Prob. 1) Dynamic CMOS (10 pts)Suppose we wish to implement the two logic functions given by F = A + B + C and G = A + B + C + D. Assume both true and ..
Full CMOS XOR GATE Layout, SPICE Simulation위의 layout은 별도의 gate를 사용하지 않고 transistor level에서 CMOS XOR GATE를 직접 구현 한 예시이다. 이 구현에서는 총 4개의 PMOS와 4개의 NMOS가 ..
• Solutions❑ MAGIC에서 EXTRACT한 OR GATE의 Delay, Power❑ SPICE 코드 및 설명, 시뮬레이션 결과 및 파형input signal은 실습시간에 했던 and와 동일하게 넣어주었다.이를 엑셀로 확인해보면 다음과 같다.OR GATE에 대..
❑ 2-to-1 MUXMUX의 gate level을 보면 2개의 and gate, 1개의 not gate, 1개의 or gate가 필요한 것 을 알 수 있다.또한, boolean equation에서도 확인해보면, 2 to 1 MUX는..❑ 2-to-1 MUX tansi..
• SolutionsStatic CMOS Full Adder Schematic Layout그림1을 참고하여 Static Cmos Full Adder 를 그렸다. 12개의 PMOS, 12개의 NMOS, Inverter 2개에 대한 4개의 트랜지스터로 총 28개의 트랜지스..
OR은 NOR + INVERTER로 만들 수 있다. 레이아웃에서 둘의 레이아웃을 합쳐서 만들었고, 이에 대한 파형을 확인해봤다. 확인해본 결과, 결과가 제대로 나온 것을 확인할 수 있다.•Discussions이번 시간은 지난 주의 실습에 이어 추출하고 그에 대한 파형을..
프로그램 특성상 회로도를 구성하고 있는 XOR게이트, AND게이트, OR게이트를 모두 다 NAND게이트, NOR게이트, 인버터로 구성된 회로도로 바꿔 줘야 함. 2) Cout을 구성하는 ... < CAD Assignment #2 > 1. 1비트 전가산기 논리회로 분석 및 변환 Fig. 1 1) NAND게이트, NOR게이트 인버터만 layout할 수 있는 Microwind ... Fig. 3 4) 최종적으로 Microwind로 layout을 수행하기 위한 1비트 전가산기 회로는 위 내용들을 참고하여 다음과 같은 구성 으로 변경 가능(7개의 NAND 게이트,
필수적인 회로들을 모두 배열해두고, 이제 그들을 적절히 연결하여 기능하는 회로를 완성할 차례였다.가장 고심한 부분은 "회로 구성 요소들을 어떻게 배치해야 할까"하는 문제였다. ... 초점은 먼저 순차회로의 물리적 배열을 위한 D-flip flop의 설계였다. ... •Discussions이번 프로젝트의 핵심은 Ripple Carry Adder에 D-flip flop을 통합해 순차회로를 실현하는 것이었다.
Simulation results & analysis우선 인버터 회로는 정상적으로 작동하고 있다. ... 트랜지스터가 on, off 과정을 거칠 때 간단하게 저항으로 생각해 본다면(이 저항 값은 계속 바뀐다.), 스위칭 되는 과정에서 RC회로가 형성된다. ... RC회로의 time constant는 RC이므로 delay는 R과 C의 값에 비례함을 알 수 있다. 시뮬레이션 결과를 보면 와 의 값이 비슷하게 나타난다.
Digital Integrated Circuits 0. Description of my design There are various type of inverters, resistive-load inverter, NMOS-load inverter, Complimentar..
1.1. Project 개요Project는 다음과 같은 방식으로 진행하였다. 먼저 설계를 용이하게 만들기 위한 P, NMOS의 Width 비율을 결정하였다. 두번째로 D-Flip Flop의 구조를 선택하였다. Latch 두개가 연결된 D-Flip Flop과 TSPC D..
Solutions➔FULL-Static CMOS NAND GATE에 대한 Magic 레이아웃 및 각 부분에 대한 설명1.NMOS단 과 GND⦁n-diff, ndc, poly를 이용해 NMOS를 그린다.⦁n-diff : 실리콘 웨이퍼에 n-type 도펀트를 도입⦁ndc ..
이번 실습은 NAND, INVERTER, AND에 대해 SP파일로 코드를 작성하고, 이에 대한 결과 및 파형을 분석해보는 시간이었다. 처음 다뤄보는 툴이라 익숙하지 않았고, 코드 작성도 특정한 틀에 따라 코드를 작성해야 해서, 하나하나 외워가면서 코드를 작성했다. 특히..
전자회로응용 및 물성실험 결과보고서 전기공학과 2017732038 실험 회차 : 10 실험 명 : 집적회로 소자 공정 미세 분석법 실험 10 집적회로 소자 공정 미세 분석법 I. ... 개요 집적회로의 공정 및 재료분석법에 있어서 대표적인 미세분석법(microstructure analysis)에 대한 원리를 이해하고자 한다. ... 또한 SEM 분석을 통해 소자 및 재료의 미세 구조 및 두께 등의 육안으로 파악할 수 있는 분석법을 익히며, 이를 통해 실제 직접회로 소자 공정 및 분석에 있어서의 마이크로/나노 스케일의