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[반도체] cmos공정순서

2조 김남호 김민균 박성우 정대교 김우석1.Wafer CleannigP-Si(100)2.Initial OxidationTOX=600Å3.N-well Mask1)P/R Coating2)Mask 정렬3) 노 광4) 현 상5)Etching6)P/R Remove4.Thin OxidationIon주입에 대한 Buffering(완충)용5.Well ImplantationType=P31+ Energy=120KeV Dose=1x10¹² /㎠6.Well Dinve-In확산하기 위해서 온도를 높여준다 1100ºC 에서 N₂Gas만 넣고 600분정도 확산 1100ºC 에서 O₂Gas만 넣고 600분정도 확산7.Oxide stripOxide 제거하기 위해 HF(불산)용액을 쓴다8.Buffer OxidationTemp=1000 ºC TOX(두께)=450Å Gas=O₂9.Nitride(Si3N4) Deposition목적 선택적으로 Field Oxide성장시키기 위함 Temp=785 ºC Tnit(두께)=1600Å10.Active Mask1)P/R Coating2)Mask정렬 후 노광3)현 상4)EtchingDry etching-CF4+O2 GaS로 Si3N4를 제거5)P/R Remove11.Field OxidationNitride에는 O2 가 들어가서 확산을 잘 못하므로 그쪽은 산화막이 않생긴다12.Nitride Strip13.Buffer Oxide Strip14.Sacrificial OxidationTemp=1000 ºC TOX(두께)=450Å15.VTH ImplantationVTH(문턱전압)는 Tox와 채널 전압에 영향받음 Type=B+ Energy=40KeV Dose=1.5x10¹² /㎠16.Oxide Strip17.Gate OxidationTemp=950 ºC Gas=O₂ Time=30Min18.Poly-Si Deposition(증착)Temp=950 ºC TP-S(두께)=3500Å19. Poly-Si Doping도핑을 하게 되면 Poly-Si은20.Gate MaskGate 영역 형성21.N+ S/D Mask22.P/R Mask23.N+ ImplantationType=75AS+ Energy=40KeV Dose=50x10¹⁴/㎠ Self-align24.P/R Strip25.P+ S/D Mask26.P/R Mask27.P+ ImplantationType=29BF2+ Energy=40KeV Dose =30x10¹⁴/㎠28.P/R Strip29.Anneal약간의 열처리 Temp=950 ºC Time=30Min Anneal하는 이유? 이온상태(전기가 않흐르는 상태)를 Carrier상태(전기가 흐르는상태)로 만들어주기 위해 기판의 손상이나 데미지 입은 부분을 복구 시켜주기 위해30.ILD DepositionCVD공정으로 산화막(절연체역할) 증착 TEOS= 표면평탄화31.Contact MaskSilicon과 Metal을 Contact하기 위해32.Metal DepositionTAl(두께)=0.7㎛ Al=Al+Si(0.1%)33.Metal Mask34.Passivation Oxide 증착35.PAD Mask외부하고 연결할수 있도록 PAD영역을 OPEN{nameOfApplication=Show}

공학/기술| 2004.03.07| 45페이지| 2,000원| 조회(5,280)

반도체, 전자, 공정, CMOS, 순서

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