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태양전지 평가B괜찮아요

Solar Cell (태양전지)Electrical Information Engineering Dept, Kyungwon University1. 태양전지란?2. 태양전지의 구조 및 종류4. 박막형 태양전지Content5. 태양전지의 시장 형태3. 단결정,다결정 실리콘 태양전지Ⅰ. 태양전지란 ?Solar Cell태양전지 : 광기전력을 이용 하여 빛 에너지를 전기에너지로 변환 시키는 반도체 소자Solar Cell광기전력 효과 : 반도체의 p-n 접합부나 정류 작용이 있는 금속과 반도체의 경계 면에 강한 빛을 입사하면 반도체 중에 만들어진 전자와 정공이 접촉 전위차 때문에 분리되어 양쪽 물질에서 다른 종류의 전기가 나타나는 현상2. 태양전지 구조 및 종류Solar Cell2. 태양전지 구조 및 종류Solar Cell3 . 단결정 및 다결정 실리콘 태양전지단결정, 다결정 실리콘 태양전지 비교Solar Cell단결정, 다결정 실리콘 태양전지 제작 과정3 . 단결정 및 다결정 실리콘 태양전지Solar Cell결정형 실리콘 태양전지의 원재료 폴리실리콘의 제조 과정3 . 단결정 및 다결정 실리콘 태양전지Solar Cell단결정 실리콘 웨이퍼 제작 과정3 . 단결정 및 다결정 실리콘 태양전지Solar Cell3 . 단결정 및 다결정 실리콘 태양전지다결정 실리콘 웨이퍼 제작 과정Solar Cell3 . 단결정 및 다결정 실리콘 태양전지Bulk형 실리콘 태양전지의 제조 방법Solar Cell다결정 실리콘 웨이퍼의 경우 결정질 실리콘 태양전지에 비해 정제 과정 없이 만들수 있어 원가가 30- 40% 정도가 낮다. 다결정 기판의 단점은 전자와 정공이 중간 과정에서 재결합 되어 단결정보다 광효율이 떨어진다는 것이다. 3. 낮은 효율을 보완하기 위해 텍스쳐링, 반사방지막, 스크린 인쇄등의 방법을 사용하고 있으며, 낮은 원가를 경쟁력으로 시장을 확대하고 있다 4. 최종 설치가격은 단결정이나 다결정이 같은 수준이다.3 . 단결정 및 다결정 실리콘 태양전지Solar Cell4 . 박막형 태양전지 (박막 실리콘)Solar Cell4 . 박막형 태양전지 (박막 실리콘)박막 실리콘 태양전지의 제작 과정Solar Cell4 . 박막형 태양전지 (장,단점)실리콘 소요량 1/100으로 절감 가능대형화, 대량, 연속 생산에 유리유리 등 저가 기판 적용 가능간 단 한 제조 공정Solar Cell4 . 박막형 태양전지 (CIGS, CdTe)CIGS(구리-인듐-갈륨-셀레늄] 태양전지의 구조Solar Cell4 . 박막형 태양전지 (CIGS, CdTe)CdTe [Cadmium Tellurium] 태양전지의 구조Solar Cell4 . 박막형 태양전지 (염료감응형, 유기분자형)Solar Cell5 . 태양전지의 시장 형태 (전체 생산량)Solar Cell5 . 태양전지의 시장 형태 (국가별 생산량)Solar Cell5 . 태양전지의 시장 형태 (회사별 생산량)Solar Cell5 . 태양전지의 시장 형태 (국가별 설치 상황)Solar Cell5 . 태양전지의 시장 형태Solar Cell5 . 태양전지의 시장 형태 (태양전지별 점유율)Solar Cell5 . 태양전지의 시장 형태5 . 태양전지의 시장 형태Solar CellSolar Cell5 . 태양전지의 시장 형태감사합니다.{nameOfApplication=Show}

공학/기술| 2007.11.27| 28페이지| 1,000원| 조회(3,368)

cell, 실리콘, 박막, 태양전지, solar

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hall effect(홀 효과)

Hall 효과 란?LOGO목차자기장 플레밍의 법칙 전자의 발견 Hall효과 -Hall효과의 정의 -Hall효과의 생성이유자기장이란?*전하가 주위에 전기장을 만드는 것처럼 자석은 주위에 자계를 만든다 (1)자기장 만드는 방법 -자석(자기 쌍극자)을 둠 -전류가 흐르는 도선을 둠(2)자기장의 정의속도v로움직이는 전하 q는 자기장 속에서 힘을 받음(3)단위= 테슬라(4)여러상황별에서 자기장의 세기중성자별의 표면 커다란 전자석 부근 작은 막대자석부근 지구 표면 우주공간 자기장을 차폐시킨 방2.자기력선(1)정의 *방향 : 갑 점에서의 점선방향이 B의 방향 *밀도 : 자기력선의 밀도는 B에 비례(2)보기: 막대자석 주위에 자기력선 분포(3)자석을 잘라도 자극을 분리 할수 없음플레밍의 법칙전자기현상에 대해 J.A.플레밍이 발견한 법칙. 오른손법칙 : 전자유도에 의해서 생기는 유도전류의 방향을 나타내는 법칙 왼손법칙 : 자기장의 전류에 미치는 힘의 방향에 관한 법칙전기와 자기는 밀접한 관계가 있으므로 발전기와 모터를 비롯하여 여러 곳에 쓰인다. 런던대학의 플레밍교수가 1895년에 이 관계를 설명하면서 플레밍의 법칙이라고 발표하였다.유도기전력은 렌쯔의 법칙에서 회로를 관통하는 자력선의 증가를 방해하는 방향으로 유도전류를 흘리는 것처럼 발생한다. 이 유도전류의 방향을 아는데 편리한 플레밍의 오른손 법칙플레밍의 오른손 법칙*플레밍이 왼손법칙은 여기의 힘 F의 방향을 구하는 것발전기와 플레밍법칙직류발전기- 자계 속에 있는 전기자 코일을 화살표 방향 으로 회전시키면 코일에 유도전류가 흐른다. 코일면이 연직면과 평행이 되는 전후에서는 코일에 발생하는 유도 전류의 방향이 반대가 된다. 그래서 직류 모터의 경우처럼 정류자를 붙이면, 항상 같은 방향의 전류가 흐르게 되는 것이다.전자의 발견전기장E속을 지나가는 대전입자가 형광막의 끝에서 갖게되는 휨의 크기음극선관(CRT)과 직교 전자기장*전자가 전기장과 자기장으로부터 받는 힘전자의 결정 (J. J. Thomson, 1897년)• 전기장 (수직방향) ⇒ 전기력: (수직방향)• 자기장 (수평방향) ⇒ 자기력:(수직방향)전 자기장의 세기를 조절하면 형광점의 위치가 위아래로 조절 됨1) E=0, B=0: 형광점은 화면의 중앙2) E≠0, B=0: 전자선의 형광점이 수직방향으로 이동극판을 빠져 나올때의 수직 위치 :( : 전자의 전하, 1913년 Millikan이 측정)3) E≠0, B≠0 이고 전기력과 자기력이 균형을 이루면 형광점이 화면의 중앙에 옴Thomson의 실험1.E=0,B=0으로 가정하고 직선선속이 만드는 빛점의 자리를 기록한다 2.전기장 E를 가하고 빛점이 휘는 크기와 방향을 측정한다 3.전기장 E를 고정시키고 자기장B를 가한후 빛점이 원래의 자리로 돌아올 때까지 자기장의 세기를 조절한다Thomson은 자신이 발견한 대전입자를 모든 물질속에서 발견할 수 있을 것이라고 주장 함 또한, 가장 가벼운 수소 원자보다 1000배 이상 가벼울 것이라고 주장함결론Hall효과Hall효과의정의-Hall Effect는 도체나 반도체 박막에 자기장을 걸면서 전류를 흘릴 때 전류와 자기장 의 방향과 수직인 방향으로 전압(기전력)이 발생하는 현상Hall Effect의 생성이유전도에 기여하는 전하를 띈 carrier가 자기장에 의해 로렌쯔의 힘을 받기 때문에 발생한다Hall 효과의 이용홀 효과는 전하수송체가 어떤부호의 전하인지 그리고 얼마나 빨리 이동할 수 있는지를 알아낼수 있는 중요한 조사방법일뿐만 아니라, 자기 마당의 크기와 방향을 알아내는 검출기로도 애용됨 EX)자기마당 감지기또한,홀 효과를 이용하면 P형인지,N형인지를 조사할 수있다Hall효과의 원리*홀 전위차 V=Ed (전하의 극성에 따라 좌우전위차의 부호가 달라짐) *전하밀도 전.자기력의 평형 조건에서 eE=evB (1) 전류밀도의 정의에서 V=J/ne=i/neA (2)(교차 전자기장 속에 놓인 구리판)n=Bi/Vle참고문헌www.naver.com www.google.com www.kp.cbu.ac.kr www.cafe.daum.net/physics 일반 물리학(범안 서적)감사합니다{nameOfApplication=Show}

공학/기술| 2007.10.20| 14페이지| 1,000원| 조회(1,371)

자기장, 방향, 전류, 법칙, 플레밍

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Epitaxial Growth

Epitaxial Growth목차1. Epitaxial Growth3. 참고 문헌2. 성장 방법Contents2. 성장 방법3. 참고문헌1. Epitaxial Growth 1.1 정의 1.2 분류1. Epitaxial Growth1.1 정의1.2 분류Epitaxial Growth or Epitaxy기판(substrate) 이라고 부르는 제2의 결정(seed) 위에 방향성을 가진 단결정층을 성장시키는 방법기판 결정의 용융점보다 훨씬 낮은 온도에서 행함이 성장하는 결정층은 기판과 같은 결정구조와 결정방향을 가짐Epitaxial LayerSubstrate1. Epitaxial Growth1.2 분류기판과 에피층이 같은 물질로 구성Ex) 실리콘 기판 위에 실리콘 에피층을 성장시킴Homo epitaxy (동종 에피택시)1. Epitaxial Growth1.2 분류기판과 에피층이 다른 물질로 구성Ex) GaAs 기판 위에서 AlGaAs 3원소 합금의 에피층을 성장시킴Hetero epitaxy (이종 에피택시)Contents3. 참고문헌1. Epitaxial Growth2. 성장 방법 2.1 CVD 2.2 LPE 2.3 MBE2. 성장방법2.1 CVD2.2 LPE2.3 MBE정의기체 상태의 혼합물을 가열된 기판 표면에서 반응시켜 생성물을 기판 표면에 증착시키는 기술현재 상업적으로 이용되는 박막 제조 기술 중 가장 많이 활용되고 있는 기술IC의 생산공정에 있어서는 매우 중요한 단위 공정Chemical Vaper Deposition2. 성장방법2.1 CVD2.2 LPE2.3 MBE장단점융점이 높아서 제조하기 어려운 재료를 융점보다 낮은 온도에서 용이하게 제조할 수 있음증착되는 박막의 순도가 높음대량생산이 가능하고 비용이 적게 듬여러가지 종류의 원소 및 화합물의 증착이 가능공정조건의 제어범위가 매우 넓어 다양한 특성의 박막을 쉽게 얻을 수 있음장점단점높은 반응온도와 복잡한 반응 경로사용기체가 매우 위험한 물질2. 성장방법2.1 CVD2.2 LPE2.3 MBE온도범위CVD 반응은 실온 1250℃의 온도에서 행함온도선택은 CVD 반응의 수준, 고온에서의 막의 결함, 웨이퍼층의 열의 영합을 고려보통의 공정에서는 생산성만 좋으면 낮은 온도를 요구2. 성장방법2.1 CVD2.2 LPE2.3 MBE분류LPCVD (Low Pressure CVD) APCVD (Atmospheric Pressure CVD)수직형 Barrel 형 연속형수평형 회전형DCVD (Dielectric CVD) MCVD (Metal CVD)MOCVD (Metal Organic CVD) MICVD (Metal Inorganic CVD)생성압력Hot Wall Cold Wall벽의 가열여부형형성된 박막의 용도반응재료2. 성장방법2.1 CVD2.2 LPE2.3 MBELPCVD반응기를 외부와 차단하고 진공펌프를 이용하여 반응기의 압력이 0.1 ~ 10 torr의 압력에서 화학반응을 이용하여 기판위에 박막을 증착시키는 방법정의특징정확한 화학 조성 조절이 가능고온 및 고온에너지가 필요없기 때문에 단가가 낮음저압으로 막의 질을 향상동시에 많은 웨이퍼 처리 - 하지만 문제발생시 많은 손실 야기고밀도, 고피복성, 고순도등 막질이 우수국부적인 지역에 선택적인 증착이 가능2. 성장방법2.1 CVD2.2 LPE2.3 MBELPCVDLPCVD 시스템의 개략도2. 성장방법2.1 CVD2.2 LPE2.3 MBEAPCVD원자층의 정확도를 갖는 극도로 얇은 박막증착을 위하여 표면을 원자단위로 한층 한층 공정 제어 할 수 있는 증착 방법정의특징공정이 용이비용이 적게 들며 처리 능력 우수입자오염의 통제가 어려움많은 Carrier Gas가 필요2. 성장방법2.1 CVD2.2 LPE2.3 MBEAPCVDAPCVD 시스템의 개략도2. 성장방법2.1 CVD2.2 LPE2.3 MBEPECVD저압에서 열에너지에 의한 반응 Gas를 열분해하고 고압에 의해 여기시켜 기판위에 박막을 증착시키는 방법정의특징LPCVD/APCVD 보다 낮은 온도에서 증착이 가능열에 의한 반응보다 퇴적율이 높음높은 접착력, 낮은 Pinhole 밀도, Step Coverage 가 좋음잔류 Gas 의 존재가 높음균열, 박막의 벗겨짐이 심함MOS 소자의 특성 변화가 발생할 수 있음2. 성장방법2.1 CVD2.2 LPE2.3 MBEPECVDPECVD 시스템의 개략도2. 성장방법2.2 LPE2.3 MBE정의III-V 족 화합물 반도체의 에피층 성장에 있어서 가장 간단하면서도 광범위하게 사용되는 결정성장 방법Liquid-Phase Epitaxy기판은 결정구조의 연속성을 위해서 성장되는 에피층과 비슷한 결정구조와 격자상수를 가져야 함기본적으로 LPE는 성장되어지는 물질로 포화내지는 과포화 상태인 용액으로부터 단결정 기판위에 에피택시층을 성장시키는 것을 의미이 기법은 충분히 낮은 온도에서 단결정을 성장시킬 수 있어서 이 결정의 용융 온도에서 결정을 성장시킬 때 생길 수 있는 대표적인 불순물 혼압등의 문제를 제거 할 수 있음2. 성장방법2.2 LPE2.2 LPE2.3 MBE대류현상용액 내에서의 구성 요소들이 확산이나 온도 및 구성 물질들의 차이에 의한 대류현상이 LPE 공정에 영향을 미침LPE 갈륨비소 성장시의 대류현상 원인2. 성장방법2.2 LPE2.2 LPE2.3 MBE성장기술기울기 반응로의 개략도용액이 반응로의 기울음에 의하여 기판과 접촉이 일어나게 함기울기법 (Tipping)2. 성장방법2.2 LPE성장기술담금법을 이용한 LPE 성장장치수직로 내에서 기판을 용액속에 넣음으로 기판과 용액과의 접촉이 일어나게 함담금법 (Dipping)2.3 MBE2. 성장방법2.2 LPE성장기술비소포화용 소스를 갖고 있는 미끄러빔 보우트 LPE미끄러짐법 (Sliding)2.3 MBE용액 아래로 기판을 미끄러져 이동되게 함으로써 접촉이 일어나게 함다층 에피택시를 효휼적으로 성장시킬수 있음용액의 대류 현상을 방지할 수 있음2. 성장방법2.3 MBE정의단결정 기판 위에 결정방위가 같은 단결정 박막을 성장시키는 방법의 하나Molecular Beam Epitaxy초진공실 안에서 원료물질을 가열하여 증발시킨 분자 빔으로 기판 위에 결정을 성장저온 공정도핑의 정교한 조절로 복잡한 도핑 프로파일 가능화학반응이 없음경계층의 이동에 의한 반응 기체 흐름의 복잡성이 없음장점2. 성장방법2.3 MBE장점2. 성장방법2.3 MBE개략도MBE 성장장치 개략도2. 성장방법2.4 시스템CVD2. 성장방법2.4 시스템LPE MBE3. 참고문헌http://www.naver.com반도체 공정기술 -생능출판사-http://www.google.co.krhttp://www.ksia.or.krhttp://www.iipp.or.kr감사합니다.{nameOfApplication=Show}

공학/기술| 2007.10.20| 30페이지| 1,000원| 조회(894)

결정, 기판, Electrical, Epitaxial, Growth

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Czochralski method

Czochralski methodCzochralski 약력 Cz method 원리 Cz method 공정 응용분야차 례1885년 폴란드 태생 1900년 베를린으로 이주 1907년 AEG 근무Czochralski1916년 Cz method 개발 1929년 바르샤바 기술대학 1953년 사망Czochralski성장 공정은 1412℃ 이상 유지. 진공상태 필요. 단결정 성장장치는 안정적인 환경 조건을 유지.조 건도핑(doping)이란? 높은 전도성을 얻기 위해 의도적으로 불순물을 주입하는 과정 분리계수(segregation coefficient)이란? K = Cs / C1 (Cs: 성장하는 결정에 존재하는 도펀트의 평형 농도 C1: 용융상내에 존재하는 도펀트의 평형농도)DopingN-Type : 5가 원소(P)DopantN –type 반도체DopantP-Type : 3가 원소(B)DopantP –type 반도체DopantCz methodCz methodIngot부 품단결정 주괴 Wafer crucible단 점IC, LSIIC(집적회로, Integrated Circuit) : 많은 전자회로 소자가 하나의 기판 위 또는 기판 자체에 분리가 불가능한 상태로 결합되어 있는 초소형 구조의 기능적인 복합적 전자소자 또는 시스템 LSI (고밀도집적회로, Large Scale Integrated Circuit) : 다수의 집적회로(IC)를 1장의 기판위에 상호배선하여 고차(高次)의 집적화한 것. CPU (중앙처리장치, Central Processing Unit) : 명령어의 해석과 자료의 연산, 비교 등의 처리를 제어하는 컴퓨터 시스템의 핵심적인 장치.응용 분야응용 분야{nameOfApplication=Show}

공학/기술| 2007.10.20| 15페이지| 1,000원| 조회(1,535)

집적회로, Method, Czochralski, Cz, Dopant

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CRT

CRT(cathode-ray tube)Content1. CRT란?2. Display 비교 및 기술 발전방향역사구조 및 원리분류응용비교기술 발전 방향제조 공정CRT역사50,000대의 CRT가 생산1939년Vladimir K. Zworykin, 모든 전자적 텔레비전 시스템을 제시1929년Von Ardenne, 고진공 CRT 개발1928년Karl Ferdinand Braun(1850-1918), 현대적인 음극선관(CRT, Cathode Ray Tube)을 발명1897년J. T.MacGregor-Morris, Zenneck CRT 개발1902년연간 2백만대 이상이 생산1944년H. J. van der Bill과 John B. Johnson, Western Electric type 224-A 개발 미국에서의 첫 번째 상업적인 CRT (Johnson tube로 알려져 있음)1921년Artur Rudolph Berthold Wehnelt, oxide가 코팅된 고열 음극(hot cathode)의 개발1883년Julius Plucker, 음극에 의해 방출된 빔이 자기장에 의해 편향될 수 있음을 관찰1859년Heinrich Geissler, 진공 펌프를 개발1855년William Watson, 두전극을가진 진공 유리관에 인가된 전압이 Tube 안의 잔존 기체로부터 밝은 빛이 방출시키는 결과를 발표1751년Vincenzio Cascariolo 최초의 인공 형광체1603년Karl Ferdinand Braun1850~1918 독일 고체물리학자 무선 전신연구로 Guglielmo Marconi와 함께 1909년에 노벨물리학상을 받았다 음극선관 발명1897년 Strassbourg 대학에서 발명CRT의 구조섀도우마스크형 컬러브라운관 높은 진공으로 배기된 유리용기 (Panel / Funnel)의 Panel, 인화된 형광막, 섀도우마스크, 전자총CRT의 주요부품Panel(전면유리), Funnel(후면유리), 전자총, CPM, 편향요크, Frame, Mask, Inner Shield,형광체, 내외장 흑연 및 Band로 구성CRT의 원리송상측에서 피사체를 적, 녹, 청의 광 학 필터를 사용하여 피사체에 포함되어 있는 색 성분을 색 신호의 3색성분으로 분해, 전송 수상측에서는 적, 녹, 청으로 빛을 내 는 브라운관을 마련하고, 이들 3개 신호 로 적, 녹, 청의 화상을 내어 이것을 하나 로 겹침으로서 원래의 피사체와 같은 색 의 화상을 재현칼라 CRT의 기본원리3개의 전자총(정삼각형) 가열된 캐소우드는 선단의 산화물에 서 열전자를 방출 전자빔은 각각에 해당 하는 형광점에 충돌 열전자가 그리드를 통과하면서 가속 정전 렌즈작용으로 빔 형태로 형광면에 도달 유니포텐셜형 전자총 – 흑백 브라운관의 전자총 바이포텐셜형 전자총 – 컬러 브라운관의 전자총전자총CRT의 원리CRT의 원리형광면과 평행 약 30만개의 작은 원추형 구멍 피치를 작게 할수록 높은 해상도 구멍의 직경이 클수록 전자빔의 투과 율이 좋고, 화면이 밝아짐 전자빔의 투과율은 화면 중앙부에서 15-18% 검은색 – 열 방출 용이형광면전자빔이 형광점을 조사 빛 발생 교차에 의한 역삼각형 3전자빔은 독립적으로 R, G, B를 발 광섀도우마스크CRT의 원리수평편향코일 수직편향코일 전자력(코일에 흐르는 전류의 양, 방 향)편향수평주사(왼쪽→오른쪽) 수직주사(위쪽→아래쪽) 실제 TV주사선 525개(1초간 30장) 깜박임을 방지하기 위해 비월주사 방 식을 씀주사CRT의 분류화면의 가로 세로 비율이 4:3인 제품과 16:9인 Wide제품으로 구분되며, Wide제품은 Digital 본격화에 따라 시장이 확대되고 있음화면 비율에 의한 분류 (4:3 대 Wide(16:9))Panel(전면유리)의 외면곡율이 평평한 것은 Flat 제품이고, 둥근 것은 Curved 제품임전면유리의 외면곡율에 의한 분류 (Flat/Curved(Normal))Formed Mask는 프레스로 Mask를 성형한 제품으로 Cost에 유리하나, 품위 측면에서는 Tension 대비 열세 Tension Mask는 Frame을 가압하여 Mask를 용접할 경우 생기는 인장력(Tension)에 의해 Mask 가공 Tension Mask 방식은 충격, Flat한 곡률 설계, 평면감, Local Doming등에서 Formed Mask방식보다 유리하나, 원가면에서는 불리Mask 성형 기술에 의한 분류 (Tension Mask/Formed Mask)제조 공정1. Mask2. Black MatrixShadow Mask를 일정한 곡율로 성형하고 흑화 열처리한다 Panel 내부에 장착될 부품을 용접,조립한다3. SlurryPanel에 형광체를 G,B,R 순차적으로 도포색순도를 증가시키기 위한 흑연을 도포 (Black Matrix)하여 R.G.B형광체가 도포 되는 구간을 설정한다.제조 공정4. 락카Panel에 락카(Lacquer) Spray 도포5. AL증착형광체의 밝기를 증대시키고, Tube내 잉여전자의 방출을 용이하게 하기 위해 고순도의 Al을 증발·확산시켜 2000~3000Å 두께의 Al 막을 형성6. Funnel가공도전성 흑연을 Funnel 내면에 도포 Frit를 Funnel 접합면에 도포제조 공정7. 봉착Panel과 Funnel을 서로 결합8. 봉입봉착완료된 Bulb(Panel + Funnel)에 전자총을 삽입9. 배기고진공을 만들어주기 위해 브라운관 내부의 공기와 전극 및 Cathode의 가스를 제거10. Aging전자방출 능력이 최적의 상태가 되도록 처리해 주는 공정11. 외장·BandingFunnel 외면에 흑연을 도포 금속띠를 두르는 공정제조 공정12. Coating① 외광반사 방지로 눈의 피로도 개선 (Non-Glare) ② On/Off시 정전기 제거 (Anti-Static) ③ Contrast 향상 (Anti-Reflective) ④ 대전방지로 Dust 부착 방지 (Alternating Electric Field)13. ITCCoating까지 완료된 Bare 제품에 DY(편향요크) 및 CPM을 상호 매칭응용분야CPT 응용분야고휘도로 잘 보이나 문자나 그래픽 표현력이 떨어짐 컬러TV를 말하며 이외에도 노래방기기의 모니터, CAFE나 FASTFOOD점, 헬스센터 등 천정에 달린 크고 작은 비디오 또는 TV수신 등의 모니터도 이에 해당한다.응용분야CDT 응용분야고해상도의 문자나 그래픽 표시에는 뛰어나나 휘도가 낮아 주변 환경이나 거리 등의 제약 CDT는 컴퓨터 모니터로 주로 이용되며, 이외에도 방송용 모니터, 고해상도 모니터, 게임기용 모니터 등에도 응용됩니다.디스플레이 구분디스플레이 기기 비교가격휘도, 대형화CACAAAABDMD개발단계CRT, LCD 장점 공유ACAAABAAFEDFull Color 수명박형, 해상도BCAAACBAEL해상도대형화AABAABACLED고가격, 소비전력대형화CABAAAABPDP해상도, 대형화저전압에서 고휘도BCBAACACVFD가격, 대형화박형, 제품성숙ACABCACALCD부피기술성숙, 가격CBCAAAAACRT불리한 점유리한 점소비전력대형화박형화응답속도시야각풀칼라휘도해상도상품화 전망 조건평가요소구분브라운관의 가장 큰 장점은 낮은 가격과 더불어 뛰어난 색 재현과 밝고 선명한 품질을 들 수 있다. 현재 가장 문제가 되어왔던 CRT의 평면화가 세계 CRT 업체들에 의해 실현되었으며 최근 들어 Energy saving이나 Slim에 초점을 맞춘 CRT도 속속 개발되고 있다CRT 최근 동향브라운관 시장은 평면 디스플레이어에 밀려 하락세 CRT 성숙기를 넘어 쇠퇴기CRT 기술CPTDynaFlat TM CPT ATOM CPT Anti-Doming Print NP SCN Technology Nanofilter TechnologyCDT슬림형 평면 고해상도 저 소비전력Flat Techonology 고휘도 기술LG필립스디스플레이의 초슬림 브라운관 전용라인참고 문헌네이버 / 구글 검색삼성SDI -http://www.samsungsdi.com/contents/kr/main.jsp한국디스플레이장비재료산업협회 - http://www.kodemia.or.kr/index.asp모니터포유 - http://www.monitor4u.co.kr/main/감사합니다.{nameOfApplication=Show}

공학/기술| 2007.10.20| 23페이지| 1,000원| 조회(554)

CRT, 피사체, 전자총, panel, Braun

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