
A+ 전자회로설계실습_Common Emitter Amplifier의 주파수 특성
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A+ 전자회로설계실습_Common Emitter Amplifier의 주파수 특성
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2024.08.23
문서 내 토픽
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1. Common Emitter Amplifier의 주파수 특성이전 실험에서 설계한 emitter 저항을 사용한 Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 및 커패시터들의 영향을 측정하고 평가했습니다. PSPICE 시뮬레이션을 통해 다양한 조건에서의 출력 파형, 이득, 주파수 특성 등을 분석했습니다. 커패시터 값 변화에 따른 주파수 특성 변화를 확인했으며, 3dB 대역폭과 unity gain 주파수 등을 구했습니다. 또한 function generator 설정에 대해서도 설명했습니다.
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1. Common Emitter Amplifier의 주파수 특성Common Emitter Amplifier는 가장 널리 사용되는 트랜지스터 증폭기 회로 중 하나입니다. 이 증폭기의 주파수 특성은 다음과 같은 특징을 가집니다. 첫째, 낮은 주파수 대역에서는 입력 임피던스가 높고 출력 임피던스가 낮아 전압 증폭이 잘 이루어집니다. 둘째, 중간 주파수 대역에서는 전압 증폭률이 최대가 되며, 이 대역에서 증폭기의 주된 동작이 이루어집니다. 셋째, 높은 주파수 대역에서는 기생 커패시턴스의 영향으로 인해 전압 증폭률이 감소하게 됩니다. 이러한 주파수 특성은 Common Emitter Amplifier의 설계 시 고려해야 할 중요한 요소입니다. 적절한 바이어스 회로와 부품 선택을 통해 원하는 주파수 대역에서 최적의 성능을 발휘할 수 있도록 설계해야 합니다.
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중앙대학교 전자회로설계실습 예비7. Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 A+1. Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 이 실습에서는 emitter 저항을 사용한 Common Emitter Amplifier의 주파수 특성을 분석하였습니다. Rsig = 50Ω, RL = 5kΩ, VCC = 12V인 경우, β = 100인 BJT를 사용하여 Rin이 kΩ 단위이고 amplifier gain(υo/υin)이 100 ...2025.01.27 · 공학/기술
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[A+] 중앙대학교 전자회로 설계실습 결과보고서 7. Common Emitter Amplifier의 주파수 특성1. Common Emitter Amplifier 본 실험에서는 Common emitter amplifer의 주파수 특성을 측정하였다. 첫 번째 실험에서는 설계실습 06에서 2차 설계를 완료한 common emitter amplifer를 구현하고, Bias를 측정하였다. Bias가 PSPICE의 결과와 오차율 1% 정도의 정확한 값을 보였지만, 는 13.3...2025.04.29 · 공학/기술
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A+ 2022 중앙대학교 전자회로설계실습 예비보고서 7 Common Emitter Amplifier의 주파수 특성1. Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 이전 실험의 2차 설계 결과 회로(Ri 추가)에 대하여 모든 커패시터의 용량을 10 uF으로 하고 CE 증폭기에 100 kHz, 20 mVpp 사인파를 입력하였을 때의 출력파형을 PSPICE로 Simulation하여 제출하였습니다. 출력전압의 최댓값(V_max), 최솟값(|V_min|)은 각각...2025.05.01 · 공학/기술
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중앙대 전자회로설계실습 (예비) 7. Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 A+ 9페이지
전자회로설계실습 예비보고서(7. Common Emitter Amplifier의 주파수 특성)제출일 :3. 설계실습 계획서3.1 Common Emitter Amplifier의 주파수특성그림 1 Common Emitter Amplifier with emitter resistance* 모든 계산결과는 반올림하여 유효숫자 세 자리까지만 사용한다.(A) 이전 실험의 2차 설계 결과회로(Ri 추가)에 대하여 모든 커패시터의 용량을 10 uF으로 하고 CE증폭기에 100 kHz, 20 mVpp 사인파를 입력하였을 때의 출력파형을 PSPICE로 ...2022.04.09· 9페이지 -
[A+] 중앙대학교 전자회로 설계실습 결과보고서 7. Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 11페이지
본 실험에서는 Common emitter amplifer의 주파수 특성을 측정하였다. 첫 번째 실 험에서는 설계실습 06에서 2차 설계를 완료한 common emitter amplifer를 구현하고, Bias 를 측정하였다. Bias가 PSPICE의 결과와 오차율 1% 정도의 정확한 값을 보였지만, 는 13.3%의 큰 오차율을 보였고, 이는 [㎂]라는 매우 작은 단위 때문이라 생각하였다. 는 에 의존하므로 동일하게 큰 오차율을 보였다. maxmin는 2차 설계를 통해 을 연결하여 95%의 값을 기대하였지만, 86.1%...2023.02.06· 11페이지 -
[A+] 중앙대학교 전자회로 설계실습 예비보고서 7. Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 12페이지
1. 목적이전 실험에서 설계한 emitter 저항을 사용한 Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 및 커패시터들의 영향을 측정, 평가한다.3. 설계실습 계획서3.1 Common Emitter Amplifier의 주파수특성* 모든 계산결과는 반올림하여 유효숫자 세 자리까지만 사용한다.(A) 이전 실험의 2차 설계 결과회로( 추가)에 대하여 모든 커패시터의 용량을 10 uF으로하고 CE증폭기에 100 kHz, 20 mVpp 사인파를 입력하였을 때의 출력파형을 PSPICE로 Simulation하여 제출하라. 모든 ...2023.02.06· 12페이지 -
[중앙대학교 A+] 전자회로설계실습 Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 예비보고서 10페이지
1. 목적이전 실험에서 설계한 emitter 저항을 사용한 Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 및 커패시터들의 영향을 측정한다.< 중 략 >3. 설계실습 계획서3.1 Emitter 저항을 삽입한 Common Emitter Amplifier 설계(A) 이전 실험의 2차 설계 결과회로( Ri 추가)에 대하여 모든 커패시터의 용량을 10 uF 으로 하고 CE증폭기에 100 kHz, 20 mVpp 사인파를 입력하였을 때의 출력파형을 PSPICE로 Simulation하여 제출하라. 모든 node의 전압과 branch의...2022.04.19· 10페이지 -
[A+]중앙대학교 전자회로설계실습 Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 예비보고서 11페이지
3.1(d)의 결과를 보면, overall voltage gain=(-)15.8 V/V, 3 dB bandwidth = 16.3 MHz, unity gain Frequency = 247 MHz이다. 따라서 overall voltage gain의 최댓값, 3 dB bandwidth, unity gain Frequency 모두 차이가 거의 없다. 다만 저주파수 영역에서는 simulation 파형의 큰 차이가 존재한다. 그 이유는 CE를 0.1 μF으로 변경했기 때문에 즉, 3.1(d) 보다 CE를 100배만큼 줄였기 때문에 파형이 10...2021.03.09· 11페이지