(gm), 채널 길이 변조 효과(λ), 그리고 외부 저항들을 고려해야 합니다. 정확한 임피던스 계산은 회로의 주파수 응답, 안정성, 그리고 신호 전달 특성을 예측하는 데 중요합니다.
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4. 2N7000 MOSFET 특성 및 회로 설계2N7000은 소신호 N채널 JFET으로 널리 사용되는 소자입니다. 낮은 누설 전류, 높은 입력 임피던스, 그리고 빠른 스위칭 특성을 가집니다. 일반적인 특성으로는 낮은 온저항, 작은 기생 용량, 그리고 우수한 고주파 특성이 있습니다. 회로 설계 시 게이트-소스 차단 전압(Vgs(off))과 드레인 포화 전류(Idss)를 고려해야 합니다. 2N7000은 스위칭 응용, 신호 게이팅, 그리고 저전력 증폭기에 적합합니다. 바이어싱 설계 시 안정성과 온도 변화에 대한 고려가 필요하며, 적절한 바이어싱 저항 선택이 회로 성능을 결정합니다.
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전자회로1 HSPICE 프로젝트: MOSFET 트랜지스터 특성 분석1. MOSFET 트랜지스터 특성 및 동작 영역 MOSFET의 Cutoff, Saturation, Linear(Triode) 영역의 특성을 분석했다. VGS-VTH=VDS 지점이 Saturation과 Linear 영역의 경계이며, VDS=VDD인 영역이 Cutoff 영역이다. HSPICE 시뮬레이션을 통해 V2 전압 변화에 따른 각 영역으로의 진입 시점을 ...2025.11.17 · 공학/기술
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MOSFET CS Amplifier 실험 보고서1. MOSFET CS Amplifier 회로 MOSFET을 이용한 Common Source 증폭기는 Saturation mode에서 동작하며, 드레인 전류가 게이트 전압에 의해 제어된다. CS Amplifier의 AC 등가회로에서 출력 전압은 v_o = -g_m v_gs(r_o||R_D)로 표현되며, 전압이득은 A_V = -g_m(r_o||R_D)(R_i...2025.11.18 · 공학/기술
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MOSFET 실험 3-Single Stage Amplifier 2_예비레포트1. Common Drain 회로 Common Drain 회로는 입력 신호가 Gate에 인가되고 Source에서 출력 신호가 나오도록 구성된다. Drain이 접지되어 입력과 출력에 공통 단자의 역할을 하므로 Common Drain 증폭기라 한다. DC Analysis를 통해 Gain을 얻을 수 있고 이를 T-Model 해석에 이용하면 Gain은 약 1이 된...2025.01.12 · 공학/기술
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아날로그 및 디지털 회로 설계실습 결과보고서1 초전형 적외선 센서1. 초전형 적외선 센서 초전형(Pyroelectric) 적외선 센서를 사용하여 회로를 설계하고 실험을 진행하였다. 센서에 +5V를 인가하고 Op-Amp에 +15V, -15V를 인가하여 회로를 구성하였다. 센서 위를 손으로 움직이면 출력신호가 증폭되어 나타났으며, 노이즈 제거를 위해 두 번째 Op-Amp 회로에 병렬로 10㎋의 커패시터를 연결하여 Low-P...2025.05.15 · 공학/기술
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[A+결과레포트 전자회로설계실습]8. MOSFET Current Source와 Source Follower 설계 10페이지
전자회로설계실습 결과보고서8. MOSFET Current Source와 Source Follower 설계담당 교수담당 조교제출날짜학번조이름1. 요약2. 서론3. 설계실습 내용 및 분석3.1 Current Source의 구현3.2 Current Source의 특성 검증3.3 Source Follower의 구현4. 결론1. 요약이번 실험에서는 NMOS를 사용하여 Current source를 설계, 구현하고 특성을 검증하였다. 또한, Source Follower를 설계하고 구현하였다.먼저, Current source를 설계, 구현 한 결...2020.11.26· 10페이지 -
서울시립대학교 전전설3 10주차 결과레포트(설계 성공적, A+, 코로나로 인한 시뮬레이션 실험, 하지만 이론 주석 깔끔) 9페이지
Post-Lab Report- Title: Lab#10 MOSFET Circuit (MOSFET Amplifier Circuit)담당 교수담당 조교실 험 일학 번이 름목 차1. Introduction (실험에 대한 소개)‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥ 3가. Purpose of this Lab ‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥ 3나. Essential Backgrounds (Required theory) for this Lab ‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥ 32. Resul...2021.03.20· 9페이지 -
NMOS와 Cascaded Amplifier(Common Source, Source Follower) 설계 24페이지
전자회로 1 프로젝트NMOS설계 조건 eq \o\ac(○,1) VDS= 2V 일 때 주어진 NMOS의 maximum transconductance(gm)가 5mS 이상이 되도록 M1을 설계하라. eq \o\ac(○,2) eq \o\ac(○,1)에서max transconductance를 얻을 수 있는 VGS를 인가한 상태에서 NMOS의 output resistance(ro)가 200 kΩ 이상이 되도록 M1을 설계하여라. (이 때 maximum gm은 어떻게 변하는가?) eq \o\ac(□,1) CITATION Beh \p 307-3...2021.06.13· 24페이지 -
소신호 드레인 공통 및 게이트 공통 FET 교류증폭기 실험 5페이지
소신호 드레인 공통 및 게이트 공통 FET 교류증폭기 실험16.1 실험 개요(목적)소신호 드레인 공통 및 게이트 공통 FET 교류증폭기의 동작원리를 이해하고, 직류 및 교류 파라미터를 측정하여 실제 이론값과 비교 고찰하며, 교류증폭기의 전압이득에 영향을 미치는 파라미터들에 대해 실험적으로 분석한다.※ 이번 실험에서 JFET은 다루지 않으므로 JFET 대신 MOSFET에 대한 원리와 이론 내용을 알아보도록 하겠다.16.2 실험원리 학습실MOSFET 요약MOSFET은 Source와 Drain 사이의 전자 이동 통로인 채널(Channel...2021.05.10· 5페이지 -
[결레] ch10 소오스팔로워와 공통게이트증폭기 10페이지
결과 보고서소오스 팔로워, 공통 게이트 증폭기과 목 : 전자회로실험담당교수 : 이강윤 교수님담당조교 : 송창훈 조교님이철호 조교님조 원 : 이준호 (2010314284)이수철 (2011313229)하길우 (2014312042)제 출 일 : 2016 . 11 . 174.0 실험결과4.1 실험 결과 정리4.1.1 소오스 팔로워 (실험 회로 1)그림 1)은 실험 회로1로 소오스 팔로워 즉, 공통 드레인 증폭기이다. 소신호에 대해서 1V/V의 증폭을 통해 Voltage Buffer, 혹은 Source Follower로 동작하는 특징을 가지...2016.11.21· 10페이지
