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SE, BSE 차이점, EDS에 대하여 평가B괜찮아요

REPORT- 에너지 신소재 실험과 목 :에너지 신소재 실험교수님 :정승부 교수님전 공 :신소재 공학과학 번 :2001301887이 름 :오동현▣ SE(Secondary Electron)와 BSE(Back Scattered Electron)의 차이점■ SE(Secondary Electron)란?(a) Back Scattered Electron (b) Secondary Electron- 보통 SE라고 하는 것은 이차 전자, 혹은 자유 전자를 말한다. 예를 들어 금속면에 어느 에너지 이상으로 가속된 전자를 충돌시키면 금속 내부의 전자가 그 에너지의 대부분을 흡수하여 일함수 이상의 에너지를 가지게 되어 금속 바깥으로 방출되는데 이 현상을 2차 방출이라고 한다. 이때, 금속에 충돌시킨 전자를 1차전자(Primary Electron), 충돌에 의해 방출된 전자를 2차전자(Secondary Electron)라 한다. 2차 전자 방출은 1차 전자의 입사 조건에 따라 그 양과 방출되는 특징이 달라지며, 이는 TV의 촬상관이나 전자증배관에 사용된다.■ BSE(Back Scattered Electron)란?- BSE는 SE와 비슷하게 금속면에 전자를 충돌시켰을 때 금속 내부에 있던 전자가 그 에너지의 대부분을 흡수하고 튀어 나오는데, 그 전자를 BSE라고 한다. 이것은 SE와 비슷하게 취급하지만 그 성질이나 용도가 다르기 때문에 SE와 구별된다.■ SE(Secondary Electron)와 BSE(Back Scattered Electron)의 차이- 이 두 전자는 보통 주사전자현미경(SEM)의 원리에서 중요하게 생각되는 요소로써, 시료에 1차 전자가 조사되면 2차전자(Secondary Electron) 및 X-ray, 후방산란전자(Back Scattered Electron)등이 방출되게 되는데 이것들은 시료의 정보를 가지고 있으므로 시료의 특징을 파악하는데 중요한 요소가 된다. 이 두 전자의 가장 큰 차이는 SE는 표면의 거칠기에 의한 Contrast로 시편의 정보를 얻어내는 반면, BSE는 원자 번호에 따른 Contrast로 시편의 정보를 얻어내는 것이다. 이밖에 두 전자는 용도는거동과 성질, 특징에 따라서 구별된다.1. 거동면 (탄성산란과 비탄성 산란)- 먼저 BSE는 탄성산란 거동을 보이는 전자로 전자의 속도나 에너지는 거의 잃지 않고 방향만을 바꾼 전자이다. 이는 전자가 시편 내 원자핵과 충돌하거나 혹은 매우 가깝게 통과할 때 발생한다. 1차전자의 에너지와 비교했을 때 80%이상 에너지를 잃지 않으며, 보통 50eV 이상의 에너지를 가진다.반면에 SE는 비탄성 산란을 보이는 전자로 입사 전자빔이 시편의 원자와 상호작용하여 방출되는 입사전자빔보다 낮은 에너지를 가진 전자이다. 보통 50eV 이하의 에너지를 가진다.2. 조사된 전자의 에너지- 조사된 전자의 에너지가 클수록 비탄성 산란이 잘 일어나며 빔의 굴절이 작고 침투가 커진다.3. Atomic Number Contrast (Material Contrast)- 보통 원자 번호가 클수록 BSE의 방출이 많아진다. 보통 SEM에서 BSE Mode를 사용할 때는 원자 번호에 따른 밝기의 차를 이용한 것으로 보통 박막의 두께측정 등에 용이하다. 각 phase를 이루고 있는 atom들의 조성이 다르면 atomic number에서 차이가 나게 되므로 contrast의 차이가 나타난다. 반대로 말하면 SEM을 이용해서 각 부분이 서로 다른 조성을 이루고 있음을 알 수 있는 것이다. SE Mode에서 Atomic Number Contrast는 에 의한 차이는 거의 없다.4. Topographic Contrast- 가장 현저한 contrast 효과는 secondary electron yield와 back-scattering coefficient가 시편 표면과 입사빔이 이루는 각도에 상당히 의존적이라는 것이다. 즉, 2차전자 발생 효율에 미치는 인자로서 입사전자빔이 시편의 면과 이루는 각도를 생각할 수 있는데, 만일 입사빔에 시편면과 90도의 각도로서 충돌하게 되면 전자빔이 시편내로 깊게 침투하게 되고 따라서 시편 내부에서 발생한 2차전자들이 시편 바깥으로 나올 수 없게 된다. 반대로 입사빔이 시편면과 거의 평행에 가까울 정도로 입사하게 되면 전자빔이 시편내로 깊숙히 침투하지 못하게 되므로 많은 수의 2차전자들이 시편 바깥으로 나와 detector에 탐지되게 된다. 둥글게 생긴 물체가 납작한 물체보다 전자빔에 대하여 작은 각도로 위치할 가능성이 높으므로 둥글게 생긴 물체의 바깥쪽으로 둥글게 생긴 영역이 뚜렷이 나타나는데, 이는 2차전자 발생 효율이 높기 때문이다.5. Edge Contrast- edge는 electron escape이 일어나는 부분이 deform 된 부분이다. positive edge에서는 더 많은 SE와 BSE가 방출될 수 있고, negative edge에서는 electron yield가 additional absorption에 의해 줄어든다. 시편의 얇은 모서리 부분이나 돌출된 부위에서는 2차 전자들이 시편 밖으로 탈출할 확률이 높기 때문에 이와 같은 가속전압이 높으면 전자빔이 시편 내로 침투하는 깊이가 증가하므로 contrast가 감소하지만 시편의 모든 형상(topology)으로부터 2차 전자들이 방출될 확률을 증가시킬 수 있다. edge contrast 효과는 radius of curvature 등에서 edge의 정확한 모습이 관찰되는 것을 방해하며, primary electron의 에너지를 줄임으로써 약화시킬 수 있다. 하지만 이 효과는 때로는 phase 내 particle의 경계를 구분할 수 있게 함으로써 도움을 줄 수도 있다.또한 시료 표면의 굴곡 정도에 따라 방출 2차전자의 양이 다르며, 이는 표면의 2차원적인 모양의 정보를 갖고 있다. SEM의 SE Mode에서 시편 부위가 입사빔의 spot에 노출되고 시편의 면이 SEM의 Detector를 향해 있을 때 가장 높아 CRT에 밝게 나타난다. 또한 시편 면으로부터 돌출된 얇은 부위는 넓고 평탄한 시편부위보다 밝게 나타나는데 이를 ‘Edge Effect' 라고 한다. 보통 SE Mode는 요철에 의한 밝기의 차이를 확인할 때 사용된다.

공학/기술| 2006.12.25| 4페이지| 1,000원| 조회(2,645)

SE, bse, EDS, SEM 원리, 전자 산란

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[공학]단결정 성장법, NPN접합의 특성, 학회 감상문

정보 전송 재료- 단결정 성장법- NPN접합의 특성- 학회 감상문과 목 :정보전송 재료담당교수 :윤대호 교수님학 부 :신소재 공학부학 번 :성 명 :▣ 단결정 성장법1. 초크랄스키법 (Czochralskimethod: CZ법) 초크랄스키법 개략도- 초크랄스키법은 게르마늄단결정의 양산(量産)에 활용되고 있으며, 또한 실리콘단결정 제조에도 이용되고 있다. 실리콘단결정 제조의 경우에는 먼저 고순도 실리콘다결정을 고순도의 석영도가니 안에 넣고, 이것을 도가니 홀더 바깥둘레에 장치한 카본 히터로 가열하여 용융시킨다. 그리고 이 용융액에 종자결정인 실리콘단결정을 담근 다음, 이 단결정을 매분 10회 정도 회전시키면서 매분 1∼2㎜의 속도로 끌어올리면 된다. 이때 도가니와 함께 용융액을 결정의 회전 방향과는 반대 방향으로 회전시켜야 한다. 이상과 같은 조작으로 균일성이 뛰어나고 지름도 큰 실리콘단결정이 만들어진다. 이 제조법으로 초기에는 지름이 약 20㎜인 실리콘단결정이 만들어졌는데, 기술과 장치의 개량으로 해마다 평균 약 6∼7㎜씩 증가하여 지금은 120㎜ 정도의 큰 실리콘단결정도 만들 수 있게 되었다. 플로팅 존법 개략도2. 플로팅 존 법 (Floating Zone Method : FZ법)- 플로팅존법은 게르마늄다결정 등의 물리적 정제에 이용되었던 띠정제기술을 발전시킨 것으로 실리콘단결정 제조에도 응용되고 있는데, 오염의 원인이 되는 도가니 등의 용기를 전혀 사용하지 않기 때문에 이 기법으로는 고순도의 단결정을 얻을 수 있다. 이 기법에서는 우선 장치 안에서 부유용융띠를 다결정과 단결정의 중간에 만든다. 이 부유용융띠는 유도코일에 고주파전류(주파수 2∼3MHz)를 흐르게 하여 코일가열을 하는 방법으로서 결정을 부분적으로 용융하는 방법으로 만들면 된다. 그리고 다결정과 단결정을 서로 반대 방향으로 회전시키면서 부유띠 아래의 단결정을 성장하게 한다. 이 과정에서 부유띠는 용융물의 부착력과 응집력에 의해 유지될 뿐이므로 역학적으로는 불안전하지만, 제어기술의 발달로 지금은 이 기법에 의해 초크랄스키법으로 제조되는 것에 가까운 정도로 큰 반도체단결정을 만들 수 있게 되었다. 실리콘이나 게르마늄 등의 흩원소물질반도체와 같이, 녹는점에서의 증기압이 극히 낮은 성분으로 이루어진 반도체결정은 진공이나 아르곤가스 속에서도 성장시킬 수 있다.3. 액체캡슐법- CZ법 또는 FZ법을 사용할 때 녹는점에서의 휘발성이 높은 성분이 함유된 화합물 등 고휘발성 성분의 반도체결정을 만드는 경우에는, 그 성분의 증발을 막는 기법이 필요하다. 예컨대 인화갈륨(갈륨인)의 녹는점(1467℃)에서 인의 증기압은 35기압이므로, 인화갈륨용액에서 인화갈륨반도체의 결정을 만들기 위해서는, 그와 같은 고온·고압하에서 결정을 성장시키지 않으면 안되는 난점이 있다. 그러나 인화갈륨용액 위에 산화붕소를 띄우면, 이것이 그 용액 전체를 덮게 되어 필름을 형성하여 물질의 증발을 방지하게 하는 방법이다. EFG법 개략도4. EFG법 (Edge-Defined Film-Fed Growth Method)- 이 방법은 도가니 내부에 다수개의 모세관이 형성된 모세관다이를 형성하고 그 외부로 융액의 표면을 가압할 수 있는 실린더를 설치하여 대형의 단결정을 성장시킬 수 있도록 한 것에 관한 것 이다. 구체적으로는, 컴퓨터에 인상장치 및 고주파가열장치를 연결하여 결정의 인상 및 도가니내의 온도가 제어되도록 하며, 상기 인상장치에는 종자결정이 부착된 인상축을 설치하여 모세관 현상을 이용하여 용액으로부터 결정을 성장시킬 수 있도록 하며, 상기 컴퓨터에는 실린더 수직이동 장치를 연결하고, 상기 실린더 수직이동장치에는 원통형 실린더를 설치하여 용액의 표면이 하강하여 융액의 압력이 저하되는 것을 보상해줄수 있도록 하며, 상기 도가니의 내부에는 다수개의 원통형 모세관이 형성된 모세관 다이를 설치하고, 상기 모세관 다이의 저면에는 용액유입공를 다수 개 천공시킨 것으로서, 간단한 장치로 대형의 결정을 성장시킬 수 있도록 한 것이다.5. Bridgeman법 (Bridgeman Method)- 로 안에서 온도구배를 이용하여 단결정을 성장시키는 방법으로 주로 비소화갈륨(갈륨비소)의 단결정 제조에 응용되고 있는데, 제조 과정은 우선 비소화갈륨과 비소화갈륨의 종자결정 및 과잉비소를 석영앰풀에 봉입하고, 온도 조절을 한 과잉비소를 공급하면서 녹는점에서의 비소화갈륨의 비소압을 유지하여 비소화갈륨의 분해를 억제하면, 비소화갈륨의 결정이 성장하게 된다. 이상과 같은 기법으로 제조된 단결정은 절단·연마의 공정을 거쳐 박판(薄板:웨이퍼)으로 만들어져 반도체결정으로서 이용된다.▣ npn 반도체에서의 전자의 이동1. 트랜지스터의 의의- 증폭작용을 주목적으로 하는 소자로써 PN접합 다이오등 2개를 연속적으로 접합시킨 구조를 하고 있으며 접합순서에 따라 NPN트랜지스터와 PNP트랜지스터로 나눌 수 있다. 이들 트랜지스터는 세 개의 단자 중 1-2개를 공통단자로 하고 나머지 하나는 입력단자, 또 다른 하나는 출력단자로 하여 다양한 증폭작용을 할 수 있다. npn반도체의구조2. 구조- 컬렉터, 베이스, 이미터 순으로 접합되어 있는 것으로 컬렉터는 캐리어를 모으는 곳이고 이미터는 캐리어를 내보내는 곳이다.3. 원리 캐리어의 농도 결핍층의 전기장 방향 및 전자와 홀의 분포 바이어스의 역할- 양쪽의 N형 반도체 즉, 컬렉터에 비해 이미터 쪽의 다수캐리어 농도를 훨씬 크게 Doping 함으로 기능상 차별을 기함과 동시에 전류전도의 효율을 기한다. 왼쪽의 그림에서 이미터와 베이스 사이는 캐리어의 농도가 상대적으로 크기 때문에 결핍층이 좁고, 베이스 컬렉터간은 농도가 작기 때문에 결핍층이 넓다. 아래 그림은 결핍층의 전기장의 방향과 전자와 홀에 대한 전위분포를 나타낸다.- 옆의 그림에서 알 수 있듯이 전위장벽 때문에 이미터나 컬렉터의 전자들은 상대영역으로 들어갈 수가 없다. 마찬가지로 베이스의 홀도 이미터나 컬랙터로 들어갈 수가 없어서 바이어스가 없는 상태에서는 전류의 전도가 일어나지 않는다.만일 이미터의 전자가 컬렉터로 가기 위해서는 베이스-이미터간의 장벽은 제거 되어야 하며, 베이스-컬랙터 간은 더욱 강화 되어야 한다. 이렇게 바이어스를 걸어주면 이미터의 전자가 모든 장벽을 극복하고 컬렉터 쪽으로 이동할 수 있으며 이를 활성 되었다고 한다. 즉, 전위장벽에 의한 전기장보다 바이어스에 의한 전기장의 효과를 크게 함으로써 전위 장벽을 제거한다. 이렇게 됨으로써 이미터쪽의 전자가 쉽게 컬렉터로 이동 할 수 있다.3. 트랜지스터의 증폭 작용 전류의 이동1) (-)전극에 의해서 이미터에서 넘어온 전자는 베이스의 홀과 활발하게 결합함으로 베이스 영역 중 이미터쪽이 컬렉터쪽보다 전자의 농도가 높으며, 베이스의 두께가 얇고 또한 홀의 농도가 높지 않기 때문에 이러한 전자들은 콜렉터쪽에 생성된 공핍층의 전자기장에 의해서 이미터쪽에서 컬렉터쪽으로 확산에 의해 전자가 이동한다. 이를 확산 전류라 한다.2) 이미터 쪽에는 바이어스의 음극이 연결되어 있음으로 이미터의 전자는 음극에 밀려 베이스쪽으로 이동하고 컬렉터의 전자는 바이어스의 양극에 의해 끌려서 컬렉터단자 쪽으로 이동한다. 이런 효과에 의한 전류를 표동전류라 한다.3) 베이스의 홀은 이미터에서 넘어온 전자와 결합하므로 없어진다. 이를 채우기 위해 베이스 단자에서 홀이 공급되어야 한다. 이를 다시 말하면 베이스 단자로 전자가 빠져 나감을 의미한다. 즉, 이미터에서 넘어온 전자의 일부는 베이스 단자로 누설되고 나머지가 컬렉터쪽으로 이동하게 되며, 베이스 단자로 나간 전자에 대한 컬렉터 쪽의 전자의 비는 일정하며 이를 증폭률이라 한다. 이러한 증폭률에 의해서 이미터 쪽에 1mA정도의 전류만 걸어주더라도 콜렉터 부분에서는 100mA이상의 증폭전류를 얻을 수 있게 되는것이다.▣ 학회를 다녀와서...처음 학교에 도착해서 제2공학관 앞쪽에 있는 많은 사람들과 많은 장비들에 눈을 돌리지 않을 수 없었다. 단순한 학회라고 생각했던 나에게 세라믹 학회라는 큰 학회는 전공에 대해 처음 느껴보는 큰 행사였기 때문이다. 복도에 나열되어 있던 장비들과 A room, B room 등에서 진행되던 학회들, 문 앞에 붙어 있던 학회 Title을 보고 난 후, 나는 학회에 대한 강한 매력을 느꼈다. 다들 어려운 내용이고 이해하기 힘든 내용임이 분명하였지만 내 전공과 관련돼 있는 것이 확실했고 내가 이해할 수 있는 부분도 있으리라 생각했기 때문이었다. 나는 그 중에서 나의 관심을 많이 끌었던 강의를 두 개 선택하여 보았다.1. 고휘도 LED용 전도성 산화물 토명전극 나노기술의 이용- 주제는 기존의 투명 전극을 사용하되 어떻게 효율적으로 사용하여 LED 의 성능을 최적화시킬 것인가 이었다. 최근 여러 방면에서 저전력, 저가 등으로 각광받고 있는 LED에 대한 강연이어서 더욱 관심을 끌었다. 이러한 LED 상품의 관건은 발광 효율을 올리는 것이었다. 양질의 material을 사용하여 어떻게 Energy Gap을 낮추고 발광 효율을 올리는지가 대 주제가 되었다. 이러한 발광 효율을 높인다는 것은 즉 photon의 수를 늘리는 것인데 이는 current injection과 관련이 깊었다.Lmax = ?ext ? Inax = ?ixt ? Cextr ? Inax여기에서 material의 저항을 낮춰 energy gap을 낮추는데 Nano Particle을 사용했다고 발표 하였다.PT를 듣는 동안 얼마 전 삼성전자 LCD 면접 준비 때문에 Display 재료에 대해서 공부를 해둔 것이 많은 도움이 됐다고 느꼈다. 또한 이러한 학회에 직접 내가 가서 이해 할 수 있는 부분이 조금이라도 있다는 것에 자부심을 느꼈지만 대학 4년 동안 배운 지식으로는 한계가 있음을 느낀 점이 안타까웠다. 학부생활 동안 여러 강의를 들어 보았지만 전문적인 쪽으로는 그다지 깊이 들어가지 못해서 안타까웠다.

독후감/창작| 2006.12.25| 7페이지| 1,000원| 조회(1,538)

트랜지스터, 초크랄스키, 단결정 성장, 플로팅 존, 브릿지만

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서대문 형무소를 다녀와서

한국 근현대사- 서대문형무소를 다녀와서..과 목 :한국 근현대사담당교수 :박진철 교수님학 교 :성균관대학교학 부 :신소재 공학부학 번 :성 명 :▣ 그림 설명 서대문 형무소 역사관 정문 ……………………………… 4쪽 옥사의 내부(2층 구조) …………………………………… 4쪽 감방 앞 ……………………………………………………… 5쪽 이름을 나무에 새긴 패 …………………………………… 5쪽 감방과 바깥이 연결된 작은 문 ………………………… 5쪽 재판장 ……………………………………………………… 5쪽 사형선고를 받은 애국지사가 갇혀있던 옥 …………… 6쪽 즉결 처형장 ………………………………………………… 6쪽 통곡의 미루나무 …………………………………………… 6쪽 목조건물로 된 사형장 …………………………………… 6쪽 사형장의 내부 …………………………………………… 6쪽 시구문과 비밀 통로 ……………………………………… 7쪽 지하로 이어지는 통로 …………………………………… 7쪽 옥사 빈 터와 붉은 벽돌 ………………………………… 7쪽 지하 감옥의 외관 ………………………………………… 7쪽 지하 감옥의 내부 ………………………………………… 7쪽 안창호 선생이 부인 혜련에게 보낸 친필 편지 ……… 8쪽 수갑 ………………………………………………………… 8쪽 3.1 운동때 사용할 태극기를 찍어낼 나무판 ………… 8쪽 안쪽에서 본 형무소의 정문과 망루 …………………… 9쪽 체포당하는 모습 ………………………………………… 9쪽 감금되어 있는 모습 ……………………………………… 9쪽 고문당하는 모습 ………………………………………… 9쪽 자백을 얻기 위해 고문하는 모습……………………… 9쪽- 차 례 -1. 서대문 형무소를 방문하기 까지2. 서대문 형무소를 둘러보며⑴ 서대문 형무소 역사박물관 입구에서⑵ 옥사⑶ 체험실⑷ 사형장, 통곡의 미루나무, 시구문⑸ 옥사 빈 터와 붉은 벽돌 영구 보존⑹ 지하 감옥과 유관순 열사⑺ 서대문 형무소 역사관⑻ 담장과 망루3. 서대문 형무소를 뒤로 하고▣ Reference- 서대문 형무립의 상징으로 건립한 독립문 근처에 1907년부터 대규모로 감옥을 짓게 된 것이다.이 감옥은 일본인의 설계로 그때 화폐 약 5만원을 들여 지었고, 480평 규모의 감방과 80평 정도의 부속시설로 수용인원은 500여명 정도였다. 그때 전국 8개 감옥 총 수용인원이 300여명이었던 것과 비교하면 대규모의 감옥이었다. 1908년 10월 21일에 경성감옥이란 이름으로 문을 연 뒤 일제에게 우리의 국권이 빼앗기자 이에 항거하는 민족독립운동이 전국에서 거세게 일어나고 일제는 수많은 우리의 애국지사들을 체포 투옥시켰다. 수용인원이 증가하자 그들은 마포 공덕동에 또 다른 감옥을 지었고, 이 때문에 1912년9월 3일에 서대문감옥으로 이름이 바뀌었다.1923년 5월 5일에 서대문형무소로 그 이름이 다시 바뀌어 1945년 8월15일 광복을 맞기까지 수많은 애국지사들이 투옥되어 고문을 받으며 처형되거나 옥사 당했던 악명 높은 곳이다. 1945년 11월 21일에 서울형무소로 그 이름이 바뀌고, 1961년 12월 23일에 서울교도소로, 1967년 7월 7일에 서울구치소로 바뀐 뒤 1987년 11월 15일에 서울구치소가 경기도 의왕시로 옮겨가기까지 이름의 변화만큼이나 많은 민족수난의 역사를 간직한 채 1992년 8월 15일에「서대문 독립공원」으로 개원하였다.1987년에 경기도 의왕시로 옮길 때 옥사는 모두 15개동이었으나, 현재는 역사성과 보존 가치를 생각해 7개 동만을 원형대로 보존하였다. 그 중에서 옥사 3개동(제 10·11·12옥사)과 사형장은 1988년 2월 20일에 사적 제324호로 지정되었다.서대문구에서는 1995년부터 서대문 독립공원 사적지에 대한 성역화사업을 시작하였다. 조국독립을 위해 일제의 침략에 맞서 싸우다 투옥되어 모진 고문과 탄압을 받고 순국하신 애국선열들의 넋을 기리고, 후손들에게 우리 선열들의 자주독립정신을 일깨워 주는 역사의 산 교육장으로 삼기 위해 새롭게 단장하여 「서대문 형무소역사관」으로 개관하였다.한국 근 ? 현대사 과목을 같이 듣는 동아리 선배와 같지정되었다고 한다. 일제침략에 항거하는 민족 독립운동이 활발해지자 일제의 통감부는 앞으로 그들에게 항거하는 우리의 애국지사들이 늘어날 것으로 예상하고, 1907년 일본에서 전옥(지금의 교도소장)을 지낸 일본인의 설계로 탁지부 건축소에서 감옥을 신축하였다. 옥사는 목조건물로 'T자형'으로 지었으며 옥사 중앙에서 사방 전체를 감시할 수 있도록 하였다. 그곳은 낮에도 햇빛이 차단되어 매우 어둡고 침침했으며, 감방은 가운데 복도를 사이에 두고 마주보게 하였다. 제10·11·12옥사 건물은 1915년에 지었고, 제13옥사·보안과 청사·사형장은 1923년에, 제9옥사는 1929년에 지었다. 제13옥사(공작사)는 애국지사와 투옥자들을 강제 동원하여 일을 시켰던 곳으로 형무소·군부대·관공서에서 사용하는 관용물품을 만들었으며, 제2차 세계대전을 일으킨 일제는 군수용품 생산 작업을 모든 형무작업의 최우선적인 일로 삼아 강제로 동원하였다고 한다.옥사에 처음 들어갔을 때는 ‘그냥 수용소네’ 라는 생각 외에 다른 느낌은 들지 않았다. 직접 수용소를 보지는 못했지만 TV나 영화에서 간접적으로 본 것을 통해 비슷하다고 느꼈다. 옥사의 내부는 에서 보듯이 2층구조로 되어 있어 감시하기 편리하게 해 놓기도 하였으며 건물의 공간을 효율적으로 사용하기 위함이기도 한 듯 했다. 옥사 내의 방은 매우 좁았는데 그러한 방 하나에 과연 몇 명이나 수용되어 있었을지 감방 앞궁금했다. 과 같이 방의 문 옆쪽에 수용되었던 사람들의 명단을 나무에 적어놓은 패가 있었는데 적게는 6명에서 많게는 10명이상까지 좁은 방에 너무 많은 사람들이 수용되어있지 않았나 싶었다. 좁은 방 내부에 들어가서 어떠한 생활을 했었는지 확인해보고 싶은 마음이 들었다. 실제 로 방의 내부는 매우 좁았으며 창은 하나밖에 없었고, 같이 작은 문이 하나 있었는데 이는 밥을 주기 위해 있었던 것이라고 이름을 나무에 새긴 패생각된다. 방 감방과 바깥이 연결된 작은 문내부에 지금은 없지만 예전에는 생리작용을 위한 무언가가 있지 않았을까 궁금하기, 인간으로서는 차마 견디기 어려운 온갖 형태의 잔혹한 고문을 자행하였다. 일본의 고등계 형사들은 우리의 애국지사들에게 체포와 신문과정에서부터 잔혹한 고문을 하였으며, 투옥된 애국지사들은 특별범죄자로 분류하여 햇빛조차 들어오지 않는 어두운 지하감방인 먹방에 수용하였고, 비인간적인 모든 방법을 동원하여 잔혹하게 탄압했다. 일제가 우리의 남녀 애국지사들을 끌어다가 몽둥이로 구타하는 것은 기본이었다. 거꾸로 매달아 코와 입에 고춧가루 물을 넣었으며, 손과 발을 묶고 불에 달군 인두로 온몸을 지졌고, 전기고문과 표현할 수 없는 잔혹한 방법으로 성고문을 하였다. 깜깜한 유리창 가까이 얼굴을 대고 옆의 스위치를 누르면 마네킹이 움직이고 음성이 재생되는데 고문의 종류에는 손톱 밑을 바늘로 피가 나도록 찌르는 고문, 가시가 있는 작은 통 안에 넣고 흔들어대는 고문 등을 실제로 볼 수 있었다. 사형선고를 받은 애국지사가 갇혀있던 옥 즉결처형장다음은 형장의 이슬이라는 제목을 가진 방이었는데 재판장에서 즉결 처형 심판을 받은 애국지사가 처형되는 것을 직접 경험할수 있도록 되어 있었다. 이러한 순국선열들의 형이 집행된 사형장 내부에는 개폐식 마루판 위에 사형수가 앉는 의자가 있고, 굵은 동아줄이 내려져 있으며, 에서 보듯이 사형선고를 받은 애국지사를 가둬두던 옥이 옆에 있었다. 또한 사형장의 바로 옆에는 사형을 집행한 시신을 형무소 밖 공동묘지까지 몰래 버리기 위해 일제가 뚫어놓은 비밀통로가 있다. 우리의 애국선열들은 일제의 침략과 만행에 항거하다 서대문 형무소에 투옥되어 조국 자주독립의 한을 품은 채 이곳에서 형장의 이슬로 사라져 갔던 것이다. 이곳도 직접 체험할 수 있는 곳으로 의자에 앉아 있었더니 음성이 재생되기 시작하고 갑자기 기계를 작동시키는 “끼~~익” 하는 소리가 들리더니 의자가 폭삭 주저앉는 것이었다. 체험하는 사람들이 다치지 않도록 하기 위해서 조금밖에 주저앉지 않았지만 그래도 정말 많이 놀랬었다. 우리는 이 재판장을 끝으로 체험을 마치고 다음 장소로 향했다. 통곡 내려가는 통로가 있었으며 그곳에서 시신을 지하로 이어지는 통로꺼내서 시구문으로 옮겼다고 한다. 시구문이란 일제가 애국지사들을 처형한 수 시신을 형무소 밖 공동묘지까지 운반하기 위해 비밀통로로 뚫어 놓은 굴이다. 일제는 그들의 만행을 감추기 위해 입구를 막았었으나 1992년 서대문 독립공원을 조성할 때 약 40m 길이로 발굴하여 복원하였다고 한다. 시구문 앞에 서니 역시 이곳에서도 으스스한 기운을 느꼈다. 통로 안을 살피는데 서늘한 기운이 확 다가와서 온몸에 소름이 돋았었다. 우리의 애국선열들의 한이 서려 있는 장소를 실감할 수 있었다. 시구문을 구경하고 우리는 다음 장소로 이동하였다. 옥사 빈 터와 붉은 벽돌⑸ 옥사 빈 터와 붉은 벽돌 영구 보존우리는 다음 장소인 지하 감옥으로 가는 길에서 옥사터 비슷한 곳을 볼 수 있었다. 이곳은 1987년 서울구치소가 경기도 의왕시로 옮겨갈 때 옥사는 15개동이었으나 역사성과 보존가치를 고려하여 제 9 ? 10 ? 11 ? 12 ? 13 ? 옥사 ? 중앙사 ? 나병사 등을 보존하였다. 그중 옥사 3개동 (제10 ? 11 ? 12옥사)과 사형장은 1988년 2월 20일에 사적 제 324호로 지정되었다. 이 길의 양쪽에 위치한 부분이 미 보존 옥사의 빈 터이며 서대문형무소역사관 곳곳에서 볼 수 있는 붉은 벽돌은 일제가 수감중에 있던 애국지사들을 강제로 동원하여 구워낸 역사의 산물이다. 벽돌 한 쪽에는 일제 강점시대에 ‘경성감옥’에서 제작된 것임을 입증하는 ‘京’ 자가 새겨져 있다. 이것을 영구보존하여 우리 애국선열들의 넋을 기리고 후손들에게 자주독립 정신을 일깨워 주는 역사의 산 교육장으로 삼도록 하였다. 에서 보듯이 실제로 길 양옆으로 옥사빈터가 있었고 실제로 많은 붉은 벽돌을 볼 수 있었다. 우리는 이 옥사 빈 터를 지나서 지하 감옥으로 갔다.⑹ 지하 감옥과 유관순 열사 지하 감옥의 외관이제 서대문 형무소를 거의 한 바퀴 돌아 정문으로 가기 전 마지막 건물이었다. 이곳은 일제가 민족독립운동에 참여한 여성들만을 수감하고 고옮겼다.

독후감/창작| 2006.12.25| 11페이지| 1,000원| 조회(949)

감상문, 서대문, 형무소, 방문기

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[공학]핵분열의 전자거동과 방사능

정보 전송 재료학과 목 :정보전송 재료교 수 님 :윤대호 교수님학 과 :신소재 공학부학 번 :이 름 :1. 원자의 구조원자의 구조- 원자의 구조는 옆의 에서 보듯이 원자의 중심에 (+)전하를 띠는 핵과 전하를 띠지 않는 중성자가 분포되어 있고 주위에 (-)전하를 띠는 전자가 일정한 궤도를 이루며 공전 및 자전을 하고 있다. 이러한 원자의 번호는 전자수 및 양자수로 결정이 된다. 또한 원자량은 양성자와 중성자의 수를 더한 것이 되는데 이는 전자의 질량이 9.107×10-28g 으로 아주 작아서 무시할 정도가 되기 때문에 상대적으로 무거운 핵과 중성자의 수를 더한 것이 원자량이 되는 것이다. 핵분열의 원리2. 핵분열의 원리- 핵분열의 원리는 에서 보듯이 한 개의 중성자가 핵을 때리고 그로 인해 핵은 2개의 핵으로 분열하면서 2~3개의 새로운 중성자가 나오게 된다. 또한 새로 나온 중성자가 또 다른 주변의 핵과 충돌하게 되는 연쇄반응을 일으키게 되는 것이 핵분열이다. 이러한 핵분열 반응은 연속해서 확대되어 나가며, 연쇄반응을 일으켜서 방대한 에너지를 방출하게 되는 것이다. 이와 같이 연쇄반응을 일으키는 상태를 임계상태라고 한다.3. 핵분열시의 전자의 거동- 핵분열 중 전자가 방출되는 핵분열은 ‘중성자 → 양성자 + 전자’의 과정을 겪는 베타 붕괴가 대표적이다. 이 때 나오는 방사선을 베타선이라고 불렀지만 지금은 그 정체가 ‘전자’임이 알려져 있다. 베타 붕괴에서 반응 전의 중성자와 반응 후의 ‘양성자 +전자’ 조합을 비교했을 때 여러 가지 여러 가지 물리량이 보존되어야 하는데, 첫째로 질량이 보존 되어야 한다. 중성자 ≒ 양성자 이고, 전자 ≒ 0 으로 본다면 거의 만족한다. 실제로 질량 손실이 약간 있을 수 있는데 이때 그 손실된 질량이 에너지가 되어 원자력 발전 및 원자폭탄에 사용되는 것이다. 둘째로는 전하량이 보존된다. 중성자 = 0, 양성자 = +1, 전자 = -1 이므로 전하량의 보존이 성립하는 것이다. 마지막으로 운동량이 보존된다. 중성자와 양성자의 운동량에 약간 차이가 발생하면 그 차이만큼을 전자가 갖게 된다. 그런데 전자는 가볍기 때문에 엄청난 속력을 갖게 되어 직진성이 뛰어난 방사선이라는 이름을 붙이게 된 것이다.핵붕괴시의 전자라고 특별할 건 없다. 전자는 지금도 우리 주변에서 얼마든지 방출되고 있기 때문이다. 전자가 다른 입자와 충돌하지 않는다면 영원히 직선으로 날아가게 된다. 운동량이 보존되어 외력이 없다면 처음 속도를 유지한다. 그러다 다른 입자를 만났을 때 사건이 일어나는데, 똑같은 전자를 만났다면 전기적인 척력으로 튕겨나가게 되지만, 양성자를 만났다면 약간 인력을 작용하다 결합하진 못하고 경로만 휘는 운동을 할 수도 있고, 운이 좋아 결합을 한다면 그게 바로 수소원자가 되는 것이다.양성자가 아닌 임의의 원자나 분자를 만날 때도 마찬가지 이다. 원자나 분자의 외부에는 필연적으로 전자층 (전자구름)이 감싸고 있으므로 이 전자들에 의해 전기적 척력을 받아 튕겨날 수도 있다. 하지만 운 좋게 중심의 핵으로부터 인력을 느껴서 원자나 분자에 결합할 수도 있다. 이때 그 여분의 전자는 원자나 분자를 '음이온'으로 만들게 된다. 그러나 전자를 음이온이라고 하진 않는다. 중성원자나 분자에 여분의 전자가 결합되었을 때 그 분자, 원자를 '음이온'이라고 부르는 것이다.방사선 그 중에서 베타선이 위험하다고 하는 이유는 이러한 전자들이 한두 개 날아와서 우리 몸속의 분자하나를 음 이온화 시키는 것은 문제될 게 없지만, 너무 많은 수의 전자들이 한꺼번에 우리 몸의 일부 조직의 중요한 기능을 하는 분자들을 음이온 시킬 경우 우리 몸의 조정 기관이 흐트러질 수 있어서 이기 때문이다.베타선이 고체를 만나면, 고체도 결국 원자들의 무수한 집합이므로 고체 내부에 결합될 가능성이 훨씬 커진다. 그 고체가 만일 도체라면 도체 내에서 자유전자가 되어 돌아다닐 수도 있다. 이때 그 도체는 전체적으로 '음전하'를 띠게 된다. 마치 정전기 실험 때 도체를 대전시킨 것과 비슷한 효과를 내게 되는 것이다. 실제로 어떤 물질이 베타붕괴를 일으키고 있는 지 알아보는 방법은 도체를 근처에 놓아서 그 도체에 전류가 흐르는 지를 측정해 보면 알 수 있다. 도체에 흡수된 전자가 도체를 따라 전위가 낮은 곳으로 흐르기 때문이다.4. 핵분열의 이용⑴ 원자력 발전- 원자력 발전은 화력 발전과 동일 하지만 물을 데워 수증기를 만드는 에너지원으로 원자의 핵분열을 이용한다는 것이다. 핵분열 시에 핵분열 후에 생성되는 생성물의 질량이 반응시의 질량보다 약간 줄어들게 되는데 이때, 아인슈타인의 질량과 에너지 관계식에 의해서에 의해서 아주 작은 질량의 변화라 하더라도, 빛의 속도(: 광속도 = 3 x 1010cm/sec) 의 제곱이라는 크기에 비례하여 에너지가 발생하기 때문에 엄청 큰 에너지가 발생하게 되는 것이다. 이러한 분열시 발생하는 에너지를 사용하여 원자력 발전 및 원자 폭탄에 이용을 하는 것이다. 그런데 원자력 발전에 이러한 핵분열을 이용하기 위해서는 중성자를 제어하여 무한한 핵분열을 방지해야 하는데 이를 위해서 원자로에는 핵분열 반응을 조절하기 위해 중성자 흡수장치를 달아두게 된 것이다.⑵ 원자 폭탄- 원자폭탄은 기본적으로 핵분열 현상을 이용한 것이다. 핵분열의 원리는 위에서 설명하였으므로 다시 언급하지는 않겠다. 대표적인 핵분열 물질로 우라늄이 있는데 우라늄 중에서 질량수가 235인 것만 연속해서 핵분열이 일어나고, 동위원소인 238은 연속핵분열을 하지 않는다. 그래서 원자폭탄이나 원자력 발전소에서는 자연계에 0.7%정도 밖에 없는 235u를 응축시켜 원료로 사용한다. 한 개의 우라늄 원자핵이 중성자를 흡수하게 되면, 두개의 원자핵으로 분열하면서 2개에서 3개의 중성자를 또 내놓게 된다. 즉, 우라늄 원자핵이 핵분열 현상을 일으키기 위해 중성자가 필요한데 일단 반응이 시작되고 나면 반응에 필요한 중성자의 개수가 기하급수적으로 늘어나는 것이다. 첫 번째 반응에서 1개 뿐 이던 중성자는 반응의 횟수를 거듭하면서 2의 n개로 늘어나서 반응은 급격하게 진행됩니다. 우라늄 원자핵이 한번 분열하면 앞에서 이야기한 질량 에너지 등가 공식에 의해 막대한 양의 에너지가 발생하는데 그 양은 2×108eV 정도나 되어 1개의 TNT분자가 폭발할 때 내는 30eV보다 약 6백6십6만 배나 많다. 그래서 하나의 원자폭탄은 TNT보다 수백만 배가 강한 폭발력을 가지게 되는 것이다. 그런데 이런 연속 핵분열 현상이 모든 상황에서만 생기는 것은 아니다. 작은 덩어리에서는 연속 반응에 필요한 중성자들이 표면을 통해서 달아나 버리기 때문에 연쇄반응이 계속되지 못한다. 이렇게 연쇄반응이 일어날 수 있는 최소 단위를 임계질량이라고 하는데 임계질량 보다 작은 단위로 우라늄 덩어리를 모아두면 안전할 수 있는 것이다. 그래서 원자폭탄은 임계질량보다 작은 덩어리의 우라늄덩어리를 폭탄 속에 따로 따로 넣어둬서 평소에는 폭발이 일어나지 않게 하다가 폭탄이 터지고 격리해 뒀던 우라늄 덩어리들이 뭉쳐지면서 폭발력을 발생시키게 되는 것이다. 원자폭탄이 원자로와 다른 점은 원자로에서는 핵분열 반응을 조절하기 위해 중성자 흡수장치를 달아뒀다는 것 정도이다.5. 방사선 동위원소- 일반적으로 동위원소라고 하면 양성자와 전자의 수는 동일하지만 중성자의 수만 달라 화학적으로는 성질이 동일 하지만 질량수가 달라 다르게 구별 되는 원소를 이야기 한다. 이러한 원소의 종류에는 여러 가지가 있지만 전자의 거동 면에서 살펴보기 위해 방사선 동위원소에 대해 조사하였다.

공학/기술| 2006.12.25| 5페이지| 1,000원| 조회(314)

변환, 방사능, 핵분열, 종류, 전자의 거동

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삼성 그룹의 TRIZ 교육

글로벌 리더십- 삼성그룹의 TRIZ 교육과 목 :글로벌 리더십담당교수 :김용재 교수님학 부 :신소재 공학부학 번 :2001310887성 명 :오 동 현▣ 차 례1. 신문 기사1.1 삼성 기술혁신 ‘트리즈’ 본격 추진- 파이낸셜뉴스 2006-05-181.2 계열사들 기술혁신등 기대- 헤럴드 경제 2006-05-191.3 삼성 그룹 ‘트리즈 교육‘ 뜬다- 전자 신문 2006-06-092. 삼성의 신 경영 기법에서 TRIZ 란?3. 설명4. Reference1. 신문 기사1.1 삼성 기술혁신 ‘트리즈’ 본격 추진삼성이 이공계분야 창의적 문제해결 이론인 ‘트리즈(TRIZ)’를 활용해 과학적으로 핵심기술 개발과 특허 출원 등의 시스템을 초일류기업에 걸맞게 바꾸는 ‘기술혁신경영’에 돌입했다.삼성전자는 삼성SDI, 삼성전기, 삼성코닝, 삼성코닝정밀유리, 삼성SDS, 삼성종합기술원 등 6개사와 함께 이달초 ‘삼성트리즈협회(STA)’ 발대식을 가졌다고 18일 밝혔다.STA는 분기마다 교류회를 열어 새로운 방법론과 사례 등을 공유해 나가는 ‘삼성 기술혁신의 구심점’ 역할을 담당하게 된다.아울러 STA는 그룹내 ‘트리즈 웹진’ 창간과 ‘삼성트리즈 콘퍼런스’를 정기적으로 개최해 트리즈의 저변을 지속적으로 확대해 나가기로 했다.삼성이 도입한 ‘트리즈’란 러시아에서 탄생한 문제해결 이론이다.지난 1940년대 옛 소련 해군 특허청에 근무하던 러시아의 발명가 겐리흐 알트슐러가 발명 특허에 일정한 원리와 패턴이 있다는 점을 깨달은 뒤 50여년에 걸쳐 전세계 특허를 분석해 발명의 원리와 유형을 찾고 창의적인 사고를 위한 절차를 정립한 것이 트리즈다.삼성전자는 지난 98년 기술적인 문제를 고민하던 한 직원이 우연히 트리즈를 통해 해결책을 찾으면서 트리즈를 처음 접했다는 게 관계자의 전언이다.이후 삼성전자는 지난 2001년 기술총괄내에 ‘트리즈추진사무국’을 만들어 트리즈를 본격적으로 전파하기 시작했다.아울러 삼성전자는 계열사와 함께 러시아의 트리즈 전문가들을 매년 초빙해 트리즈 노하우와 이론을 히 보고 있다.삼성 관계자는 “항상 크고 작은 기술적 문제에 직면하는 엔지니어들이 해결책을 찾는데 트리즈가 결정적인 도움이 될 것으로 기대한다”며 “트리즈는 첨단 기술이나 특허 개발시 ‘해결사’로 부상하고 있다”고 말했다.- hwyang@fnnews.com 양형욱기자[파이낸셜뉴스 2006-05-18 23:39]http://www.fnnews.com/html/fnview/2006/0518/0*************1100.html1.2 계열사들 기술혁신등 기대- 삼성그룹의 전자 계열사들이 `트리즈`로 뭉친다.19일 삼성그룹에 따르면 삼성전자와 삼성전기 삼성종합기술원 삼성SDI 삼성코닝 삼성코닝정밀유리 삼성SDS 등 7개사는 이달 초 `삼성트리즈협회(STA)` 발대식을 가졌다. 공학이나 기술 관련 분야의 창의적인 문제해결 이론인 `트리즈(TRIZ)`를 통해 핵심기술 개발과 특허 출원 등을 위한 기술 혁신에 나설 계획이다.아울러 분기마다 교류회를 열어 새로운 방법론과 사례 등을 공유하는 한편 그룹 내 트리즈 웹진을 창간하고 삼성트리즈 콘퍼런스를 개최하는 등 적극적인 활동을 통해 트리즈를 `창의적인 삼성의 문화`로 만들어 나갈 방침이다.트리즈란 러시아에서 탄생한 문제해결 이론. 1940년대 옛 소련의 해군 특허청에 근무하던 러시아의 발명가 겐리흐 알트슐러가 발명 특허에 일정한 원리와 패턴이 있다는 점을 깨달은 뒤 50여년에 걸쳐 전 세계 특허를 분석해 발명의 원리와 유형을 찾고 창의적인 사고를 위한 절차를 분석, 정립한 것이 트리즈다.삼성전자는 98년 기술적인 문제를 고민하던 한 직원이 우연히 트리즈를 통해 문제를 해결하면서 이를 처음 접했고, 2001년에는 기술총괄 내에 트리즈 추진사무국을 만들어 본격적인 전파에 나섰다.삼성전자는 그동안 러시아의 트리즈 전문가들을 초빙해 노하우와 이론을 전수받았고, 창의적이고 혁신적인 고부가가치 제품을 만들기 위한 `체계적이고 과학적인 방법론`을 사내에 확산시켜 왔다.사내 트리즈 교육 수강자는 1200명을 넘었고, 국제공인 트리즈 Copyrights ⓒ 헤럴드경제 & heraldbiz.com 2006-05-19]http://www.heraldbiz.com/site/data/html_dir/2006/05/19/200605190273.asp1.3 삼성그룹 '트리즈 교육' 뜬다이건희 삼성 회장이 강조하는 ‘창의적인 삼성의 문화’, 이른바 ‘마하경영’ 문화를 정착시킬 조직 ‘삼성트리즈협회(Samsung TRIZ Association)’가 비상한 관심을 모으고 있다.지난 5월 초 발대식을 가진 트리즈협회는 삼성전자를 비롯해 삼성전기·삼성종기원·삼성SDS·삼성코닝정밀유리·삼성SDI 등 그룹 7개사가 참여했다. 외형적으로는 러시아에서 개발된 트리즈 기법을 활용한 특허 발명 등을 장려하기 위한 것이지만, 실제로는 이 회장이 주창한 ‘마하경영’을 실천하기 위해 삼성 구성원의 사고의 변화를 꾀하는 것이 기본 목표다.삼성이 트리즈 교육에 나서는 것은 초일류로 변화하기 위해서는 임직원의 사고방식이 창의적으로 바뀌어야 한다는 ‘혁신’에 근거를 둔다. 전투기가 이륙 후 마하3의 속도를 넘으려면 그에 따른 부품이 최고로 바뀌어야 하는 것처럼, 삼성이 초일류로 도약하려면 모든 것이 바뀌어야 하기 때문이다. ‘마누라와 자식’을 빼고는 다 바꿔야 하는 임무를 삼성트리즈협회가 맡은 셈이다.‘트리즈’는 1940년대 옛 소련 해군특허청 소속 발명가 겐리흐 알트슐러가 찾아낸 ‘발명과정에는 일정한 원리와 패턴이 있다’는 내용의 창의적 사고를 위한 방법론이다. 1998년 기술적 문제를 고민하던 삼성 직원이 트리즈 기법을 적용해 문제를 해결한 후, 2001년에 기술총괄 내에 트리즈추진사무국이 만들어지면서 서서히 확대되기 시작했다. 지금까지 트리즈 교육 수강자는 1200명으로, 이중 국제 공인 트리즈 전문가도 98명이나 배출됐다. 여기에다 트리즈를 활용한 특허출원이 300여건에 이르자 삼성 그룹 공식조직으로 확대키로 했다.회장에는 이기원 삼성전자 부사장이, 부회장은 김세현 삼성전자 상무가 맡았다. 임원진은 각 회원사가 매년 돌아가로 발전시킬 계획이다. 관심을 모은 트리즈 콘퍼런스는 삼성종합기술원이 주관해 매년 개최한다.삼성트리즈협회의 중추적 역할을 담당하는 삼성전자에서는 상반기에만도 온라인 교육을 통해 600여명이 수강했다. 40시간 과정의 응용교육에는 200여명이, 40시간 교육과정을 이수하고 5개월간 2개의 프로젝트 수행 및 2개의 특허를 출원할 경우 국제공인 2레벨 인증서를 받는 인증과정에도 40여명이 참여중이다.삼성전자는 현재 러시아 전문가 1명 및 통역을 포함한 5∼6명의 트리즈 추진조직을 VIP(Value Innovation Program)센터 내에 운영하고 있다. 올 10월 이전에는 러시아 전문가 2명을 추가 보강할 계획이다. 이 중 전문가 한 명은 트리즈 마스터로 알려졌다.- 김상룡기자@전자신문, srkim@etnews.co.kr[전자 신문 2006/06/09]http://www.etnews.co.kr/news/detail.html?id=2006060802022. 삼성의 신 경영 기법에서 TRIZ 란?- TRIZ는 러시아어인 `Teoriya Reshniya Izobretatelskikh Zadatch'의 약자로, 영어로는 TIPS(Theory of Inventive Problem Solving 창의적 문제해결 방법)와 동일한 의미를 갖고 있다. 윤종용 부회장이 간부 간담회를 주재하면서 `삼성은 개발 및 마케팅 분야에서의 혁신이 일어나지 않으면 미래가 없다'고 지적하면서 선진업체 및 경쟁사의 좋은 사례를 벤치마킹하라는 특별지시를 내렸다. 이에 따라 개발 혁신을 위해 `트리즈'기법을 도입해 마케팅 부문 등에 적용해 상당한 성과를 거두었다. 실제 삼성전자는 윤 부회장 주재하에 2개월 마다 개발혁신 간담회를 열고 있으며 이 간담회에는 본사 CFO 산하의 경영혁신팀과 CTO전략실(이기원 부사장) 산하의 e-CIM센터 관계자들이 고정 멤버로, 사안에 따라 현업 부서장들이 참석하고 있다. 현재 삼성에서는 트리즈 관련, 러시아 출신의 박사급 연구원 4명을 확보해 놓고 있다. 또한 반도본?유럽 등 서방세계에 90년대 초반에 도입됐다. 현재 미국에는 2개의 트리즈 관련 SW회사가 있으며 컨설팅회사는 다수가 존재하고 있다. 미국, 일본, 유럽의 주요기업에서 `테크옵티마이저(TechOptimizer) SW'를 이용한 트리즈 기법이 널리 도입돼 있는 상황이다. 트리즈 국제 공인 자격 인증을 통해 `마스터(Master)' 자격을 부여하고 있는데, 현재 전세계에 70여명의 마스터가 활동 중이다.기존의 브레인스토밍(Brainstorming)과 같은 아이디어 발상 기법 등은 실제로 문제를 해결해 주는 것이 아니라 문제 해결을 위한 아이디어만을 제공한다는 점에서 트리즈와 다르다. 트리즈는 `무엇을 해결해야 하는가'를 가르쳐 주는 것과 함께 `어떻게 해결해야 하는지'를 가르쳐 주는 기법이다. 트리즈의 기대 효과는 제품 개발시 발생되는 문제점을 40가지 원리 등 특유의 트리즈기법으로 접근함으로써 단순히 문제를 개선하는 차원을 뛰어넘어 혁신적 문제 해결이 가능하다는 특징을 갖고 있다. 예를 들어 제품 및 부품을 기능 위주로 분석, 다른 부품이 기능을 대신하거나 해당 부품이 필요 기능을 수행하도록 변형하는 등의 재설계를 통해 개발 비용 등을 절감할 수 있다는 것이다. 또한 제품의 진화과정을 예측함으로써 시장을 선점할 제품을 개발할 수 있다는 것도 트리즈 기법의 장점으로 꼽힌다.- 삼성과 GE(General Electric)의 신경영기법 中 -3. 설명- 글로벌 리더십 과목을 수강하고 기말고사를 대비하여 공부를 하면서 어떤 기사에 대한 과제를 제출할지 많은 고민을 했다. 그런 가운데 내가 4학년이고 이미 삼성 전자와 LG Philips LCD에 합격을 해서 신입 사원이 될 생각을 하니 강의 중 사원의 교육 부분에 많은 관심이 생기게 되었다. 글로벌 리더십이라고 한다면 세계적인 기업의 리더로서의 자질을 배우는 것이지만 그 전에 국내에서의 경쟁력을 갖춰야 세계적인 경쟁력을 갖출 수 있다고 생각했다. 그래서 사원의 관리, 교육 제도에 대해서 기사를 찾아보았고 현재 세계적.

경영/경제| 2006.12.25| 7페이지| 1,500원| 조회(1,208)

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