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[전자재료실험]MOS캐패시터 평가B괜찮아요

1. 실험 목표MOS를 직접 제작하고 공정을 이해하고, Dielectric 재료와 두께에 따른 MOS 특성 및 구동원리를 이해한다.2. 이론적 배경그림 1에 나타낸 바와 같이 p형 실리콘(Si) 표면에 2개소에 n+층을 형성하고, 그 위에 음성 전극을 붙여 한편의 전극을 소스(source), 다른 편을 드레인(drain)이라 한다.소스와 드레인 사이에 p형 Si의 상부에 절연층을 만들고, 그 위에 전극을 붙여 게이트(gate)라 한다. 이와 같은 구조를 한 것을 MIS(metal-insulator-semiconductor) 트랜지스터 또는 절연 게이트(insulated gate)형 트랜지스터라 한다. 절연층으로서 산화막()이 쓰이는 경우가 많으므로 MOS(metal-oxide-semiconductor) 트랜지스터라고 한다. MOSFET게이트에 전압을 인가하지 않을 때 반도체 표면은 p형으로 있으므로, 소스와 드레인 사이에 n+p n+구조로 전류가 거의 흐르지 않는다.그러나 게이트가 충분히 큰 정(+) 전위로 되면 절연층이 용량의 역할을 하므로 p형 Si는 바로 아래에 전자(p형에서는 소수 캐리어)를 모아 표면이 n형으로 반전하므로 n+n n+으로 되어 도전성을 갖는다. 전도형의 변화된 영역을 반전층(invertion layer)이라하고 도전성을 갖는 영역을 채널(channel, 이 경우는 n채널)이라 한다. n형 Si를 쓰면 p채널이 생긴다. 이 채널의 도전성은 게이트 전압을 바꾸면 변하므로, 이것을 전계효과트랜지스터 (FET : Field effect transistor)라 한다.충분히 큰 게이트 전압이 인가되어 있어 표면이 완전히 n형으로 반전되어 있는 경우 드레인 전류() - 드레인 전압()의 관계에 대해서 설명한다.낮은에 대해서 소스 ? 드레인 간의 채널 영역은 저항체와 같이-특성은 직선 관계를 나타낸다.가 증가하면 게이트와 n형 반전층 사이의 평균적인 전위차가 적게 되어 절연층에 걸리는 전계가 약해지므로, 반도체 표면에 유기되는 부(-)의 전하량이 감 증가시키면 드레인 전극 주변의 절연층에 걸리는 전압이 더욱 감소해서 반전층을 유지 할 수 없게 된다. 이 경우의 드레인 전압을로 나타내면, 이 전압에서 드레인 근처에서는 반도체 표면의 채널이 없어져 공핍층으로 된다. 이것을 핀치오프(pinch off)라 한다. 채널(반전층)의 단(점P)에 있어서 전위는 게이트 전압을 인가해서 그 점에서 반전층을 형성하는 데에 꼭 필요한 값으로 되고 있다.가 어느 값 ()을 넘으면가 증가했어도 그 대부분이 공핍층에 인가되어 반전층단(점 P)에 있어서 전위가 거의 변하지 않고, 단지 점 P 가 약간 소스 쪽으로 이동된 것뿐이다. 드레인 전류는 반전층을 흘려서 점 P에서 공핍층으로 날아드는 캐리어에 의해서 형성된다. 이 전류의 크기는 반전층의 소스단에서 점P까지의 전위차로 정해지고, 점 P는 약간 밖에 이동되지 않으므로가 변해도 거의 변하지 않는 포화치로 된다.이번 실험에서는 Source와 Drain을 만들지 못하고 Si위에와 Pt를 올려서 만들었고 그림은 다음과 같이 볼 수 있으나 원리는 MOSFET와 같다고 볼 수 있다.1) 산화공정(Oxidation)열 산화법은 산화층 내부와 SiO2/Si 계면에 결함을 거의 생성시키지 않는 방법으로서 우수한 특성의 절연막을 형성시킬 수 있는 기술이다. 이 기술은 산화 반응에 사용되는 기체의 종류에 따라 건식 산화(dry oxidation)법과 습식 산화(wet oxidation)법으로 구분되는데, 반응기체로 순수한 산소를 사용하는 경우를 건식 산화라 하고, 산소와 수증기의 혼합물을 사용하는 경우를 습식 산화라 한다.열 산화 공정은 일반적으로 수평 원통형 전기로 반응기에서 진행되고, 이때 반응기 시스템은 크게 네 부분 즉, 반응 기체들을 보관하고 공급해 주는 원료기체 캐비넷(gas source cabinet), 전원 공급장치와 석영반응기, 열전쌍(thermocouples), 가열코일 등을 포함하고 있는 전기로 캐비넷(furnace cabinet), 웨이퍼를 공급해 주는 공급 준비실(load 구성된다. 현재 실리콘 IC의 제조에 많이 사용되고 있는 산화 반응기들은 8인치 웨이퍼를 한꺼번에 200장까지 처리할 수 있는 능력을 가지고 있다. 산화 반응기 중심부의 온도 균일도(uniformity)는 400 ℃에서 1200 ℃의 범위에서 ±0.5 ℃정도로 유지되며, 반응기는 대부분의 경우 대기압에서 운전된다. 반응기 내의 유체 흐름은 층류(laminar flow)로서 산소나 수증기 등의 반응기체는 운반기체(carrier gas)에 섞여 기체 혼합물로 공급되며, 웨이퍼 근처까지 도달한 이후에는 주로 기체 및 고체 상태 확산에 의해 물질 전달되어 진다. 열 산화 공정은 반응공학적인 측면에서 볼 때 전형적인 기체-고체 반응(gas-solid reaction) 시스템이라 할 수 있다.2) 화학증착기상(CVD) 공정CVD법은 현재 상업적으로 이용되는 박막제조 기술 중 가장 많이 활용되고 있는 기술이며, 특히 IC의 생산공정에 있어서는 매우 중요한 단위공정이다. 그 이유는 화학기상증착이 높은 반응온도와 복잡한 반응경로 그리고 대부분의 사용기체가 매우 위험한 물질이라는 단점에도 불구하고 고유한 몇 가지 장점들을 가지고 있기 때문이다. CVD법의 장점들은 첫째 융점이 높아서 제조하기 어려운 재료를 융점보다 낮은 온도에서 용이하게 제조할 수 있고, 둘째 증착되는 박막의 순도가 높으며, 셋째 대량 생산이 가능하여 비용이 PVD법에 비해 적게 들고, 넷째 여러 가지 종류의 원소 및 화합물의 증착이 가능하며, 공정 조건의 제어 범위가 매우 넓어 다양한 특성의 박막을 쉽게 얻을 수 있을 뿐만 아니라, PVD법에 비해 훨씬 좋은 step coverage를 제공한다는 점 등이다.※ CVD 공정의 단계① 원료 기체 즉, 전구체들의 반응기 내부로의 도입과 기상에서의 균일 분해반응② 대류와 확산에 의한 기상 화학 종들의 기판 표면으로의 물질전달③ 막 전구체(film precursor)들의 기판 표면에의 흡착④ 흡착된 막 전구체의 기판 표면에서의 표면확산 및 탈착⑤ 불균일 표면반응에 의한으로의 이동3) Photo공정photo라는 말처럼 photo 공정은 사진과 원리가 비슷하다. 감광막이 입혀진 필름위에 셔터가 열리면 빛이 들어오기 된다. 그래서 필름위에는 셔터가 열렸을 때 피사체에 해당하는 빛이 들어오게 되는데, 필름위에 빛이 받는 부분과 안 받는 부분으로 나뉘게 된다. 빛이 받는 부분은 해당 부분의 감광막의 특성이 변하게 되어 나중에 현상액으로 현상을 하게 되면 그 부분이 지워지게 되어 패턴이 생기게 된다. photo공정의 process를 다음과 같이 볼 수 있다.1. wafer위에 photoresist(PR : 감광물질?Polymer, Solvent, Sensitizer의 세 가지 물질로 구성)를 Coating한다.(spin coating 공정)2. stepper나 mask aligner(노광장비)를 이용하여 패턴을 형성시킨다.① 노광장비에 wafer를 장착한다.② 원하고자 하는 패턴이 새겨진 photo mask를 wafer 위에 고정시키고 UV를 일정시간 조사시켜 준다.③ UV를 조사시키면 photo mask위에 패턴이 새겨져 있으므로 wafer에는 빛을 받는 부분과 받지 않는 부분으로 나뉘게 된다.④ PR의 종류에 따라 틀리지만, 빛을 받는 부분은 화학변화가 일어나서 특성이 변하게 된다.3. 이렇게 노광장비에 의해 노광되어진 wafer를 현상액(developer)에 일정 시간 담궈 주면 빛을 받은 부분의 PR이 제거되고 photo mask와 같은 패턴이 wafer에 새겨지게 된다.4) PVD(Physical Vapor Deposition)옛날부터 박막형성에 이용되어 온 방법으로서, 다른 방법으로는 할 수 없는 저온처리에 의해서 비교적 간단히 박막을 얻을 수 있기 때문에 표면경화의 한 수단으로 주목을 받고 있다. PVD에 해당하는 증착법에는 스퍼터링 (Sputtering), 전자빔증착법 (E-beam evaporation), 열증착법 (Thermal evaporation), 레이저분자빔증착법 (L-MBE, Laser Molecular Bposition) 등이 있다. 이 방법들이 공통적으로 PVD에 묶일 수 있는 이유는 증착시키려는 물질이 기판에 증착될 때 기체 상태가 고체 상태로 바뀌는 과정이 물리적인 변화이기 때문이다.산화물 반도체나 GaAs 등을 증착시킬 때 PVD 방법들은 그 화합물들을 우선 소결하거나 녹여서 고체 상태의 target으로 제조해서 열이나 전자빔으로 휘발시켜서 기판에 증착시키는 것이고 조금 더 복잡한 방법으로는 각각의 원료 물질을 cell (effusion cell)에 넣은 다음에 cell의 문을 열고 닫는 것으로 원료물질을 열, 레이저, 전자빔 등을 통해 기체 상태로 날려서 보내고 날아간 원료 물질이 기판에 닿았을 때 고체 상태로 변화된다. 이때 일단 기판에 붙은 물질의 화학적 조성은 기판에 도착한 기체상태의 물질의 조성과 같다.PVD는 증착시키려는 물질을 기체 상태로 만들어서 날려 보내는 것이므로 진공을 요구합니다.※ PVD의 Process① 증착 물질의 합성단계? 응축상에서 기상으로의 상전이(Phase Transition)? 화합물의 증착인 경우는 성분끼리의 화학반응② Source에서 Substrate로의 물질의 운송(Transport) 단계③ Substrate 위로의 기상의 응축후의 Film형태로의 핵생성과 성장3. 실험 방법1) Wafer를 건식산화를 해서 원하는 만큼의 산화막을 형성시킨다.(산화공정 -100A, 200A, 300A)2) ZrO₂를 조건에 맞게 ALD(atomic layer deposition) 한다.3) 포토공정① 실리콘 표면처리(HMDS)② PR 코팅- 저속 : 500rpm (5sec)- 고속 : 3500rpm (35sec)③ soft bake(PR curing)- 80℃ 1min (∵ PR(resin + solvent) solvent의 증발 → PR의 고형화)④ 노광공정(UV-exposure) - 8초⑤ 현상(development)⑥ hard bake4) Pt sputter 공정5) C-V 및 I-V 측정4. 결과 및 고찰1) C/V 그래프2 곡선

공학/기술| 2006.06.20| 8페이지| 1,500원| 조회(1,846)

photo, MOS, 산화공정, I-V, C-V

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[물리야금]2원계상태도 평가A+최고예요

1. 서론이번 실험인 Pb-Sn합금 2원계 상태도 작성은 Pb-Sn을 원하는 %만큼 무게를 재어 용융시킨 다음, 기전력을 이용한 열전대를 사용하여 응고 될 때까지의 온도를 측정을 한다. 측정한 그래프에서 녹는점을 알아내고, Pb-Sn의 분율 그래프에 그에 따른 녹는점을 찍어 Pb-Sn의 상태도를 그린다. 이 실험으로 상태도에 대한 전반적인 이해와 자유도와 Cold Junction에 대해 알아본다.2. 이론적 배경1) Gibbs 상률(자유도)상의 평형 조건을 통제하는 원리뿐만 아니라 상태도의 구성은 열역학 법칙에 기반을 두고 있다. 이 법칙들 중의 하나가 19세기의 물리학자 J. Willard Gibbs가 제안한 Gibbs의 상률(Gibbs phase rule)이다. 이 법칙은 평형계에 존재하는 상의 수에 대한 기준을 나타낸 것으로, 다음 식과 같이 표현된다.여기서, P는 존재하는 상의 개수이다.(상: 물리적, 화학적 특성이 균일한 계의 균질한 부분으로 정의할 수 있다.) 매개변수 F는 자유도의 수 (number of degrees of freedom), 즉 계를 정의하는데 규정되어야 할 외부의 통제 변수(ex: 온도, 압력, 조성)의 수를 나타낸다. 바꾸어 표현하면, F란 평형 상태에서 공존하는 상의 개수를 바꾸지 않고, 독립적으로 변할 수 있는 변수의 개수이다. 매개변수 C는 계의 성분 수를 나타낸다. 성분이란 일반적으로 원소 또는 안정된 화합물로, 상태도에서는 조성축의 맨 끝단에 위치한 재료이다.(Pb-Sn에서는 Pb와 Sn 즉, 2이다.) 마지막으로 N은 조성과 관련 없는 변수 (ex: 온도와 압력)의 개수이다.ex) Gibbs 상률을 순수한 물의 상태도에 적용하면 :① 삼중점에서 3가지 상은 평형상태로 공존하며, 계에 한 성분(물)이 있기에 자유도의 수는:P + F = C + 23 + F = 1 + 2∴ F = 0 (자유도)어떤 변수(온도 또는 압력)도 변화될 수 없고, 3상이 공존하는 삼중점은 불변점이다.② 액체 - 고체 응고선상에 있는 점을 생각하면 이 선상에 있는 점이라도 2상이 공존한다. 따라서 상률에 의하면:2 + F = 1 + 2 (C는 1, N은 2)∴ F = 1 (자유도 1)이 결과에 따르면 자유도가 1이므로 한 변수(T 혹은 P)는 독자적으로 변화할 수 있고 2개의 상이 공존하는 계를 유지한다. 특정압력이 규정되면, 액체나 고체 상 모두에서 공존할 수 있는 온도만이 남게 된다.③ 1상내에 물의 상태도에서 1면을 생각해보자. 1상만이 존재(P=1)하게 되고, 상률식에 대입하면1 + F = 1 + 2∴ F = 2 (자유도 2)이 결과에 의하면 두 변수(온도 그리고 압력)는 독자적으로 변화할 수 있고 이 계는 한 상으로 남게 된다.※ 실험에서 사용되는 2원 상태도는 온도와 조성의 상태도로, 압력은 불변하며 항상 1기압이다. 이런 경우, 다음과 같은 응축계의 상률을 가지게 된다.2) 열전대(Thermocouple)두 가지 쇠붙이를 길둥근 고리 모양으로 연결하여 열기전력을 얻는 장치로 열전대 원리에는 제벡효과(T.J. Seebeck Effect), 펠티어 효과(Peltier Effect), 톰슴 효과(Thomson Effect) 이렇게 3가지가 있다.① Seebeck Effect서로 다른 두 금속으로 폐회로를 구성하고, 양접점에 온도차를 주었을 때, 온도 차가 없으면 각 선 전위차가 없으나, 양단간에 온도차를 주면 양접점에는 접촉 전위차가 불평형이 발생하면서 저온측 접합점으로부터 고온측으로 열전류가 이동하게 되는 것이다. 이러한 현상을 이용 즉, 한쪽을 일정한 기준점으로 만들고 측정하고자 하는 고온측을 미지 온도차로 하면 측정하고자 하는 접속점의 온도가 변하면 미지의 온도에 대응되는 열기전력만을 정확히 측정함으로써 공업적으로 양측 변화측정이 아닌 온도측정 개념이 되는 것이다.그림1. Seebeck Effect② Peltier Effect서로 다른 2개의 반도체를 접속하여 연류를 인가하면 줄열 이외의 열이 접합부에서 열의 흡수가 일어나는 현상을 펠티어 효과라 한다. 열전반도체에 직류(Diret Current)를 흘려주면 전기적으로 직렬 열적으로 병렬로 된 열전쌍들로 구성되어있는 전자냉각모듈은 A부에서 열전 반도체 내로 흡열이 일어난다. 이때 흡열된 열은 에서 Carrier(음전하)를 갖는 자유전자, 정공(Positive hole)에 의해서 B부위로 이동하고 B 부위에서는 발열이 일어난다.즉, Heatsink 면은 열이 나고, 아래 냉각소자가 맞닿는 부분은 차갑다는 것이다.이러한 이유로 펠티어 효과를 이용해서 전기에너지를 열에너지로 변환할 수 있으며 냉각을 요구하는 모든 분야에 냉각방식을 적용하게 된다.그림2. Peltier Effect③ Thomson Effect톰슨 효과는 온도 기울기가 있는 도선상에 전류에 의한 열의 수송에 관한 효과로 동종 금속 내에서도 부분적으로 온도차가 있는 경우 그 곳을 흐르는 전류에 의해서 열을 발생 또는 흡수하는 현상을 말하며, 이 현상으로 인한 영향은 펠티어 효과보다 작게 나타난다.3) Cold Junction(냉접점)▶ CJR은 Cold Junction Reference : "냉 접점 기준점" 또는Cold Junction Resister : "냉 접점 보상 저항" 을 의미한다.▶ CJC는 Cold Junction Compensation : "냉 접점 보상" 을 의미한다.1) 열전대는 끝이 연결된 서로 다른 금속으로 구성되어 있다.2) 열전대의 접촉된 끝을 Junction (접합부)라고 부른다.3) 접합부가 가열되면 두개의 금속 사이로 전자가 흐른다. 이때 끝을 떼어 내어 즉, 두개의 금속을 분리하면 한쪽 끝은 양극(+) 또 다른 금속은 음극(-)으로 된다. 즉 각 금속은 다른 극성으로 충전되는 것이다. (제벡 효과)4) 접합 부분과 개방된 부분 사이의 온도차가 크면 클수록 금속 위의 전하는 크게 된다. 즉 두 금속간의 전위차가 커지게 되는 것이다.5) 접합 부분과 개방된 부분을 똑같은 온도로 열을 가하면 양쪽의 온도가 같아지고 두 금속의 온도차가 0℃가 된다.6) 온도가 결정되는 열전대의 부분은 ⓐ 측정 접합부 (Hot Junction), ⓑ 기준점(Cold Junction)으로 구분된다.7) ⓐ 측정 접합부의 온도가 일정하다면(예를 들면 항상 100℃ 라면) 열전대에 유기되는 전압은 ⓑ 기준점 온도에 따라 그 유기 전압의 크기가 좌우 된다, 즉 ⓑ 의 기준점 온도가 높으면(예를 들어 20 ℃ 라면) ⓐ측정 접합부 온도와 ⓑ의 기준점 온도와의 차이는 (100℃ -20℃ =80 ℃ )가 되어 원래의 100 ℃ 보다 작아지고 ⓑ의 기준점 온도가 0 ℃ 라면 ⓐ 와 ⓑ 의 온도차이는 (100℃ -0℃ =100℃)로서 측정 접합부 온도와 같은 100℃ 온도에 해당하는 크기의 전압이 유기되고 만일 ⓑ의 온도가 -20℃라면 ⓐ와 ⓑ 의 온도 차이는 (100 ℃ -(-20℃ )=120 ℃ )가 되어 ⓐ 의 접합부 온도보다 20℃ 가 높은 유기 전압을 발생시킬 것이다.8) 즉 열전대의 열 기전력(전압)은 ⓐ접합 부위 온도와 ⓑ기준점 온도의 차이에 의한 온도에 해당하는 크기의 전압을 발생시키는 것이다. (양단의 온도차가 크면 클수록 유기되는 전압은 크다.) 따라서 정확한 접합 부위의 온도를 알려면 ⓑ기준점(Cold Junction)의 온도를 일정하게 즉 0 ℃로 교정하여 측정할 필요가 있으나 이는 현실적으로 어려우므로 ⓑ기준점의 온도를 보상하여 주는 것으로 대신 하는 것 이 CJR기능 이다.9) 접합 부위의 온도가 100 ℃ 이고 기준의 온도가 20 ℃라면 열전쌍은 80℃ 에 해당하는 유기 전압을 발생할 것 이고 여기에서 다시 20℃ 에 해당하는 전압을 더하여 주면 100 ℃의 전압을 나타낼 수 있다. 이때 기준점의 온도를 검출하는 센서로서 측온저항체 (RTD) 를 이용 하는데 이것을 온도의 변화에 따라 저항 값이 변하는 저항체로서 CJR 이라 부른다.※ 실험에서는 Cold Junction을 물과 얼음을 같이 넣은 보온병에 넣었다. 즉, 물과 얼음이 공존하는 온도는 0℃이므로 냉접점(기준점)은 0℃이다.그림3. Cold Junction3. 실험 방법① 실험에 사용될 Pb와 Sn을 준비한다.② 무게를 측정 뒤 다음과 같은 함량의 합금을 만든다.SnPbSnPb100%0%50%50%99%1%30%70%97.8%2.2%18.3%81.7%80%20%10%90%61.9%38.1%2.5%97.5%0%100%③ 용기에 넣고 수직관상로에 넣는다.④ 로의 온도는 400℃로 맞추어 금속을 녹인다.(Pb의 녹는점이 327℃ Sn의 녹는점은 232℃이므로 둘 다 녹을 수 있는 온도인 400℃로 맞추어 용융합금을 만들기 위해)⑤ 유리관으로 저어 잘 녹았는지 확인하고 그 후 로의 Power를 끄고 유리관을 용기 중앙에 꽂는다.⑥ 유리관 속에 열전대를 꽂고 데이터이력 출력기를 실행하여 10초마다 온도를 측정 시간에 따른 온도의 그래프를 얻는다.그림4. 용기와 수직관상로그림5. 데이터이력 출력기4. 실험결과 및 토론1) 그래프 와 기울기가 변하는 온도① Pb 100% (324℃) ② Pb 97.5% - Sn 2.5%(210℃,204℃)③ Pb 90% - Sn 10%(317℃, 304℃) ④ Pb 81.7% - Sn 18.3%(308℃,212℃)⑤ Pb 70% - Sn 30% (279℃,207℃) ⑥ Pb 50% - Sn 50%(255℃,203℃)

공학/기술| 2005.09.27| 10페이지| 1,000원| 조회(1,960)

이원계상태도, 열전대원리, Gibbs상률, 깁스상률, 톰슨효과

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[표면공학실험] TiO2 광촉매 제조 평가A+최고예요

?TiO₂광촉매 제조?1. 실험 목적황산() 첨가에 따라가 어떻게 변하는지 관찰하고 인산()이 미치는 영향을 알아본다.2. 이론적 배경(1) 광촉매의 정의- 촉매란 자기 자신은 변화하지 않으면서 다른 물질의 화학반응을 촉진(정촉매)시키거나 지연(부촉매)시키는 물질을 말한다. 광촉매란 광(光)을 받으면 촉매 반응을 일으키는 물질이다. 광촉매중 이산화티타늄이 가장 많이 사용되고 있다. 이는 이산화티타늄이 내산성, 내알카리성 등이 좋으며, 각종 오염물질을 우리에게 무해한 물질로 변화시켜주는 친환경적 소재이다.(2) 광촉매의 원리광촉매 반응은 촉매가 빛에너지를 흡수하여 광화학 반응을 일으키는 반응을 의미하며 일반적인 열화학 촉매 반응과는 차이점을 가지고 있다. 또한 광촉매 반응은 빛에너지를 화학에너지로 전환시켜 이를 화학반응에 이용하는 것으로 진행시키려 하는 화학반응에 필요한 에너지보다 높은 에너지의 band gap을 가지는 반도체에 그 band gap 이상의 에너지를 갖는 빛을 쪼일 경우, 반도체가 빛을 흡수하게 된다. 이때 반도체가 흡수한 에너지의 량은 Planck의 식으로부터 구할 수 있다h = Planck constant (6.6256 x 10- 34J s / photon )c = speed of light (2.9979 x 108 m/ s )λ = wavelength of radiation (m)ν = frequency of radiation (s- 1 )이며 광자 1mol이 흡수한 에너지는 아래와 같이 나타난다.[ kJ / mole ] or [ kJ / einstein ]N0 = Avogadro' s number일반적으로 광반응에 사용되는 범위는 200nm에서 700nm이고, 이는 대략 600kJ/mol (or140kcal/mol)에서 70kJ/mol (or 40kcal/mol)이 사용된다. 이렇게 흡수된 에너지로 valance band로부터 전도띠(conduction band)로 전자가 여기 된다. 이 여기된 전자는 원하는 화학반응을 수행하기에 충분한 에너지를 가지게 되므로 표면관능기나 흡착물질로이동하여 반응물을 환원시킬 수 있게 되고, 그와 동시에 valance band 발생한 정공은 반응물을 산화시킬 수 있게 된다. 그리고 이 경우 전자의 이동으로 인해 전기장(electric field)이 형성되고, 이에 따라 반도체내의 표면부분에서는 전자띠 굽힘 현상(electron band bending )이 일어나는 공간전하층(space charge region)이 형성된다. 이와 같은 과정을 통해 형성된 전자(e- )나 정공(h+)은 다음의 3가지 반응 중 한 가지를 통해 소멸하게 된다.a)광촉매 반응Aa d s (흡착물질 A) + h+ → (Aa d s )+Ba d s (흡착물질 B) + e- → (Ba d s )-(Aa d s )+ + (Ba d s )- → 생성물b)격자의 변화h+ + 격자 → (격자)+(격자)+ → 격자반응 생성물c)전자와 정공의 재결합h+ + e- → 열에너지위 반응 중 (a)반응에 있어서는 생성된 전자와 정공이 최종적으로는 다시 결합한 경우이지만, 이미 흡수는 빛에너지는 반응의 활성화 에너지를 공급하는데 사용된 것을 나타낸다. 이때 반응에 사용된 반도체는 변화하지 않은 상태로 있게 된다. (b)반응의 경우를 보면, 반응에 사용되는 반도체 자신이반응의 진행함에 따라 변화를 일으키게 된다. 실제로 황화카드륨(CdS)과 같은 황화물계 반도체는 빛의 조사에 의해 수용액 중에서 쉽게 광부식(photocorrosion )을 일으키게 된다. (c)반응은 생성된 전자와 정공이 광촉매 반응에 참여하지 않고 직접 재결합(recombination )을 일으키는 경우로서, 광촉매 반응의 효율을 저하시키는 중요한 요인으로 작용하게 된다. 공간전하층에서 나타나는 전자 띠의 굽힘(bending )현상은 생성된 전자와 정공을 서로 반대 방향으로 움직이게 함으로써 궁극적으로 이러한 재결합을 방지하는 효과를 나타내게 된다. 불균일계 광촉매 반응에 이용되는 대표적인 반도체는 TiO2나 ZnO, CdS등을 들 수 있으며, 이 외에도 적절한 띠간격을 가지는 여러 가지 반도체가 사용될 수 있다. 불균일계 광촉매반응에 사용될 수 있는 반도체(촉매)들은 다음과 같은 조건을 만족해야 한다.a) 광학적 활성이 있어야 한다.b) 가시광선이나 자외선 영역의 빛을 흡수하여야 한다.c) 반응에 적당한 띠간격을 가져야 한다.d) 생물학적·화학적으로 비활성이어야 한다.e) 광학적으로 안정하여야 한다.f) 가격이 저렴해야 한다.(2) 산화 환원반응에서 광촉매로 쓰일 수 있는 반도체의 종류a)OR type : 산화력, 환원력이 수소와 산소를 방출하기에 충분히 강력한 경우로 SrTiO3 , TiO2 , CdS 등이 해당된다.b)R type : 단지 물을 환원시켜 수소를 방출하기에 충분한 환원력만을 가지고 있고 산화력은 매우 약한 경우이다.c)O type : 단지 물을 산화시킬 수 있는 강력한 산화력만을 가질 뿐 환원력은 매 우 약한 경우이다. WO3 , Fe2O2 , MoS2 , Bi2O3 등이 해당된다.d)X type : 원자가 띠와 전도띠가 O2/H2O와 H+/H2 준위 사이에 위치하여 산화력, 환원력이 모두 약한 경우이다이와 같이 반도체의 원자가띠 및 전도띠의 위치와 전자를 주는 것(electron donor ) 또는 전자를 받는 것(electron accepter )으로 작용하는 반응물질의 산화전위(oxidation potential) 혹은 환원전위(reduction potential)의 상대적인 위치가 열역학적으로 매우 중요하다. 전기 화학적으로 반도체의 전도띠의 위치가 환원시키려는 물질의 환원 전위보다 높아야 하고, 원자가띠의 위치는 산화시키려는 물질의 산화전위보다 낮아야 한다. 따라서 반도체의 띠간격이 클수록 산화 환원반응에 대한 구동력(driving force)이 커지므로 반응에 유리하다고 할 수 있다.그러나 일반적으로 반도체의 띠간격이 너무 크게 되면 그만큼 높은 에너지를 가지는 빛만이 반응에 쓰일 수 있게 되므로 광촉매 반응이 궁극적으로 태양광의 이용을 지향하고 있음을 감안한다면 에너지적인 측면에서는 바람직하지 못하다고 할 수 있다. 이러한 난점을 해결하기 위하여 Fe3 + , Cr3 + , Li3 + , In3 + , W6 + , Nb5 + 등 여러 가지 금속이온을 반도체에 혼입(doping ) 하는 방법이 최근 많이 연구되고 있으며. 이러한 금속이온의 혼입은 반도체의 Fermi 준위를 변화시켜 전자띠 굽힘 현상을 심화시킴으로써 전자 정공의 재결합을 억제[9]하는 효과도 있는 것으로 알려져 있다. 그러나 아직까지는 혼입의 효과에 대한 확실한 정설은 없으며, 반응에 따라 상반된 효과를 보이는 경우도 많이 있어서 그 효과를 예측하기는 매우 어렵다.이외에도 보다 높은 효율을 얻기 위하여 Ru, Ni, Pt 등의 금속 또는 금속산화물을 반도체에 담지 하여 사용하는 경우가 많은데. 이러한 금속 또는 금속산화물의 담지는 촉매표면에서 전자 혹은 정공의 전달을 용이하게 하여 반응성을 증대시키는 효과가 있는 것으로 알려져 있다광촉매 반응의 메커니즘은 광촉매 반응의 광효율성과 표면에서의 흡?탈착이 중요한 요인으로 작용하여 결정되며, 전자와 정공을 주고받음으로써 라디칼이 생성되어 반응에 관여하는 경우가 많다.(3) TiO2의 특징TiO2는 광부식이나 화학적 부식에 대해 안정하며 인체에 무해하고 가격이 저렴하다는 경제적인 강점을 가지고 있다. 뿐만 아니라 산화물 반도체의 광산화 반응 활성도에 있어서도 TiO2(anatase) > TiO2(rutile) > ZnO > ZrO2> SnO2> V2O5의 순으로 알려져 있고, 그 각각의 경우에 있어서도 제조방법에 따라 다소 활성의 차이가 나타나는 것으로 알려져 있다.a) TiO2(rutile)몇몇 반도체는 산, 염기에 대하여 화학적으로 매우 불안정하여 광촉매로 쓰이기에는 부적절하다. 또한 반도체 격자 내에 생성된 전자와 정공은 때로 격자를 이루는 양이온이나 음이온과 반응하여 반도체를 광화학적으로 부식(photocorrosion)시킨다. 이러한 점에 있어서 반도체 광촉매로 가장 널리 쓰이고 있는 이산화티타늄(TiO2)이 다른 반도체 물질에 비하여 월등하여 화학적, 광화학적으로 매우 안정하다. TiO2(rutile)> ZnO > ZrO2 > SnO2 > V2O3 의 순으로, TiO2가 가장 큰 활성도를 보이고 있다. 이러한 여러 가지 측면에서 TiO2는 광촉매로서 우수한 특성을 지니고 있어 현재까지 가장 광범위하게 사용되고 있고 실제적 응용 측면에서는 TiO2가 거의 유일한 광촉매로 인식되고 있다. TiO2는 실험실에서 ol-gel 법에 의해 비교적 손쉽게 합성될 수 있다.(4) 응용분야① 대기정화광촉매가 코팅된 물질과 UV Lamp을 조합하여 대기 중 오염된 유기 화합물을 산화 분해하여 무해한 물과 탄산가스로 변화시킨다.(예 :다이옥신처리 System, SOx 처리 System, 대기정화 System)

공학/기술| 2005.09.27| 8페이지| 1,000원| 조회(1,608)

광촉매, TiO2, 황산첨가, 인산첨가

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[표면공학실험] 기공성양극산화(Al)

?기공성 양극산화(Al)?1. 실험 목적전해연마와 양극산화를 한 후 피막생성을 관찰하고, 전압의 변화에 따른 피막의 변화를 관찰한다.2. 이론적 배경※ 전해연마란?적당한 산 또는 알칼리용액 중에서 피처리재를 양극으로 하여 전해하고, 생성된 아노드용액에 의해 표면을 평활하게 하는 방법이다. 즉, 제품을 적당한 전해연마액 속에 넣어 도금할 때와는 반대로 제품을 양극으로 해서 음극에 납, 스테인레스판, 탄소봉 등을 사용하여 전류를 통과시킨다. 이 때 제품은 서서히 용해하여 용해된 금속염에 의해 금속이온이 축적하여 양극피막이 생성되기도 한다. 오목 부분은 금속이온의 이동과 확산이 적어 그 양이 많아져 전기가 잘 통하지 않으며 양극피막의 파괴도 잘 일어나지 않아 용해가 잘되지 않는다. 볼록한 부분은 금속이온이 얇기 때문에 전기가 집중적으로 통해서 볼록부분의 금속만이 용해하게 되며 따라서 평활하게 된다. 전해연마는 스테인레스, 알루미늄, 구리 및, 구리합금, 철강의 작은 물건 등에(주방기구, 건축자제, 공업용품, 전해콘덴서) 많이 사용된다. 전해연마에 사용되는 전류는 직류와 교류가 있으며 때로는 직류와 교류를 동시에 흘리는 경우도 있는데 일반적으로는 직류만을 사용하고 있다.이 방법은 기계적 연마법과 달리① 가공변질층(Bailby layer)가 생기지 않고② 연마재의 숫돌입자나 유지에 의한 요염이 없고③ 복잡한 형상을 갖는 시료도 용이하게 연마할 수 있다는 장점이 있지만, 이 반면에① 비교적 큰 요철을 제거하기는 곤란하고② 표면의 화학조성(불순물) 및 결정조직이 연마효과에 영향을 준다.는 결점을 갖는다.※ 양극산화(옥살산 법)양극산화법(anodizing)은 일반적으로 Al을 위주로 하므로 Al의 양극산화법을 말하기도 한다. 일본에서는 이것을 알루마이트(alumite)라고도 하며 원래는 교류 옥살산 법을 말했으나, 현재는 직류 황산양극산화법도 알루마이트라고 한다. 금속 또는 실리콘 같은 반도체 등을 적당한 전해액 속에서 양분극 처리해 주면 표면에 산화물피막이 생성되는데 이러한 산화물층은 매우 치밀하고 견고하여 내부의 금속을 보호해 주며 이러한 보호성의 산화막 또는 부동태막을 얻는 것을 양극산화라고 한다. Al피막(AlO)은 투명 또는 반투명으로 내식성이 뛰어나고 다공질이어서 여러 가지 색으로 염색할 수 있으며 Al의 순도가 높을수록 아름답고 광택이 좋은 피막을 얻을 수 있어 공업용은 물론 장식용으로도 많이 사용되고 있다.또한 교 ? 직중첩법을 사용하면 양호한 성능을 얻을 수 있게 된다. 합금의 경우 염색에는 황산피막이 더 좋으나 옥살산 알루마이트법이 손쉽고 예비탈지가 필요 없으며 광택도 황산법보다 좋으므로 황색의 일반용에는 주로 이 방법을 사용한다. 옥살산법에는 세 가지 방법이 있는 데 이들을 비교해보면 과 같다. 옥살산의 농도는 통상 1~5%를 사용하며 고속피막생성을 위해서는 10%까지도 사용된다. 옥살산의 소모량은 1Ah당 0.13~0.14g 정도이며 0.08~0.09g의 Al이 용해되어 혼입되며 옥살산 양이 감소되므로 작업 중 보충해주어야 한다.표 1. 옥살산법의 종류3. 실험방법1) 전처리① 두께 300, 2.5*4Cm 시편을 준비한다.② 1M용액에 침지(3분)③ 수세(DIwater)④ 건조(다음 용해액에 물이 들어가는 것을 방지하기 위해)⑤ 30%용액에 침지(3분)⑥ 수세⑦ 건조2) 전해연마① 20%용액 안에서의 전압을10℃ 이하에서 3분간 걸어준다.② 수세③ 건조3) 양극산화① 0.3M용액 안에서 양극산화②에각각의 voltage를 걸어준다.③ 0℃ 유지 1시간동안 실시한다.※ 실험 시 유의사항① 1M용액만들 때물에 10g의를 녹인 후를 맞추어 교반기를 사용하여 녹인다. (중화 반응 시 약한 것 먼저 넣음)② 실험에서 각종 산을 사용하기 대문데 polyglove 항상 착용.③ 물을 사용함에 있어서 탈이온수(DIwater) 사용한다.4. 실험결과(1) 전압세기에 따른 산화피막 표면의 변화(2) 전압과 전류와의 관계(3) 전압에 따른 Cell의 밀도일정한 구간을 잡아() 개수를 세어 시편의 면적에 비례 했을 때 얼마인지 구한다.1) 20V 일 때※에 있는 Cell의 평균 개수1회2회3회평균Cell의 개수(개)119121118119∴ x =개※ Cell의 밀도 (Cell의 개수/면적())2) 30V 일 때에 있는 Cell의 평균 개수1회2회3회평균Cell의 개수(개)54565956∴ x =개※ Cell의 밀도 (Cell의 개수/면적())3) 40V 일 때에 있는 Cell의 평균 개수1회2회3회평균Cell의 개수(개)35333334∴ x =개※ Cell의 밀도 (Cell의 개수/면적())5. 고찰(1) 전압과 전류와의 관계아노다이징 전해액 중에서 Al을 양극으로 하여 전류를 통하면 순간적으로 산화피막이 형성되어 전해 전압이 증가하다가 생성산화물이 우선적으로 용해된 부분으로부터 미세공이 형성되게 되므로 전해전압은 다시 감소되어 최고치 전해전압을 갖게 되고 미세공이 형성된 이후에는 산화물의 생성량과 전해액에 의한 용해량이 거의 같게 되므로 거의 일정한 전해전압을 유지하게 된다. 미세공이 형성된 이후에는 전류가 미세공을 통해서만 흐르게 되므로 이 부분을 중심으로 산화물이 생성되어 6각주형의 셀이 형성되고 각 셀의 중앙에 미세공이 존재하게 된다. 이러한 Al의 양극산화의 시간 경과에 따른 전류와 전압의 변화와 베리어층으로부터 다공질 피막의 변화 사이의 관계는 다음과 같다.Al의 양극산화시 시간경과에 따른 베리어층의 변화를 통해 a, b, c, d 영역으로 놓을 수 있다. 전류값이 급격히 감소하는 a 영역에서는 Al상에 균일하게 엷은 베리어층(활성층)이 생긴다. 더욱 양극산화가 진행되면 전류의 값이 완만히 감소하게 되는 b 영역에서는 베리어층이 체적팽창으로 산화피막층이 요철 표면이 된다. 이와 같이 표면이 요철이 되면 전류밀도가 균일하지 않고 ┻ 부에서는 전류밀도가 크고 ? 부에는 전류밀도가 작다. 전류의 값이 증가하는 c 영역에서는 전류밀도가 크면 전장의 작용과 전해액의 용해작용 때문에 미세한 구멍이 생기게 되며 시간의 경과에 따라 미세공의 새로운 생성은 없이 일정하며, 이들 미세공은 더욱 깊어진다. d 영역에서는 미세공을 통해서만 전류가 흐르게 되므로 전류의 값이 일정하게 유지된다.

경영/경제| 2005.09.27| 7페이지| 1,000원| 조회(810)

양극산화, 전해연마, 옥살산법, 기공성

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현대기업의 특징

현대기업의 특징, 문제점을 알기 위해서는 현대기업은 무엇인가에 대해 우선 알아야한다. 현대기업이란, 소비자만족 최대화를 통하여 이익최대화 등 기업/회사목적들을 최대한 달성하는 데 궁극적 목적을 두고서, 자유시장경제체제의 테두리 속에서 국내외비지니스 환경변화를 고려하고 또한 국가 시스템의 게임규칙과 기대에 맞추어서, 기업/회사자원을 소싱하고 제품과 서비스로 변환시키는 등의 기업/회사 경영활동을 합법적?윤리적 행동과 융합시키는 주체라고 정의 된다.그렇다면 현대기업이 추구하는 목적은 무엇인가?현대기업이 추구하는 목적을 한마디로 표현하라면, 그것은 당연히 이익의 최대화일 것이다. 현대기업의 소유권자들(개인소유자들, 합명회사 파트너들, 주식회사 주주들 등)은, 그들이 비즈니스에 투입한 투자에 대한 정당한 보상으로서 이익을 최대화해야만 하고, 기업의 생존 여부 역시 비즈니스 퍼포먼스에 따라 나타나는 이익성/수익성의 정도에 달려 있기 때문이다.그런데도 많은 한국기업들은(특히 대기업과 기업그룹들) IMF 사태가 발생하기 이전까지는, 이익성?순이익?현금유동성 등 기업이 추구해야 하는 참뜻의 기본 목적들 보다는, 매출액?시장점유율?비핵심분야로까지의 경영다각화?자산규모?계열사 수?종업원 수?본사빌딩 크기 등 외형지향적 목적들을 경쟁적으로 더욱 강조하는 경향을 보였다.그러다가 IMF 사태 발생 이후에 한국기업들은 외형지향적 기업목적을 추구하는 것이, 당연히 추구해야 하는 참뜻의 기본 목적들과 정면으로 배치되고, 따라서 기업을 망치는 확실한 지름길임을 뒤늦게 깨닫게 되었다. 그렇게 잘못을 깨달은 이후에야 특히 중대규모의 한국기업들을 중심으로 구체적 목적들을 포함한 복수목적들을 추구하는 경향이 급증하고 있다.? 기업이 추구해야 하는 복수목적들1) 핵심목적은 이익성/이퀴티자본회수의 최대화로 회사이익최대화-> 소비자/고객들을 만족시킴으로써, 회사이익성/이퀴티자본회수의 최대화를 통한 회사이익의 최대화이다. 그것도 단기최대화보다는 장기최대화를 목적으로 삼아야 한다. 이렇게 해야 하는 논리적 , 즉, 흐름을 알아야 한다. 우선 한국기업의 확장기 즉, 5개년 경제개발이 시작된 1962년부터 살펴보도록 하자.1)확장기 (1962~1986년)이 기간의 한국기업 성장과정은 1962년, 5?16군사 쿠데타로 등장한 군사정권주도로 수립?집행한 일련의 5개년 경제개발 계획들과 밀접한 관련이 있다. 그런 계획들에 따라 정부는 경제개발촉진을 위하여 중점적으로 육성할 산업을 선정하여 집중 지원하는 경제정책을 집행했다. 이정책의 집행은 현대적 한국기업의 전반적인 성장을 그리고 대기업들의 비관련 비즈니스다각화(비관련 업종으로의 다각화)를 가속화시키는 계기를 마련해 주었다.구체적으로, 정부는 1960년대 제 1,2차 경제개발계획에서 그 당시로서는 경제성장에 가장 필수적이었던 기간시설인 사회간접시설과 경공업등의 산업을 중점 육성산업으로 선정했다.그렇게 선정하자, 대기업들이 건설?시멘트?철강?제당?섬유?비료?전자?정유 등의 업종에 대거 진출하는 계기를 마련해 주었다. 기업들의 입장에서도 그런 업종분야들로의 진입허가를 정부로부터 따내는 것은, 대단한 이권이면서 대규모기업/기업그룹으로의 성장?발전을 정부로부터 보장받는 것이나 마찬가지이었다.1960년대 중반부터의 월남파병을 계기로 군수물자와 관련된 제조기업들과 운송기업들이 성장하게 되었고 월남의 군사시설공사 증가로 건설업체들은 해외경험을 쌓으면서 해외건설업체로 성장하게 되었다. 1970년대 제 3,4차 경제개발계획에서 정부가 국가안보?수출진흥?중화학공업육성을 중점목표로 삼자, 대기업들은 프로젝트에 따라 자의반 타의반으로 석유화학?조선?중공업?방위산업 등 신규사업분야로 다각화 진입하게 되었다. 1970년대에 2번의 오일쇼크가 있었지만 중동붐을 잘 이용하고 정부의 강력한 수출드라이브 정책으로 인한 수출증대, 석유가격을 대폭 하락시킨 역석유위기로 인해 국내외비지니스환경을 호전시키는데 기여했다. 그럼으로써 한국기업이 전반적으로 재도약할 수 있는 하나의 계기를 마련해주기도 하였다.1962~1986년 기간중에 한국기업은 전반적으로 급성장을여) 정부는 정책적으로 조속성장시키려는 산업분야기업들에 대하여 투자자원을 선택적으로 배분하여 집중투자, 외국의 차관과 기술도입에 의존한(관치적 성격이 짙어서 부정부패의 소지가 많았던)기업성장을 통한 경제성장, 해외시장지향적 수출위주 기업성장을 통한 경제성장, 대기업에 대해서는 수출목표 부여, 중화학공업 진출지시 등을 하고서, 그 달성/실천실적과 비교하여 포상과 응징하는 정부규율 집행하는 특징이 있었다.(2)조정기(1987~1997년 IMF관리체제로 전락 직전까지)조정기에 접어들면서, 한국기업이 안고 있는 문제들이 노출되기 시작하였다.① 일시적 호재인 3저현상->1980년대 중반 이후부터 저금리, 저유가, 저환율이라는 이른바 3저현상이라는 호재를 맞았다. 그에 따라 수출 증대로 1986년에 역사상 최초로 무역 흑자를 기록했으나 이 시기부터 성장한 한국기업은 국내외의 외부차입자금에 크게 의존해 온 과거방법에서 탈피하려 노력하였지만 이미 누적되어온 한국기업의 문제점들과 합쳐져 밖으로 노출되기 시작했다.② 여타 신흥공업국 등에 비한 수축경쟁력 약화시작->1980년대 후반에 접어들면서부터 선진국들의 보호무역주의 강화, 대만?홍콩?싱가포르 등과의 경쟁격화, 말레이시아?태국?인도네시아 등 후발 신흥공업국들의 추격 등에 당면하게 되었으나 한국기업은, 여전히 풍부하고 저렴한 노동력에 과다의존하면서, 국제경쟁력강화 등 대응책 강구를 게을리했다.③ “민주화 물결”로 임금상승 및 폭력적 노동분규의 심화-> 1987년도를 전환점으로 민주화 물결이 거세짐에 따라 잠재되어 있던 부의 배분문제와 열악한 작업환경이 빈번한 폭력적인 노동분규의 양상으로 표출되면서, 한국기업은 임금의 급상승?생산성 저하?빈번한 생산중단?빈번한 국내공급 및 수출납기 지연 등 그 이전까지는 경험하지 못했던 새로운 국면의 경영문제에 당면하게 되었다.④ 3D기피현상 확산에 따른 노동력 부족과 임금의 지속적상승-> 민주화 물결로 3D기피현상(dangerous, difficult, dirty work를 기피하는 현상)을 용으로서, 관치의 중대한 일부로서 특히 기업들에 대한 과다규제를 수반하여, 관료부패비용 지출?정치자금 강탈?뇌물과 떡값 지출 등 기업들이 지출?부담하는 관료비용 한 가운데서, 정부행정능률은 반비례적으로 증가적으로 하락했다. 이런 정치권은 한국경제와 한국기업에 악영향을 미치는 고질적 병폐인 고비용저효율구조중에서 고비용의 관료비용증대 측면에서 그리고 저효율의 행정능률하락 측면에서 부정적 기여를 가중시켜 한국기업을 포함한 한국 전체의 세계경쟁력 약화현상을 심화 시켰다.⑥ 정부는 기업규제를 오히려 강화하고, 기업인을 악당 취급-> 대통령들이 바뀔 때 마다 기업에 대한 규제를 대폭 완화하겠다는 말만 되풀이하면서, 일명 기업 길드리기 식의 규제를 한층 강화하는 시도를 계속했다. 결과로 고비용저효율구조를 심화시켜 세계경쟁력을 더욱더 약화시키는 현상을 초래했다. 그리고 기업들의 부정부패를 척결하겠다면서 기업그룹 회장?대기업 최고경영자 등 기업인들을 정경유착?세금포탈?뇌물공여 등을 내세워 조사해 악당으로 몰면서 정부의 말을 잘 듣도록 길들이기를 한 다음에 대부분 풀어줬다. 이런식으로 국내기업인들이 비즈니스 의욕을 상실하게 되었다.⑦해외여행, 사치품수입 등의 급증으로 무역수지, 국제경상수지 지속적 악화-> 해외여행 범람과 사치품 수입의 급증 등은, 결과적으로 한국의 무역수지와 국제 경상수지를 악화시키는 역할을 했다. 이렇게 외환유출이 오랫동안 급증해서 외환위기가 발생해 1997년 12월 3일자로 IMF로부터 구제금융을 받게 된 하나의 요인으로 작용했다.⑧WTO출범으로 국경 없는 무한경제시대 돌입->WTO출범과 OECD가입은 한국기업에게 동시에 기회와 도전/부담을 제공했다. 이로서 한국기업은 글로벌시장에서 통용될 수 있는 글로벌제품?서비스로 글로벌경쟁력을 강화해야 했다. 이런 무한경쟁시대에서 국내외경쟁력 취약화로 생존능력조차 의문시되는 그리고 운영적자가 누적되는 기업들이 늘어났다. 기업구조조정을 과감히 시작했어야 하는데도 수익성 없는/적자계열기업들을 주로 기업그룹 총수들의 개인적기 방생으로 노출도니 정부경제운용 및 기업 경영과 관련된 문제점들①심각한 정부/정치권 부패와 정경유착②취약한 경제구조③시장경제질서 미정착과 도덕적 해의 심화④해외 경제 환경 변화에 대한 대응 실패⑤정부의 개혁 정책 추진 지연한국기업의 흐름으로 보아 정부는 한국기업을 발전시키기도 하였지만 그에 정경유착, 뒤늦은 대응, 준비성부족 등 여러 문제를 일으키기도 하였다. 요즘도 뉴스, 신문을 보면 경제가 안좋은 것을 실감할 수가 있다. 여기에는 정부의 좌파 지향적 경제정책이 문제가 있다고 생각을 한다. 현대기업의 문제점을 살펴보면 과거의 문제점들이 되풀이 되는데 이어서 한 번 살펴보도록 하자.1) 현대기업과 기업윤리회사가 소비대중이 원하는 재품과 서비스는 제공하지 않고 회사가 일방적으로 결정한 제품과 서비스만을 제공한다면, 또는 소비대중이 원하는 제품과 서비스를 제공하더라고 광고?가격 등에 걸쳐서 소비자들을 오도하고 기만하는 비윤리적 행동을 서슴지 않는다면 회사의 이미지가 떨어져 기업의 고유한 역할과 기능을 잘 발휘하지 못할 것이다.일반대중은 한국의 현대기업들에게 법을 지키고, 비즈니스윤리를 준수하는 것을 공공 목적의 하나로 삼고서 실천하도록, 한국의 현대기업들에게 강력하게 요구 하고 있고, 21세기 국내외비지니스 환경변화에 비추어 한국의 현대기업들은 단순히 크고 강한 회사가 되는 것을 추구하지 말고, 우선은 이익을 내는 회사로 전환을 해야 하고, 궁극적으로는 진정한 일류회사가 되기 위해서도 존경받는 회사로 발전해야 한다. 이렇게 존경받는 회사로까지 발전하려면, 한국의 현대기업과 그 경영자는 회사목적 달성이라는 이기적 권익을 보호하고 증진시키기 위해서도, 고객?종업원?주주?공급업체?일반대중?정부기관 등으로부터 지지를 받을 수 있을 정도 이상으로 높은 수준의 윤리적 행동을 하는 것을 공공 목적으로 삼고서 또한 실천해야 한다.2) 기업의 지배구조의 문제점요즘 신문이나 텔레비전에서 자주 보는 삼성을 예를 들면, 이건희 회장의 아들인 이재용 상무가 에버랜드의 최대 주주가 됐다다.

경영/경제| 2005.04.08| 6페이지| 1,000원| 조회(1,095)

기업윤리, 현대기업의 특징, 차입경영, 경영의 다각화, 중복투자

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