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이력서, 입사지원서, 자기소개서 양식

이 력 서사진(3.5 X 4.5) 성 명 (한글) 주민등록 번호(한자) -(영문) 종 교생년 월일 양력 / 음력 (만 세)연 락 처 휴대 전화현 주 소 우편 번호 `E-mail학력 사항 재학 기간 학 교 전 공 소 재 지~~~자 격 증 종 류 취 득 일 발 행 지 경 력경력 사항 근무 기간 직 장 명 담당 업무가족 사항 관 계 성 명 생년 월일 직 업 학 력기타 사항 취 미 O . A 능력 상. 중. 하특 기 상. 중. 하병역 여부 상. 중. 하자 기 소 개 서성장 배경생활신조 및 성격의 장단점자신의 특기지원 동기 및 장래 포부입 사 지 원 서지 원 분 야 1지망 2지망 희망 근무지사진(3.5 X 4.5)성 명 (한글) 주민등록 번호(한자) -(영문) 연 령 만 세 성 별본 적현 거주지연 락 처 휴 대 전 화E-mail 국가보훈여부 ○ 대상 ○ 미대상학력사항 졸 업 연 도 학 교 ( 전 공 ) 명 성 적 구 분 소 재 지년 월 고등학교 -년 월 전문대학 학과 / 졸업년 월 대학교 학과 / 졸업/예정/편입년 월 대학교 학과 / 졸업/예정/편입년 월 대학원(석/박) 학과 / 졸업/수료/예정병역사항 군 필 여 부 면 제 사 유 병 과군 필 여 부 군 별 계 급자격사항 자격(면허)명 취 득 년 월 발 행 기 관 어학능력 외국어명 시험명 점 수 회화능력년 월 점 상 중 하년 월 점 상 중 하년 월 점 상 중 하사회봉사 기관(단체)명 활 동 기 간 활 동 내 용 전산능력 사용가능 프로그램 활용능력개월 상 중 하개월 상 중 하경력사항 근무기간 직 장 명 최 종 직 위 월급여 근 무 기 간 퇴 사 사 유

표준 이력서| 2008.10.21| 4페이지| 500원| 조회(1,289)

이력서, 입사지원서, 자기소개서 양식

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[Photolithography]Lithography

Fundamentals ofMICROFABRICATIONThe science of miniaturizationSecond EditionMarcJ.MadouChapter 1Lithography1. Photolithography Overview2. Critical Dimension, Overall Resolution, Line Width3. Lithographic sensitivity and Intrinsic Resist Sensitivity4. Resist Profile5. Contrast and experimental Determination of lithographic Sensitivity6. Resolution in Photolithography7. Photolithography Resolution Enhancement Technology8. Beyond Moores' Law9. Next-Generation Lithography10. Merging Lithography Technologies11. ExampleⅠ. Photolithography Overview포토공정은 IC산업에서 MASK위의 pattern을 film 위에 구현을 하고 그 film은 후속으로 barrier 역할을 한다. 아래 그림은 전반적인 공정 순서를 말하고 있다.1) Masks-wafer 위에 pattern을 구현하기 위한 모체가 되는 pattern을 반복적으로 사용할 수 있게 만든 평판으로 정의한다.-마스크는 음양에 따라서 Dark filed와 Light field 로 나눌 수 있다.-마스크는 종류에 따라 하드마스크와 에멀젼마스크로 구분할 수 있다.2.) Spinning Resist and Soft BakingK= overall calibration constantC= polymer concentration in g/100mL solution(농도)η= intrinsic viscosity(점성) 오메가= rotations per minute (rpm)-점성 및 농도가 클수록 두께는 두보통 polyimide를 사용하여 multi-chip 안의 전기적인 insulation막의 형성을 위해 쓰이는 PR이다.10) Glass transition temperature of a resist유리-전이온도라는 것으로 높은 온도에서는 액체와 비슷하고 낮은 온도에서는 고체에 가까운 현상을 나타내는 온도이다. 유리전이온도는 고분자에서 나타나며 유리전이온도 Tg이하에서는 고분자는 유리에 가까운 성질을 내며 Tg 이상은 rubber의 성질을 가지고 있다. PR의 경우 Tg 이상으로 가열을 해주면 현상 시 좀더 잘된다. 하지만 resist가 결정구조를 가지게 되면 높은 해상도를 구현하는데 문제가 된다.11) wafer primingWafer와 PR의 adhesion을 증대시키기 위한 방법으로 wafer에 HMDS을 coating한다.아래 그림은 HMDS가 Si 표면에서의 화학적 반응을 모식화한 것이다.12) Wafer cleaning 과 오염물질 (clean room)HMDS coating 전에 wafer를 cleaning 하는 방법을 소개하고 있다.보통 오염물질로는 장비와 operator의 먼지, 담배 미세분자, solvent 얼룩 등이 있으며 이것들은 나중에 공정에 큰 악영향을 초래한다. class1은 1foot(30.84cm) cubic에 들어 있는 0.5um 이하의 미립자가 1개정도 있는 상태를 말하며 class100은 0.5um 이하의 미립자가 100개 이하로 존재한다는 뜻이다.RCA1, RCA2, RCA 는 cleaning에 사용되는 chemical의 조합비를 나타내고 있다.RCA1은 organic dirt의 제거에 사용되며 RCA2는 metal ion 제거에 사용되고 RCA는 oxide제거 하여 wafer상태를 hydrophobic 하게 만든다. supercriticlal cleaning(초임계 클리닝)은 CO2를 이용한 cleaning으로 미세구조 사이에 있는 organic 과 inorganic의 오염물질 등을 cleaning 하는 방법이다.아래 그모식화한 것이다.ABA의 경우 Swelling 반응을 촉진시키는 물질을 이용하여 PR 윗부분을 부풀려 undercut profile을 만드는 방법이고 B는 화학적인 반응 즉, 열처리와 flood exposure를 통하여 Image revers를 나타낸 것이다.Ⅴ. 사진공정의 민감도의 실험적 결정 및 선명도사진공정의 민감도란 마스크 위의 pattern의 크기를 정확히 wafer상에 어느 정도 구현 할 수 있는지를 말해주는 수치인데 이것은 contrast와 직접적인 연관이 있다.아래 그림 A와 B는 각각 positive일 때와 Negative일 때의 노광에너지에 따른 image의 변화를 나타낸 것이다. 즉, 높이에 따라 노광에너지의 양이 많아짐을 알 수 있고 초기에 어느 정도의 노광에너지를 이상을 받아야 image의 변화가 일어난다는 것을 알 수 있다.positive resist에서의 contrast와 negative contrast를 수식으로 나타내면 아래와 같다.Ⅵ. 사진공정에서의 해상도(Resolution)1) 접촉과 근접 printing의 해상도해상도는 wafer 상에 구현할 수 있는 최소 pattern size를 말한다. shadow printing에서 발생되는 회절현상으로 실질적인 pattern의 모양은 달라지며 resolution도 떨어지게 된다.R = Theoretical resolutionbmin = half the grating period and the minimum feature sizetransferables = gap between the mask and the photoresist surface= wavelength of the exposing radiationz = photoresist thicknessResolution은 위와 같이 정의 되며 접촉형과 근접형일 때의 공식은 다음과 같다.ContactProximity2) Resolution with Self-aligned maskSelf-aligned mask 위의 pattern은 영구resist contrast의 의존도를 CMTF라 하며 그수식은 다음과 같다.만일 MTF에서의 feature size와 CMTF를 정확히 알고 있다면 최소선폭을 예견할 수 있다.7)Mathematical expressions governing resolution in projection printing이 과정은 투사형 인쇄에서 나오게 되는 NA의 조정으로 인한 resolution의 변화를 설명하고 있는데 결과적으로 NA를 크게 하는 것이 목적이다. NA가 1이라는 것은 lens에 들어오는 모든 광원이 들어오는 것을 말하며 0이란 것은 빛이 들어오지 않는다는 것이다. lens안으로 모든 빛이 들어와 투사될 때 가장 좋은 resolution을 구현할 수가 있다. NA의 식은 다음과 같다.lens size와 focus가 NA와의 관계식은 다음과 같다.결과적으로 NA를 증대 시킬 수 있는 것은 focus와 D로 나타낼 수 있다.또 아까도 말했듯이 resolution에 영향을 줄 수 있는 요인은 NA와 lens의 크기 말고도 빛의 가간섭 정도, 회절에도 많이 의존하게 된다.8) depth of focus이것은 좋은 line 크기를 구현 하기위해서 필요한 resist layer의 focus를 말하는 것으로 수식은다음과 같이 주어진다. 기존에도 말했듯이 λ는 줄여야 하며 NA는 크게 하는 것이 좋은 resolution을 구현하는데 필요하다.8) Mask alignment in projection printingmask와 wafer의 align을 위해여 mask와 wafer의 특정 구역에 align mark를 만들어 그것을 보고 alignment를 진행하게 된다.왼쪽 그림들은 align Marks 와 alignment 과정에서 나올 수 있는 여러 가지 결함 즉, 잘못 align에 의해 나올 수 있는 여러 가지 현상들을 나타내주는 그림이다.9) Mathematical expression for resist profile양성PR의 slope은 현상에서 주도적인 영향을 받게 되는 노광과 O2와 N2 상태에서의 Flood exposure의 과정을 통하여 PR 내부의 화학적인 반응을 무극성에서 극으로 변화시키는 과정을 나타낸다.C마지막으로 C 그림은 melanin이란 분자를 이용하여 PR을 광학반응에 의해 용매에 녹지 않은 상태로 변화시켜 현상액에 녹지 않고 단단하게 굳어지게 되어 image로 남게 되는 것을 나타낸다.3) three tone mask이것은 투명, 불투명, 선택적 투과 3가지 톤이 함께 있는 mask로써 이것을 이용하여 3차원 구조물을 제작할 수 있다. 예로써 cantilevered 구조물제작에 용이하다.4) Antireflective Coating(무반사코팅)(ARC)-Thin Film Interference Effect무반사코팅은 노광 시 발생 될 수 있는 여러 가지 현상을 막기 위하여 특히 간섭이나 standing wave 및 reflect notching 과 같은 현상을 줄일 수 있다. 방법은 resist에 특정 파장의 빛을 흡수할 수그림 2있고 특수 파장의 빛을 받아 분자 사슬구조로 전환 될 수 있게 고완 되어야 한다.그림 1그림 1은 일반적으로 PR에 노광을 하면서 나타날 수 있는 반사 효과들을 나타낸 그림이고 그림 2는 standing wave 효과에 대해 나타낸 그림이다. standing wave는 노광파와 반사파의 가간섭의 파장에 의하여 원하지 않은 부분에도 빛이 노광되는 것을 말한다. 이것으로 인하여 PR profile이 계단과 같은 모양의 pattern이 남을 수 있다.그리고 substrate 위의 메탈에 의해 reflective notching이라는 아래와 같은 그림에서와 같은 pattern이 남을 수 있다. 이러한 현상들은 나중에 exposure treatment 및 무반사코팅, SLR(ing-layer resist) MLR(multi-layer resist) 방법 등을 사용하여 줄일 수 있다.5) Thin Film Imaging in Single-Layer Resist - Top Surface I

공학/기술| 2004.04.07| 30페이지| 1,500원| 조회(1,631)

mems, 반도체공정, lithography, 사진공정

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[사진공정]사진공정(파워포인트 확실한 자료)

LithographyContents1. Photolithography Overview 2. Critical Dimension, Overall Resolution, Line Width 3. Lithographic Sensitivity and Intrinsic Resist Sensitivity 4. Resist Profiles 5. Contrast and Experimental Determination of lithographic Sensitivity 6. Resolution in Photography 7. Photography Resolution enhancement Technology 8. Beyond Moore's Law 9. Next-Generation Lithographies 10. Emerging Lithography Technology 11. Example1. Photolithography OverviewIntroductionSiliconSiO2Negative PhotoresistMASKPatternHardened ResistOxidationLithography PreparationExposureUnexposed Photoresist Removed by DeveloperSiO2 Etched with NH4F + HFExposed Photoresist Removed with H2SO4In the IC industry, pattern transfer from masks onto thin films is accomplished almost exclusively via photolithographyUV light1. Photolithography OverviewThe stencil used to repeatedly generate a desires pattern on resist- coated wafers is called a mask Types of MASK Hard surface MASK Made by Cr, FeO on glass Permanence, tolithographyResolution in Contact and Proximity Printing (Shadow Printing)R = Theoretical resolution bmin = half the grating period and the minimum feature size transferable s = gap between the mask and the photoresist surface = wavelength of the exposing radiation z = photoresist thicknessContact PrintingProximity Printinghttp://pem.kaist.ac.kr/bupe/workshop/Jung%20Hea%20Bin.PDF6. Resolution in PhotolithographyResolution with Self-Aligned MasksUse the pyrolyzed photoresist Offer superior resolution No chance to diffract between masks and substrate6. Resolution in PhotolithographyR= Practical Resolution k1= Experimentally determined parameter = Represents the wavelength NA= Numerical aperture of the imaging lens systemSurface imaging resists k1: 0.3 MLRs k1 : 0.5 SLRs k1 : 0.75 Surface aluminum k1 : 1.1NA of the lenses in Projection: 0.16~0.60The Rayleigh criterionThe Rayleigh criterion defines two incoherent light sources ,the intensity peak to the first zero of the intensity, separaN6Reversal completely by a subsequent flood exposureResistance swelling Dissolution by aqueous, organic solvent Stability to temperatures 300℃7. Photolithography Resolution Enhancement TechnologyBy using three-tone masks that have transparent, partial transmission (50%), and opaqueStepped (positive) structure Cantilevered (negative) structure7. Photolithography Resolution Enhancement TechnologyAntireflective Coating (ARC)-Thin Film Interference EffectWhen using single-layer resist (SLRs), the deleterious effects of thin film interference effects need to be overcome for good controlARC design element is for the cast film to absorb light very efficiently atspecific wavelengthsMixing of dyes with a polymer resin Design the polymer with molecularchain that intrinsically absorb lightStanding wave are formed in the resist as a consequence of coherent interference from reflecting substratesUsing Thinner resists 0.3um Using broadband illumination candecrease7. Photolithography Resolution Enhanen the mask and the wafercan be toleratedSynchrotron radiation comes close to being the ideal source because of its intensity, tunability, small sourcesize, and small divergence9. Next Generation Lithography (NGL)Charged-Particle-Beam LithographyThe computer-stored pattern is directly converted to address the writing particle beam enabling the pattern to be exposed sequentially, point by point,over the whole waferHigh current density, Small beam size - High resolutionScanning auger microscopySecondary ion mass spectroscopyReflection high-energy electron diffraction (RHEED)Microstructure failure analysisElectron-beam-induced metal depositionMaskless ion implantationCritical dimension measurementsMicrodeposition of metalsLow-voltage scanning electron microscopyMicromachining and ion millingNanoscale lithographyIon-beam applicationElectron-beam application9. Next Generation Lithography (NGL)Electron-beam LithographyElectron-beam lithography (EBL) is a high-resolution patterning technique ynthesisThe electric filed strength in the vicinity of a probe tip is very strong and inhomogeneous (say, a field of 2 VÅ-1 concentrated around the probe tipThis field can manipulate atoms, including sliding of atoms over surfaces and transferring atoms by pick(etase) and place(write)Parallel ProcessesPerpendicular ProcessesMechanosynthesisIn Parallel processes, adsorbed atom or molecule is induce to move along the surface (sliding)In perpendicular processes, the atom or molecule is transferred from the surface to the chip of a proximal probe or vice versa10. Emerging Lithography TechnologiesAtom Lithography or MechanosynthesisAtomic processing microscope, APM, they imaged selected atoms on a surface, stripped them off, and replaces them with other atoms10. Emerging Lithography TechnologiesVery Thin Resist LayersRadiation scattering during exposure of a resist limits resolution to no better than the resist thickness Using ever thinner resist layers further improves the resolution and row}

공학/기술| 2004.04.04| 85페이지| 1,500원| 조회(1,151)

photo, mems, 반도체공정, lithography, Photolithog..

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