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[디지털시스템]퀴즈풀이

목 차1. 실험Ⅰ - 적외선 센서를 이용한 송수신 기능1) 응용실험 I - A ???????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????? (2)① 응용실험 I - A 에 대한 문제 ????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????? (2)② 응용실험 I - A 에 대한 Flow Chart ?????????????????????????????????????????????????????????????????? (2)③ 응용실험 I - A 에 대한 Program list ??????????????????????????????????????????????????????????????? (2)④ 응용실험 I - A 에 대한 결과 분석 ?????????????????????????????????????????????????????????????????????? (2)2) 응용실험 I - B ????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????? (3)① 응용실험 I - B 에 대한 문제 ?????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????? (2)② 응용실험 I - B 에 대한 Flow Chart ??????????????????????????????????????????????????????????????????? (2)③ 응용실험 I - B 에 대한 Program list ????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????? (2)④ 응용실험 A 에 대한 결과 분석 ?????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????? (2)3. A반 QUIZ #1 2006. 05. 111) A반 QUIZ #2 ???????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????? (2)① A반 QUIZ #2 에 대한 문제 ?????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????? (2)② A반 QUIZ #2 대한 Flow Chart ?????????????????????????????????????????????????????????????????????????????? (2)③ A반 QUIZ #2 대한 Program list ??????????????????????????????????????????????????????????????????????????? (2)④ A반 QUIZ #2 대한 결과 분석 ????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????? (2)1. 실험Ⅰ - 출력 포트를 이용한 LED ON/OFF (출력 시험)응용실험 B OUTCS3는 BAR_LED가 연결되어 있다.이 BAR_LED에 다양한 값을 출력해 보도록 한다.1) 응용실험 B - 1① 응용실험 B - 1 에 대한 문제[ 문제 ] ? 각 8개의 LED는 8비트에 각각 연결되어 있다. 키를 누를때마다LSB부터 차례대로 ON/OFF 되도록 프로그램 해본다 (한순간에는한 개의 LED만 ON)② 응용실험 B - 1 에 대한 Flow Chart③ 응용실험 B - 1 P1LTC //P1포트를 출력으로 사용할때에는 P1LTC를 사용한다.#define TEST_IRQ7_PORT P1LTC //IRQ7를 시험하기 위한 출력 포트#define TEST_IRQ7_BIT 0x08 //IRQ7를 시험하는 비트위치.(J1-4)#define SONIC_TRIGGER_PORT P1LTC#define SONIC_PWM_BIT 0x04#define SONIC_TRIGGER_BIT 0x08#define SONIC_INT_BIT 0x08#define BOARD_LED_PORT P3LTC //PORT3#define BOARD_LED_BIT 0x40 //bit6#define CPU_RUNKEY_PORT P3PIN //PORT3#define CPU_RUNKEY_BIT 0x01 //bit0#define TM_RMKEY_PORT P1PIN //PORT1을 일부핀을 입력으로 사용.#define TM_RUNKEY_BIT 0x01 //bit0#define TM_MODEKEY_BIT 0x02 //bit1#define IR_RX 0x200 //입력. 센서보드. 반사형센서 입력#define SONAR_RX 0x202 //입력. 초음파센서 수신. 1이 신호.#define PIOPORT_IN P1PIN //입력. TTL레벨. MICRO386 P1포트(TB-TRACE J6)#define ON 1#define OFF 0typedef unsigned char BYTE;BYTE OutPort1Val; //OUTCS1 의 출력값BYTE OutPort2Val; //OUTCS2 의 출력값BYTE OutPort3Val; //OUTCS3 의 출력값BYTE CpuPort1Val; //CPU PORT1 의 출력값BYTE CpuPort2Val; //CPU PORT2 의 출력값BYTE CpuPort3Val; //CPU PORT3 의 출력값BYTE OutVal;volatile int HardDelayTimerCount=0;BYTE P1DIRCFG;//--------------------------------------------------------------------------------------*void interrupt new_int1Ch(void) //시스템 타이머 인터럽트.//이 부분은 Timer의 사용부분에서 다루도록 한다.{HardDelayTimerCount++;}/////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////여기서부터 응용실험 B-1 프로그램 입니다^_^///////////////////////////////////////////////////////////[전자공학과....]///////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////void Exam(void){BYTE ch;int ej = 0; //처음 ej 값 초기화 = 0printf("n실험 B-1 키를 누를시 LSB부터 차례로 ON/OFF되는 프로그램 입니다.");;printf("nttttttttttt'q'를 누르면 종료합니다");;printf("ntttttttttttttttttt[전자공학과20041592이은주]n");;for(;;) // 무한 반복{if(ej == 0) // ej 값이 0 이면{ej = 1; // ej 값을 1 로 변경OutPort3Val = 0xff; // led 전부 OFF 값 OutPort3Val 변수에 저장printf("BAR LED 0n");}else if(ej == 1) // state 값이 1 이면{ej = 2; // state 값을 2 로 변경OutPort3Val = 0x7f; // 1번째 led ON 값 OutPort3Val 변수에 저장printf("BAR LED 1n");}else if(ejej = 7; // state 값을 7 로 변경OutPort3Val = 0xfb; // 6번째 led ON 값 OutPort3Val 변수에 저장printf("BAR LED 6n");}else if(ej == 7) // state 값이 7 이면{ej = 8; // state 값을 8 로 변경OutPort3Val = 0xfd; // 7번째 led ON 값 OutPort3Val 변수에 저장printf("BAR LED 7n");}else if(ej == 8) // state 값이 8 이면{ej = 0; // state 값을 0 로 변경OutPort3Val = 0xfe; // 8번째 led ON 값 OutPort3Val 변수에 저장printf("BAR LED 8n");}outportb(OUTCS3, OutPort3Val); // 실제 led 작동 시키는 함수ch = getch(); // 키보드값 입력if(ch == 'q') break; // 입력값이 'q' 이면 종료}}//-------------------------------------------------------------------*void main(void) // 메인 함수{void interrupt (*old_int1Ch)();//interrupt 함수 포인터old_int1Ch = getvect(0x1C); //원래의 interrupt 저장setvect(0x1C, new_int1Ch); //새로운 타이머 interrupt 설치InitTrace386Port();Exam();setvect(0x1C, old_int1Ch); //원래의 타이머 interrupt 복구printf("n감사합니다.");}2) 응용실험 B - 2① 응용실험 B - 2 에 대한 문제[ 문제 ] ? 좌 -> 우로 점멸 후 좌 count) break;}}//-------------------------------------------------------------------*void interrupt new_int1Ch(void) /

공학/기술| 2006.12.13| 22페이지| 3,000원| 조회(327)

퀴즈, 디지털시스템퀴즈, 디지털시스템

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[교육학]학교조직의 지도성 이론

3. 학교 조직의 지도성 이론1. 지도성 이론의 발달1) 과거의 지도성 이론발달 양상① 특성론 - 지도자와 지도자 아닌사람 / 효과적인 지도자와 비효과적인 지도자를 구분② 행동론 - 지도자의 행동이 부하에게 어떤 반응을 일으키는가를 연구③ 상황론 - 지도자의 행동과 부하의 반응, 상황의 차이에 따른 지도성 효과를 연구2) 과거의 지도성 이론이 갖는 문제점① 지도성을 관리의 측면에서만 규명하고 과업 성취에 초점을 두어 추종자의 요구와 그 요구 조건을 다루지 않는다는 점② 특성론, 행동론, 상황론은 그 성격에 있어서도 지도성을 심리학적 현상에 국한시킴3) 교육행정에서 경쟁하는 가치① 특성론(과거~1950) - 지도성은 천부적인 개인적 특성② 행동론(1950~1970) - 지도성은 효과는 지도가 행동에 따라 의존함③ 상황론(1970~1980) - 지도성의 효과는 상황에 따라 달라짐④ 뉴리더십이론(1980~현재) - 지도성은 추종자를 자기 지도자로 만드는 비전임4) 현대의 지도성 이론① 1980년대 이전의 지도성에 대한 심리학적 관점을 보완하는 제4의 이론② 포스터(Foster) - 새로운관점 : 지도성 연구의 정치적 모형, 비판적 모형③ 지도성 연구에 있어 ‘강조’의 필요에 대한 새로운 과제 제시(브리만 (Bryman),1992)2. 전통적인 지도성 이론(교환적 지도성)1. 특성론적 접근1) 의미 - 비지도자와 구별되는 지도자의 개인의 육체적, 심리적, 또는 사회적 특성을 확인하는데 주로 관심을 갖는 접근방법2) 가정 - 지도자는 지능,창의성,신장,적응력등 선척적으로 높은 수준의 능력을 타고남3) 지도성과 관련된 인간의 특성 - 재능, 성취, 책임감, 참여, 지위4) 유클(Yukl, 1989)의 성공적인 지도자와 연관된 특성(X)과 기술(Y)(X=Y 식으로 나열)① 상황에 대한 적응력 - 인지적 기술 ②사회적 환경에 대한 민감성 - 상황 파악 능력③ 야망과 성취 지향성 - 창조 능력 ④ 자기 주장 능력 - 사교능력⑤ 협동성 - 유창한 화술 ⑥ 결단성 - 일처리 기술 ⑦ 신뢰성 - 조직력⑧ 지배욕(타인에게 영향을 미치려는 욕망) - 설득력 ⑨ 집요성 - 자신감⑩ 정력(높은 활동 수준) - 세련된 매너 ⑪ 긴장에 대한 인내력 - 책임감5) 특성론의 유의점(Kimbrough & Nunnery, 1976)▶ 특성들이 지도자로서의 효과적인 직무 수행을 보장 ? 저해하는 것이 아님2. 행동적 접근1) 학자① 베버(Weber) : 권위(Authority)의 개념을 빌어 지도성을 유형화② 레빈(Levin) ㉠ 행동 과학적 방법을 지도성 연구에 적용㉡ 행동공식 B=(P?E)을 기반으로 지도성에 행동 과학을 적용하여 연구2) 연구① 장난감 놀이를 통한 실험 연구(Lewin, Lippitt & White,1939) - 민주적 지도자 선호② 과업 주도성과 배려성 차원이 조합에 의한 지도성의 네 가지 유형(Stogdill&Coons)고↑배려성↓저과업 주도성 : 저배려성 : 고과업 주도성 : 저배려성 : 고과업 주도성 : 저배려성 : 고과업 주도성 : 저배려성 : 고저 ← 과업주도성 → 고㉠ 과업 주도성 - 지도자가 목표 수행 중시하여, 과업을 조직하고 설정 ? 할당하며, 과업 집단 의 성취를 높게 평가하는 차원(여기서 지도자는 구성원의 역할 및 임무배정, 사전 계획, 일처리 방법과 절차의 확립 중시)㉡ 배려성 - 지도자가 신뢰,존경,온화,지원, 구성원에 대한 관심을 나타내는 것 중시구성원의 아이디어 청취, 친절, 관심 및 즐길줄 알아야 함㉢ 과업 주도성과 배려성 연구의 영향- 지도자 행동 기술 척도 개발(LBDQ) - 지도성 행동을 실증적으로 측정하기 위한 도구- 미시건 대학교 연구팀의 직무 중심 지도성과 종업원 중심 지도성- 블레이크,모우턴의 관리망에 제시된 인간? 생산에 대한 관심을 두 축으로 한 지도성 유형론3) 한계 - 지도성 행동 중 구성원들이 지각한 행동만을 강조, 행동에 대한 원인 규명을 등한시하고, 특정 상황의 행동이 다른 상황에서도 적용된다고 보는 한계 노출3. 상황적 접근1) 의미 - 효과적인 지도성 행위는 상황에 따라 다르다는 전제하에 새로이 제기된 연구2) 관점 - 지도성을 유동적이고 변화하는 요인들의 상호 작용적 관점에서 접근3) 지도성 결정 요인 - 지도자의 개인적 특성,행위,지도성 상황 요인들 간의 상호 작용① 휘들러(Fiedler) ㉠ 지도자의 효과성을 지도자와 구성원의 관계, 과업구조, 지도자의 지위 권력을 조합한 상황의 유리성을 통해 설명㉡ ‘가장 싫어하는 동료척도(LPC)'를 활용하여 상황의 유리성에 따라 효과 적인 지도자가 달라진다는 것을 설명② 레딘 - 상황적 요소에 따라 지도성의 효과가 달라진다는 것을 설명③ 허시와 블랜차드 - 조직 구성원의 성숙도에 따라 지도성 유형이 다리 적용될 때그 지도성의 효과가 높아진다는 것을 설명3. 새로운 지도성 이론1. 변혁적 지도성 이론1) 의미 ① 넓은 의미 - 교환적 지도성과 대비, 1980년대 이전 지도성에 대한 관점을 보완하는 새로운 지도성 이론② 좁은 의미 - 기대 이상의 직무 수행을 가능하게 하는 지도성2) 변혁적 지도성과 교환적 지도성① 교환적 지도성 - 지도자가 부하에게 순종을 요구하고 그 대가로 보상 제공② 변혁적 지도성 - 지도자가 부하의 잠재 능력 계발 및 내재적 만족감을 갖게 함3) 변혁적 지도성 모형① Burns(1978) - 추종자들의 욕구,능력인정 및 잠재력 일깨워 더 훌륭한 人으로 양성② 지도성의 과정을 통해 지도자와 추종자사이 더 높은 수준의 동기유발과 도덕성 고양③ 지도자와 추종자 모두 인간적 행위와 열망의 수준 높인다는 점에서 도덕적인 것이됨2. 카리스마적 지도성 이론1) 의의 - 추종자로 하여금 동기를 유발시킨다는 점에서 새로운 지도성으로 인정2) 카리스마는 하나의 지도성이 될 수 있다(House,1977)① 카리스마가 효과를 갖는 경우㉠ 추종자가 지도자의 신념이 옳다고 신뢰㉡ 추종자의 신념이 지도자의 신념과 유사㉢ 추종자가 지도자를 의심하지 않고 수용㉣ 추종자가 지도자에게 애정을 느낌㉤ 추종자가 지도자에게 기꺼이 복종㉥ 추종자가 높은 업적 목표를 갖음㉦ 추종자가 집단의 성공에 공헌할 수 있다고 믿음② 카리스마적 지도자의 인성㉠ 높은 수준의 자신감㉡ 다른 사람을 지배하려는 경향과 영향력을 발휘하려는 욕구㉢ 자기 신념의 완전 무결함에 대한 확신③ 지도자가 갖는 지도성의 역할㉠ 역할 모델을 통하여 부하에게 자신의 가치와 신념을 표현하고 바람직한 경쟁 유도㉡ 이미지 조성을 통해 업적 달성을 강조하는 부하의 행동을 이용㉢ 목적 명세화를 통해 초월적인 목표를 제시㉣ 부하들의 성취에 대한 자신감과 높은 기대를 보여주는 행동㉤ 자신의 행동을 통해 부하의 목적에 영향㉥ 비전 성취와 관련된 행동을 나타냄4) 콩거(Coger)와 카눈고(Kanungo)의 연구① 카리스마가 매우 특별한 사람만이 가질 수 있는 신비스러운 자질이 아니라 전제② 지도자 행동에 대한 추종자들의 지각에 의해 이루어지는 귀인적 현상으로 개념화③ 카리스마적 특성은 지도자의 관찰된 행동을 통해 기술, 분석될수 있는 행동과정5) 카리스마적 지도성의 한계① 지도성을 행동으로 보고 가치 중립적 관점에서 지도성 전략 구사② 지도자 사망시 해체, 지도자 생존시 전개한 일들을 지속시키려 노력함에 양면성 띔③ 복종 유도를 통한 기대 이상의 직무 수행은 지속적 가능한지 확신 어려움④ 카리스마적 지도성은 변혁적 지도성 초기 단계, 결과이지 그 자체라고 볼수 없음3. 문화적 지도성 이론1) 조직 문화 - 한 조직체의 구성원들이 모두 공유하고 있는 가치관, 시념, 이념과 관 습, 규범과 전통, 지식, 기술등 종합적인 개념으로 조직 구성원과 조직 체 전체의 행동에 영향을 주는 기본 요소2) Sergivanni의 견해① 학교 - 구조적 의미 : 이완 결합 문화적 의미 : 확고하게 결합② 교사와 학생들은 사회적으로 구조화된 실체의 이미지에 의해 더 잘 움직여짐3) 이계윤(1991)의 견해- 인간의 의미 출구 욕구를 만족시켜 구성원의 주인으로 만들고, 조직의 제도적 통합을 가능하게 하는 효과적 지도성 = 문화적 지도성4) 컨닝햄과 그레소의 견해① 우리 문화는 사람들이 작업 세계를 경험하는 방법과 작업에서 의미표현 방법을 형성② 미국의 교육 개혁에서는 수월성 추구는 구조가 아닌 문화를 통해 접근해야 함③ 지도성에 대한 접근(구조적, 행동적, 통제적, 문화적)제시④ 지도성에 대한 문화적 접근(Cunningham&Gresso,1993)5) 학교 조직의 지도성과 다른 조직의 차이“효과성은 감소되고, 사람들은 혼란을 경험하며, 일은 이루어지지 않는다”6) 학교 조직에서 효과적인 문화를 형성할 수 있는 구성 요소“버티컬 슬라이스(Vertical slice)결핍보다는 비전, 동료관계, 신뢰와 지원, 권력과 지위 보다는 가치와 흥미, 폭넓은 참여, 지속적 성장, 장기적 전망에 따른 현재의 생활, 질높은 정보에 대한 용이한 접근, 개선의 유지와 지속, 그리고 개인적인 권한 부여”4. 초우량 지도성 이론1) 제안 - 만즈(Manz)와 심스(Sims Jr.)① 오늘날 조직은 직원들의 자율적 지도성을 개발하여 이용하는 초우량 지도성을 필요② 초우량 지도자 - 스스로 자율적 지도자가 되도록 교육 시스템 개발 및 실행하는 人2) 초우량 지도성의 전제① 추종자들은 자기 지식적이기 때문에 자신을 스스로 통제 함② 관리,조직에 대한 통제는 추종자들의 지각,평가,수용되는 방식에 따라 효과 달라짐3) 특징 - 다른 사람들에 의한 지도성은 사람들의 내재적인 지도성 에너지와 동기를 일 깨우는 것으로 교체되어야 한다고 봄4) 자율적 지도성의 세 가지 신념① 모든 사람은 어느 정도이 자율적 지도성을 실천 할 수는 있지만, 모든 사람이 반드 시 효과적인 지도자가 되는 것은 아님

교육학| 2006.12.13| 5페이지| 2,000원| 조회(665)

교육학, 지도성, 지도성 이론, 학교조직

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[반도체공학]저항성접촉10

목 차1. Ohmic contact (저항성 접촉)1) Schottky(장벽) , Ohmic(접촉) ?????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????? (2)① M / n - Si ??????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????? (2)② M / p - Si ??????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????? (2)③ M / n - Si () ????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????? (2)④(고유접촉 저항) ????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????? (3)⑤감소일 때 ??????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????? (3)⑥증가일 때 ?????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????? (3)⑦ Ohmic contact 모형 ??????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????? (3)2. Insulator-Semiconductor Junctions (절연체-반도체 접합)1) M / S (Insulator - Semiconductor) ??????????????????????????????????????????????????????????????????? (4)① 실리콘 - 실리콘 산화물 () ???????????????????????????????????????????????????????????? (4)② 층 ()????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????? (4)③ MOS 소자 ?????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????? (5)④ 실리콘 - 실리콘 질화막 ( Silicon Nitride - Silicon ) ????????????????????????????????? (5)⑤ 다결정 실리콘 - 실리콘 ( polycrystalline Silicon - Silicon ) ???????????????? (6)⑥ poly Si 저항해 ???????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????? (6)1. Ohmic contact (저항성 접촉)1) Schottky(장벽) , Ohmic(접촉)① M / n - Si장벽 ,접촉② M / p - Si장벽 ,접촉③ M / n - Si ()※ E : 공핍층 내의 전계④(고유접촉 저항)※ E ==⑤감소일 때(감소) → Doping 농도 () → High doping⑥증가일 때(증가) →(감소)→ Carriers (이동전하)를 tunneling⑦ Ohmic contact 모형2. Insulator-Semiconductor Junctions (절연체-반도체 접합)1) M / S (Insulator - Semiconductor)[Insulator ]① 실리콘 - 실리콘 산화물 ()[진행 느림][진행 빠름]① 보호막② MASK② 층 ()③ MOS 소자④ 실리콘 - 실리콘 질화막 ( Silicon Nitride - Silicon )※접착력 (강)※접착력 (약)※접착력 (강)※ 디바이스 격리 시켜줄 두꺼운 층을 만들어야 함⑤ 다결정 실리콘 - 실리콘 ( polycrystalline Silicon - Silicon )(Silengas) →[ 열분해 ]⑥ poly Si 저항해※: resistirity ( 저항률 )※(: 전도도 )※,※,※: Sheet resistance※※: 기지수

공학/기술| 2006.12.13| 7페이지| 1,000원| 조회(566)

반도체공학

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[반도체공학]바이어스상태PN접합6

목 차1. 바이어스(Bias)상태의 P-N 접합1) 바이어스(Bias)상태의 P-N 접합 ????????????????????????????????????????????????????????????????????????????? (2)① 순방향 Bias(Forward Bias) ???????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????? (2)② 순방향 Bias(Forward Bias)때 전위차 ?????????????????????????????????????????????????????????????????? (2)③ 역방향 Bias(Reverse Bias) ???????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????? (2)④ 역방향 Bias(Reverse Bias)때 전위차 ?????????????????????????????????????????????????????????????????? (2)2) 외부에서 전원을 가했을 때 공핍층의 폭 ???????????????????????????????????????????????????????? (3)① 순방향 Bias(Forward Bias)공핍층의 폭??????????????????????????????????????????????????????????????? (3)② 역방향 Bias(Reverse Bias)공핍층의 폭???????????????????????????????????????????????????????????????? (3)③ 공핍층의 폭 크기 ?????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????? (3)2. 전하주입과 전류1) 바이어스를 인가하지 않았을 때 관계식 ??????????????????????????????????????????????????????????? (4)2)Level ???????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????? (4)3) 순방향 Bias(Forward Bias)평형 상태 때 관계식???????????????????????????????????????? (4)4) low - level injection ????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????? (5)① N - Type ??????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????? (5)② P - Type ??????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????? (5)5) 공핍층 구역 밖의 소수 캐리어 농도 ??????????????????????????????????????????????????????????????????? (6)① N - Type ??????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????? (6)② P - Type ??????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????? (6)6) 확산전류 ????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????? (6)① 홀에 의한 확산전류 ????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????? (6)② 전자에 의한 확산전류 ???????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????? (7)7) 전 전류 ???????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????? (7)① 전체 홀의 전류 ??????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????? (7)② 전체 전자의 전류 ?????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????? (8)1. 바이어스(Bias)상태의 P-N 접합1) 바이어스(Bias)상태의 P-N 접합① 순방향 Bias(Forward Bias ;) - 안쪽으로 캐리어를 밀어냄② 순방향 Bias(Forward Bias)때 전위차()※ Hole이 넘어가려면 장벽이 낮아야 한다.※ 순방향 Bias(Forward Bias)를 걸어주는 것은 장벽을 낮춰주는 것이다.③ 역방향 Bias(Reverse Bias ;)④ 역방향 Bias(Reverse Bias)때 전위차()※ 장벽이 커진다.2) 외부에서 전원을 가했을 때 공핍층의 폭공핍층의 폭① 순방향 Bias(Forward Bias)공핍층의 폭② 역방향 Bias(Reverse Bias)공핍층의 폭※;: Body doped※: 반도체의 유전율※:※: 유전상수※: 진공의 유전율③ 공핍층의 폭 크기순방향 공핍층의 폭 < 공핍층의 폭 < 역방향 공핍층의 폭2. 전하주입과 전류1) 바이어스를 인가하지 않았을 때 관계식※2)Level3) 순방향 Bias(Forward Bias)평형 상태 때 관계식에서4) low - level injection① N - Type※ 공핍 영역을 걸쳐 주입되는 과잉 캐리어 ※② P - Type※ 공핍 영역을 걸쳐 주입되는 과잉 캐리어 ※→ 캐리어 농도의 변화가 있을시, 다수 캐리어의 농도는 변하지 않고,소수캐리어의 농도만 변한다.5) 공핍층 구역 밖의 소수 캐리어 농도① N - Type② P - Type6) 확산전류① 홀에 의한 확산전류(Current density)② 전자에 의한 확산전류같은 방법으로(Current density)7) 전 전류 ()① 전체 홀의 전류② 전체 전자의 전류※ 전 전류 () ※=※

공학/기술| 2006.12.13| 8페이지| 1,000원| 조회(548)

반도체공학

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[성공한 기업]3M,SIEMENS,TOYOTA

목 차1. 경영1) 경영과 기업경영 ?????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????? (3)2) 경영전략 ????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????? (3)① 외부 자원의 활용 ????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????? (3)② 가치 생산과 판매 ????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????? (3)3) 경영의 3요소 ?????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????? (3)① 인사관리 ????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????? (4)② 재무관리 ????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????? (4)③ 생산관리 ???????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????에는 환경 변화의 중요성에 따라 경영전략의 중요성으로 강조되고 있다.2) 경영전략① 외부 자원의 활용한 예로 자동차 회사를 들면, 자동차를 만들기 위해서는 철, 플라스틱, 알루미늄 등의 소재를 외부에서 매입한다. 또 고도로 훈련된 연구진과 기술자, 생산인원이 필요하다. 이들 인재는 오랜 시간을 들여 교육과 훈련을 받은 사람들이다. 또한 기계설비와 원재료 를 구입하는 데는 자금이 필요하다. 이 또한 외부의 주주나 은행으로부터 조달한다. 결 국 자동차를 만들기 위해서는 외부로부터 인재, 물자, 자금 등의 자원을 경영 속으로 끌 어들여야 한다.② 가치 생산과 판매이들 자원은 자동차 회사 내부에 축적되어 있는 고도의 기술, 훈련된 인재, 고성능의 설비 등을 통해 복잡한 가공 과정을 거쳐 자동차로 만들어져 나온다. 철과 알루미늄, 플라스틱이 경영이라는 활동을 거쳐 문명의 이기로 그 모습을 바꾸는 것이다. 경영을 통 해 새로운 가치가 생겨난 결과이다.만들어진 자동차는 자동차를 원하는 고객에게 팔림으로써 회사에서는 그 가치를 지불 받는다. 경영은 고객이 인정하는 새로운 가치를 낳는 활동을 담당하여 사회에 공헌하고 그 보수로서 그 가치 안에서 경영의 이익을 얻는다.다시 한 번 정리하면, 경영은 자원을 고객이 원하는 새로운 가치로 만들어내는 기능을 한다고 할 수 있다.3) 경영의 3요소회사를 운영하려면 우선 자본(돈)이 있어야 하고, 사람이 필요하며, 물자가 필요하다. 이 세 가지 요소 즉, 사람(Man), 돈(Money), 물자(Material)를 경영의 3요소라 하며 3M 으로 부르기도 한다.① 인사관리▶ 경영의 3요소 중 가장 중요한 사람을 관리하는 것으로써, 종업원을 어떻게 뽑고, 어 떻게 키울 것인가, 또는 승진이나 상벌은 어떤 방법으로 평가할 것인가 등을 다룬 다. 다시 말하면 종업원들을 효율적으로 관리하고, 문제가 발생할 경우 이를 합리적 인 방법으로 해결하기 위한 것을 말한다.② 재무관리▶ 돈을 관리하는 것으로써, 기업이 가지고 있는 자본을 어디에 어떻게 쓸것인반의 42억 달러에서 88억 달러 수 준으로 두 배 이상 증가하였고, 사업부의 수 또한, 190여 개로 크게 증가하였다.이것이 결국 과잉인력의 고용은 물론 회사 전반에 걸쳐서 관료화의 경향을 심화시키 면서 본사의 종합조정기능도 약화시키는 결과를 가져오게 되었다.창립 이래 100여년동안 GE는 사업영역을 확대시키면서 지속적인 성장을 유지하여 1981년 존스회장이 은퇴할 당시 사업부의 수는 250개에 달하여 세계에서 가장 다각 화 된 기업체로 발전하였지만, GE의 사업범위가 전기관련분야로부터 사업성있는 전 기 비관련분야로 무차별 다각화됨에 따라 GE의 비전과 장기전략방향이 흐려지기 시 작함은 물론 전체적인 수익성이 계속 저하되는 추세를 보이게 되었다② 잭 웰치 회장▶ 기업의 환경변화와 시장경쟁이 더욱 치열해 짐에 따라 GE의 당면한 도전은 더더욱 심각해졌고, GE 내부에 획기적인 변화가 절대적으로 필요하다는 인식이 점차 높아졌 다. 그리하여 1981년 GE이사회는 임원관리위원회가 추천한 12명의 차기 회장후보들 중에서 잭 웰치(Jack F. Welch)부회장을 새 회장으로 선출하였다.잭 웰치 회장은 화공학 박사학위를 가진 전문경영자로서 1960년에 입사하여 플라스 틱을 GE의 주력사업으로 개발ㆍ성장시키는 데 주도적인 역할을 한 실력자이다. 잭 웰치 회장의 선임은 그의 박사학위보다도 GE에 큰 변화를 가져올 수 있는 그의 능력 과 적극적인 리더십 그리고 그의 젊은 나이 때문이었다.잭 웰치 회장이 취임한 1981년 당시 GE는 404,000명의 구성원을 고용하고 270억 달러 규모의 매출과 18억 달러의 순이익을 달성하고 있었다. 그러나 GE가 독점해 온 전통적인 사업은 경쟁력 약화로 시장점유율이 떨어지는 한편, 성장률이 높은 신규사업 들은 회사 전체 수익에 기여하는 비중이 낮을 뿐 아니라 장기전망도 불확실한 상태에 놓여 있었다. 게다가 점점 심해지는 사업부조직의 관료문화는 엄청난 낭비와 더불어 효 율적인 전략경영에 큰 장애요소로 작용하고 있었다. 이러한 문제증상에 매부장으로 있던 시절부터 연구개발에 솔선 수범했던 사람이다. 1920년대에 자동차 차체공장에서 새로운 연마제 샘플을 시험하던 중, 마스킹 테이 프(Masking tape)를 고안한 장본인도 맥나이트이다. 3M사는 이 상품이 히트하면서 본격적인 아이디어 기업으로서의 면모를 갖추게 됐다.1914년 판매부장 시절, 맥나이트는 500달러를 투자, 실험과 검사를 위한 싱크대와 접착욕조 등을 갖춘 작은 연구실을 만들었다. 이것이 바로 제품의 질과 서비스를 향 상시키기 위해 만든 초기의 고객 연구소이다.당시에 이 연구소는 3M사의 규모에 비해 매우 파격적인 투자로 평가됐다. 반면에 후세사람들은 품질관리(QC)와 초기 연구개발을 위해 매우 현명한 시도였다고 평가 하게 됐다. 이러한 초대 회장의 연구개발정신은 지금 3M사가 가진 최대 경쟁력의 밑바탕이 됐다. 이곳에서 수개월의 실험 후, 첫 상품이 출시됐는 데 이것이 바로 ‘3M-Ite'이다. 이 제품은 개발 이후 75년이 지나도록 여전히 3M의 상품 목록에 기 재돼 있을 정도로 성공적인 것이었다.호기심과 불굴의 추진력을 가진 맥나이트는 이후 3M의 초대회장이 됐다. 그는 또 자신과 더불어 지금의 3M사를 있게 만든 ‘프랜시스 오키(Francis G. Okie)'를 만나 게 됐다.1920년 필라델피아에서 인쇄잉크, 동 파우더, 금빛 잉크 색을 제조하는 업자인 오 키는 사포를 제조하다가 3M역사상 가장 중요한 제품을 우연히 발견했다. 오키는 전 세계적으로 자동차 제조업계와 페인트 가게에 광범위하게 사용되는 혁명적인 방수 사포를 개발한 것이다.맥나이트는 그 기술에 대해 재빨리 특허권을 획득, 사용하기 시작했다. 이것이 바 로 ‘웨토드라이(Wetordry)'라는 방수 사포이다. 이는 사포산업에 있어서 혁명적인 사건으로 받아들여지고 있다. 맥나이트는 아예 오키를 고용, 정년 퇴직할 때까지 3M에서 새로운 발명품들을 개발하도록 만들었다.3M사의 초기시절은 내외부적으로 어려운 일들이 많았다. 이는 CEO 맥나이트에게도 많은 영향을 미쳤다고 있다.① 기업 문화 혁신▶ 지멘스사는 지멘스사 내에 팽배해 있는 관료주의의 병폐를 없애고, 경쟁력을 강화 하기 위해서 먼저 기업 문화의 변화가 필요하다고 보았다.이에 Von Pierer 사장은 다각적인 변화의 노력을 시도하였다.먼저 창조성, 스피드, 적절한 시장 공략을 목적으로 한 TOP(time optimize processes : 시간 최적 공정제) 제도를 실시하여 생산성을 향상시켰다.TOP제도는 문제 해결이나 상품 디자인 선정등 특별 업무를 수행할 때 팀제로 운영 하여 목표 및 방법을 자발적으로 설정, 이를 반드시 준수토록 하는 제도이다. 이때 회사는 다만 업무의 결과를 토대로 한 보상으로 관리할 뿐이다.이런 TOP제도의 운영상의 특징은 비공식적인 장소에서 자유로운 복장으로 업무를 수행하게 하여 회의 시간과 필요없는 서류 작업을 축소하여 효율성을 제고하고 있는 점이다. 이러한 방법을 통한 대표적인 성공의 예로는 92년 자동화 공정팀의 공작 기 계 조절 시스템 개발과정에서 연구비와 개발 기간을 1/3로 축소한 경우를 들 수 있 다. 또한 지멘스사는 매출액의 9%인 연간 54억 달러를 투자하고 있는데, R&D의 효 율성 제고를 위해 연구 프로젝트의 리더가 그들의 연구 주제는 자유롭게 선정하더라 도 관련제품 부서의 승인을 통해 예산을 확보하게 함으로써, 시장 지향성을 갖도록 만들었다.② 경영전략 (비용 절감 전략)▶ 가격 인하 경쟁과 마르크화의 절상으로 이윤구조가 악화된 지멘스사는 과감한 비용 절감 전략을 펼쳐 가격 경쟁력을 확보하려고 하였다.Von Pierer가 취임한 1992년 이래로 지멘스사는 인력의 7.5%에 해당하는 38만 명 정도를 해고하였고, 올 9월까지 추가로 1만 2천 명을 더 해고할 예정이다.운영비도 올해에만 36억 달러 정도를 삭감할 목적으로 전반적인 검토에 들어가 있 는 등 대규모 다운사이징 전략을 펼치고 있다. 또한 비주력 업종의 과감한 매각을 통 하여 전체 사업 구조의 통합을 추구하면서 전 사업의 이윤 구조를 개선하고 있다.③ 경영다.

경영/경제| 2006.12.13| 12페이지| 2,000원| 조회(325)

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