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실무조명 용어정리, 영문기본으로 번역자료

Glossary순번 용어(영문) 용어(국문) 정의1 Absorption 흡수 가열로 인하여, 입사한 플럭스가 에너지의 다른 형태로 변하게 되는 과정.2 Adaptation 순응 시각 시스템은 직접적으로 그 전에 노출된 것 보다 다른 색 중에 다소 약한 빛으로 익숙해지게 되는 과정.즉, 빛에 따른 시각적인 민감성 변화를 의미한다.3 Additive Color Mixing 가색법 더 많은 빛 에너지를 만들기 위해 다른 빛과 함께 합성하는 과정4 Ambient lighting layer 주의 조명 층 빛의 층은 이동을 위해서 주위공간 및 기본적인 시각인지에 필요한 빛을 제공한다.5 Americans with Disabilities Act(ADA) 미국장애인법 ADA(미국 장애인법)은 모든 상업적 및 공공의 시설들은 장애가 있는 사람들의 접근성을 제공하기위해 배리어프리를 규정한다.6 ANSI 미국표준협회 ANSI(미국표준협회)- 협회에 기반 된 합의는 조명장치 및 기구, 안정기, 조명과 관련된 부품, 전기적인 장치의 성능 특성과물리적, 전기적 임의 표준을 통합하였다.7 Aqueous humor 안방수 water-like 물질은 각막과 수정체 사이에 있으며, 산소가 포함된 영양분을 제공하고, 강막의 곡선부분을 부드럽게 유지하는 것을 돕는다.8 Architectural lighting 건축화 조명 조명은 빌딩공사의 한부분이다.9 Back light 역광 3차원 조명요소. 역광은 배경으로부터 물체를 식별하며, 추가적인 빛의 농도를 제공한다.10 Ballast 안정기 시작 및 형광등, 고휘도 방전램프와 같은 기체방전광원의 흐름을 정확히 제어가 요구되는 장치의 보조부분.11 Ballast Factor(BF) 안정기 요소 상업적으로 이용가능한 안전기에서 예상할 수 있는 램프광속출력 비율이다. 예를 들면,안전기 요소가 0.93은 광속출력비율 93%의 램프 출력이다. 그리고 안전기 요소가 낮은 것은 빛의 출력 및 전력 소비가 낮은 것을 의미한다.12 Base base 전력공급과 연dian system 생체시스템 생체시계는 우리의 낮과 밤 주기로 규제된다.28 Color 색채 물체 또는 자세하게 보기위한 능력으로 사람에게 영향을 주는 다섯 가지 요인들 중 하나. 평가하기 어렵다.29 Color perception 색 지각 눈으로부터 받은 전기적인 신호들의 형태에서 정보를 해석하는 뇌와 관련이 있다. 그리고 눈에서 3개의 추상체(눈의 망막 중심부에 있는 감광 세포) 형태들은 색을 구별하기 위한 능력을 제공한다.30 Color Rendering Index(CRI) 연색지수 불이 겨진 공간에서 모든 색들이 정확하게 묘사되기 위해서나, 램프의 활동범위을 설명하기위해서 사용되고 있는 1부터 100 사이의 수.정의에 따르면, 백열광 소스나 햇빛은 100의 연색지수를 가지고, 더 좋은 형광 램프 소스는 70s의 연색지수를 가진다.그리고 가장 좋은 형광 램프 소스는 80s나 낮은 90s의 연색지수를 가진다. 연색지수의 기술적인 정의는 광원에 의해 비추어질 때 색변이 물체의 결과로서 생기는 정도의 측정, 그리고 비교한 색온도의 기준에 의해 비추어질 때 같은 물체의 색 비교.31 Color Temperature 색온도 광원의 색온도와 동일한 색도를 가지고 있는 흑체 복사체의 절대온도32 Correlated Color Temperature(CCT) 상관 색온도 상관 색온도는 색온도로서 잘 알려져 있다. 그리고 램프의 전체 색 현시를 나타낸다. CCT는 Kelvins에서 측정된다. 색온도는 백색 광원의 전체 색조를 표현하기 위해 사용되며, 실제상의 색인 빨강, 초록, 파랑 램프들은 표현할 수 없다. 백색 광원은 난색 및 한색을 가진다. CCT는 형광광원이 표현할 수 있는 색이 다름을 정확하게 표현되기 위해서 사용되어야 한다. 보통 난색의 광원 백색과 비슷 2700K, 300K의 색온도를 가진다. 통상적으로 회사에서 사용되는 다소 한색의 광원은 3500K, 4100K를 포함한다. 가장 한색한 색온도는 5000K, 6500K이다.33 Cones 추상체(눈의 망막램프는 램프 및 안정기 시스템의 부분으로서 사용하는 것을 유념하라. 그러므로, 안정기 사용은 시스템 효율에 영향을 미친다.53 Exitance 발산도 표면에 완벽하게 확산한 빛.54 Eye 눈 신경 처리에 빛의 자극과 initiator을 받는 것55 Fill light 보조광선 key 그리고 fill의 용어는 방향과 빛에 두드러진 물체의 상대적인 세기 사이의 관계를 표현하기 위해 사용된다. key 빛은 매우 짙고, 빛의 근원이다. fill 빛은 key 빛에 의해 만들어진 음영을 채우기 위해 사용된 확산된 빛이고, slightly dimmer 이다.56 Floor cavity 지면공관 작업면에 속하는 방의 일부는 지면공간으로 불린다.57 Focal lighting layer 초점의 조명 층 artwork, 건축상의 특징, 소매 전시장 그리고 신호와 같은 디스플레이의 특성을 조명하기 위해 사용되는 조명기구. 이것은 스타일 및 외형에 요구된 프로젝트에 오직 사용된다.58 Focused light 집중된 빛 물체나 특별한 지역 보다 큰 세기의 집중된 빛, 배경 조도와 견준 빛, 전경과 배경 사이에 의도적으로 설계한 계층.59 Focal length 초점거리 초점 점에서 렌즈(수정체)로부터 거리60 Footcandle, fc 촉광 피트는 길의 단위로서 주어질 때 조도의 단위. 1 루멘이 균일하게 분산된 플럭스 일 때 평방 1 제곱 피트의 표면에서의 조도이다. 그리고 1 칸델라의 직접적으로 균일한 점 소스로부터 1 피트의 거리에서 모든 표면 점들에 발생된 조도.61 Fovea 중심와 눈의 중심부에서 대략 1.5 mm 지름 = Small pit, 가장 정교한 시각 매개62 Glare 눈부심 눈에 보이는 행위나 가시성에서 성가심, 불쾌함, 손실의 원인으로 채택된 휘도보다 더 좋은 시야안의 휘도에 의해 발생된 감각. 불쾌 휘도, 불능 휘도를 느낌63 General diffuse 일반확산 빛의 위와 아래로 향하는 성분의 발광체에 의해 생성된 다방면의 조명 확산.64 Glazin 언급된다.81 Lamp lumen depreciation(LLD) 램프광속 감퇴율 고장이 되기까지, 시간지 지남에 따라 사용되고 있는 램프로서 발생한 lumen 출력 감소.82 Lamp post 가로등 기둥 배선을 위한 내부부착, 브래킷과 조명기구를 위한 외부부착에 필요와 함께 제공된 지지물과 받침대83 Landolt C's 란돌트 시력을 위한 테스트.84 Lantern 손전등 벽과 기둥에 고정된 조명기구. 일반적으로 스콘스 보다 큰 규모.85 Layered lighting 계층화된 조명기구 조명기구 설계에서 배치 및 미학 달성 그리고 이해를 위한 구조. 계층화는 이와 같은 주기, 계획 그리고 스타일의 설계 요구사항이 좋은 조명기구 설계에서 분쟁 없이 충족될 수 있도록 보장하기 위한 신중한 선택을 가능하게 한다. 계층은 환경, 직무, 병소 그리고 장식 계층 포함한다.86 Light loss factor 빛 손실 요소 빛 손실 요소는 모든 다른 방법들로 설명된다. 램프의 노화 및 먼지 쌓임.87 LLD-Lamp lumen depreciation 램프 루멘 감소 램프의 수명으로 빛 출력 감소. 다른 램프들도 감가상각(일정기간 경과하면 사용이 불가능함)의 다른 비율을 가지고 있다. 그러나 시간이 지남에 따라 모든 광원들은 빛을 잃어버린다.88 L.C.L.-Light Center Length Light Center Length 필라멘트 중심점에서부터 램프 베이스의 어떤 지점까지의 거리.89 LCS 조명기구 분류 체계 IESNA로부터 실외 조명기구를 위한 분류 체계.90 L.E.D.-Light Emitting Diode 발광 다이오드 고체 다이오드는 백색광 및 채색되어 있는 색채를 방사 위한 구조이다.91 Lens 수정체 동공의 뒤에 위치한 시력을 돕는 성분. 그리고 필요로 하는 빛 양을 조절하기 위함과 눈의 뒤쪽에서 망막 안 공간의 다른 거리에 놓여진 물체에 집중하기 위해서 형태는 변한다.92 Light adaptation 명순응 광 수용체에서 광학의 순응. 표백되mm 지름 범위. 오직 추상체만 담고 있다.107 Matte 무광 빛남, 광택 그리고 빛나는 부분에서 결핍한 표면과 매끈하지 않는 표면108 Mean lumens or maintained lumens 평균 루멘 그리고유진된 루멘 정격수명 동안 램프의 평균 빛 출력. 형광등과 메탈 핼라이드 램프를 위한 평균 루멘은 정격 램프 수명의 40%에서 측정된다. 수은증발성 램프, 고압 나트륨 램프 그리고 형광등을 위한 평균 루멘 율은 정격 램프 수명의 50%에서 루멘과 관련이 있다.109 Mesopic 희미한 빛 우리 눈의 응답은 주간시 및 암소시의 응답곡선 둘 다 좇아갈 수 없는 휘도 레벨의 범위.110 Minimum start temperature 최소 시작 온도 안정기는 최저로 시작하는 온도로 램프를 지속적으로 켤 수 있다. 형광등과 HID 안정기는 함께 사용하고, 램프는 내장형 안정기를 일반적으로 사용한다.111 modifier 변경자 대상 및 표면을 통해서 전송되고 반사되어 변화한 빛 그리고 그 후에 눈에 직접적으로 비춰진 빛.112 MOL-Maximum Overall Length(M.O.L.) 최대전장길이 램프의 끝에서 끝까지 길이, 인치나 밀리미터로 표현.113 Mounting Height, MH 설치높이 도로 표면과 조명기구의 빛 중심사이의 수직거리114 MR16 MR16 A2 지름 할로겐 램프는 많은 빔 각도와 작은 크기 때문에 유명하다. art work와 전시를 위해서 초점이 있는 빛 제공하기위해 사용된다.115 Nonrecoverable factors 회복 불능의 요인 회복 불능 빛 손실 요인은 장비 및 현장상태 그리고 비정상적인 유지보수116 National Electric Code(NEC) 미국전기법령 법령은 미국에서 상업 및 주택 공사를 위해 전기적인 요구사항을 담당한다.117 Optic Nerve 시신경 신경은 망막으로부터 전기적인 임펄스를 뇌에 전달한다.118 Optical components 눈의 구성요소 눈의 구성요소는 눈의 뒤쪽에서 망막

공학/기술| 2012.08.30| 7페이지| 2,000원| 조회(388)

조명, Glossary, 조명용어, 영문 조명영어, 기능 및 설명

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평균조도 측정법

[ 실내 평균조도 측정법 ]과목 :담당교수 : 교수님제출자 :1. 평균조도내부 평균 조도는 설계사양에 맞게 설치되었는지 검사하기 위해 보통 측정된다. 컴퓨터를 사용하여 설계 값을 계산하는 이유는 측정하고자하는 공간에 다수의 간격으로 된 격자구조 형태를 그리는 것이 유용하기 때문이다. 현장 측정에 있어, 사용 편의상의 이유 때문에 최소한의 지점으로부터 받아들일 수 있게 정확한 결과들을 얻어야 한다. 이것을 적용하기 위해, 다음 절차는 설치가 설계 공급 전원에서 적절한 시간동안 운영한 후에 권고된다. 방전 램프의 경우 시간은 100시간이며, 이것은 백열등 보다 적은 시간이다.2. 실내 조명장치실내 조명장치일 경우, 평균 조도 측정방법은 두 가지 있다. 첫째는 특정한 작업 공간 그리고 작업면에 관하여 측정 지점의 전체 격자무늬 기반으로 한다. 동일한 격자무늬는 조도 변화의 측정에 사용되곤 한다. 두 번째는 평균 조도를 위해 제한된 범위의 설치에 사용되곤 하는 two-line 측정 방법이다.2.1 측정 지점의 전체 격자무늬이 방법은 내부 조명장치 설치에 적용될 때, 내부는 가능한 정사각형으로 동일한 사이즈 셀들로 나눈다.그림 1 평균 조도 측정을 위해 요구된 셀들의 분포와 L 형태의 방각 셀의 중심에서 조도는 측정되고 모든 셀들의 평균값은 계산한다. 이것은 평균 조도를 어림한다. 측정의 정확도는 셀의 수와 조도의 변화에 의해 결정된다. 표 1은 10% 보다 적은 에러를 제시하기 위해 필요로 하는 셀의 수에 Room Index(RI)와 관계가 있다. 표 1의 데이터는 공간과 높이의 비율이 1.5:1까지 유효하다. 그리고 아래의 식을 통해서 Room Index(RI)의 수치를 구할 수 있다.= 방 길이= 방 폭= 조명기구 설치 높이(작업면으로부터)표 1 실내에서 평균 조도를 측정할 때 전체 격자무늬로부터 최소한의 셀의 수Room IndexRIRIRI3셀 수9162536상기사항의 사용에 오직 제한은 셀들의 격자무늬 조명 점의 격자무늬와 만날 때이며, 주어진 수 보다 더 많은 셀들이 사용될 때에 많은 에러가 존재한다. 제안된 셀들의 수는 최소이며 이것은 특별한 룸 형태에 적합한 대칭의 격자무늬를 얻기 위해 그 수의 증가가 필요하다. 다음의 예들은 방법을 설명한다.① 실내 20[m]×20[m], 작업면에서부터 조명기구 높이 4[m]이면 위의 식을 참고하여 Room Index를 구하면 아래와 같다.- Room Index : 2.5(최소한의 셀 수 : 25)- 4[m]×4[m] 공간의 5×5의 격자무늬② 실내 20[m]×33[m], 작업면에서부터 조명기구 높이 4[m]이면 위의 식을 참고하여 Room Index를 구하면 아래와 같다.- Room Index : 3.1(최소한의 셀 수 : 36)- 4[m]×4.125[m]의 공간에 40개의 셀 사용조도 측정은 작업 범위와 전체 공간에 대해서 각 셀의 중심 및 작업면의 높이에서 측정된다. 만약 작업면이 명확하지 않다면, 측정은 바닥 보다 0.8[m]위에서 수평면에 측정한다.2.2. Two-line 방법이 방법은 제조업체의 공간과 높이의 최대 비율 또는 그 이하에 설치되고, 천장에 설치된 조명기구의 일반적인 레이아웃에 의해서 직각의 실내조명에 적용된다. 이것은 균일하지 않는 시설, 설치 높이가 다른 시설, 다른 비인습적인 레이아웃 그리고 다른 천장에 설치된 조명기구 및 상향등의 혼합 구성에서 평균 조도 측정이 적합하지 않다. 이러한 경우에, 전체 격자무늬 측정 방법이 사용되곤 한다.

공학/기술| 2012.08.30| 4페이지| 1,500원| 조회(2,142)

격자무늬, 실내 평균조도, 조명장치, Two line 방법, 실내 평균조도 측정..

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MOSFET 동작원리 평가A+최고예요

MOSFET 동작원리기본구조MOSFET의 기본구조는 다음의 그림 1(a)와 같으며, 기호는 (b),(c)와 같다.그림 1. MOSFET 의 기본구조 및 기호그림 1(a)에서는 단면의 구조를 나타낸 것이다.MOSFET는 P형 Wafer(substrate)에 도우너 원자를 다량 도핑시켜 N+ 형 반도체를 두개 형성시키는 것으로부터 시작된다. 그 후 N+의 영역에 금속을 붙여 Source와 Drain의 단자를 만든다. 그리고 Source와 Drain 사이에 절연체(SiO2)를 붙이고 그 위에 금속판을 얹어서 Gate 단자를 만든다. 이렇게 하면 기본적인 MOSFET가 구성된 것이며, 밑에 Bulk 단자는 P형 반도체(Substrate)의 기본 전위, 즉 기준점을 잡아주기 위한 단자이다. (사실 Bulk는 P+ 반도체를 만들어 붙이지만 여기서는 생략)(b)의 기호는 Bulk를 포함한 기호 인데, Bulk 단자는 대부분 Source와 붙여서 사용하게 되므로 (c)의 기호를 쓰는 것이 일반적이며, 대부분의 MOSFET 또한 Bulk와 Source가 붙어 있어 3단자만이 나와있는 경우가 많다.Tip!위의 상태는 Gate에 아무런 전압이 가해지지 않은 상태로 볼 수 있다. 이때를 잘 살펴보면 Bulk와 Drain은 PN 접합이 되어 PN 다이오드가 되는 것을 알 수 있다. 그런데 Bulk과 Source가 붙어있는 경우가 많다고 하였으므로, OFF 시에는 Drain과 Source간에 PN Diode가 형성되는 것을 알 수 있다. (역방향 Body 다이오드)채널형성MOSFET의 채널형성 즉, Drain과 Source간의 전류 Pass 혹은 도통 경로를 형성은은 Gate와 Source 간의 전압에 의해 생성된다.채널의 생성원리는 다음과 같다.Gate의 전압을 서서히 상승시킨다고 생각하면 그림 2(a)에서처럼 Vgs가 거의 0에 가깝지만 +전위일 때 P-substrate의 Hole들은 Gate로부터 떨어지기 시작하고 전자들은 Gate에 모이게 된다. 그 후 Gate 전압이 계속 증가하여 전자들이 Hole의 개수보다 많아지면 N 채널이 형성되는 것이다. 채널이 형성될때의 Gate 전압을 Threshold 전압이라고 하며, Vt 혹은 Vth로 표기한다. 이렇게 생성된 채널을 Inversion Layer 라고 하며 그림 3에 공핍영역 (Depletion Resion) 을 포함하여 나타내었다.(a) Vgs가 거의 0에 가까울 때 (b) Vgs가 계속증가하여 Vth 일 때그림 2. 채널의 형성과정그림 3. 형성된 채널 및 Depletion RegionV-I 특성MOSFET의 V-I 특성은 Drain과 Source간의 전압 전류 특성을 의미한다. 따라서 Vds가 서서히 증가하는 경우 MOSFET는 어떻게 동작하는지를 그림 4,5에 나타내었다.기본적으로 Vds의 전압을 증가시키면 Drain 측의 NP 접합은 공핍층(depletion region)이 커지게 되며 Gate-Drain 간 전압 VGD 는 VGS-VDS이므로 VGD는 VDS가 증가함에 따라 작아져서 Drain 영역에 가까운 채널의 폭이 작아지게 된다. VGD가 Vth 가 될 때 까지 증가하면, 채널은 끊기게 되며, 이때의 전압을 Pinch-off 전압 혹은 saturation 전압이라고 한다.그림 4. Vds 전압의 상승에 따른 변화Step 1. 에서는 Vds가 매우 작은 경우이다. 이때는 형성된 채널을 통해 Id의 전류가 흐르는 상태로써, 전압의 증가에 따라 전류의 크기도 비례하여 증가한다.Step 2. 에서는 계속적으로 Vds가 증가하여 Depeletion Layer가 점점 Drain 쪽으로 치우치게 되며, 채널은 이에 따라 Drain 쪽이 점점 얇아지게 된다. 이 때 전류는 D-S 전압에 선형적으로 증가하지 못하기 시작한다.그림 5. Vds 전압의 상승에 따른 변화 2Step 3 에서는 VDS가 Vdsat 에 도달하였을 때 이다. Vdsat 은 채널이 계속적으로 작아져서 끊기기 직전의 전압이며 Pinch-off 전압 Vp 라고도 한다. 이때 Drain의 전류는 서서히 포화(saturation)되기 시작한다. 또한 이때 VGD의 전압은 Vth 가 되며, VDS = VGS – Vth 이다.Step 4 에서는 VDS가 Vdsat 을 넘었을 경우이며, 이때의 전류는 더 이상 증가하지 않고 포화된다. 이때 채널은 끊기게 되는데 이는 매우 큰 저항이 됨을 의미한다.위에서 살펴본 것과 같이 이렇게 D-S 간의 전압을 상승시킬 경우 전류는 전압에 비례하여 증가하다가 VDS가 Vp 가 되면 전압을 증가시켜도 더 이상 전류가 증가하지 않는다. 이러한 V-I 특성에 따라 전압에 따라 전류가 상승하는 구간 즉, VDS ≤ VGS-Vth 를 만족하는 구간을 Triode 영역, Ohmic 영역, Linear 영역 이라고 하며, 전압을 증가시켜도 전류가 증가하지 않는 구간 즉, VDS > VGS-Vth를 만족하는 구간을 Saturation 영역이라 구분한다.그렇다면, VGS가 Vth 이상에서 증가하는 것은 어떠한 영향을 미치는가? VGS의 증가는 채널에 더 많은 전자를 Gate 단자로 끌어들이게 되며, 이것은 결국 채널의 두께가 증가함을 의미한다. 따라서 VGS의 증가는 채널의 Conductance(도통률)을 변화시키게 되며, 다음의 그림 6과 같은 MOSFET V-I 곡선의 결과로 나타나게 된다.

공학/기술| 2009.12.10| 5페이지| 2,000원| 조회(3,524)

MOSFET, MOSFET 동작원리, 채녈형성, V-I 특성

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전력소자

전력소자Thyristor 계열1. 이론1.1 요약1.2 Circuit Symbol1.3 Function1.4 장점1.5 종류 및 구조(Thyristor, SCR, GTO, Diac)2. 적용MOS 계열1. MOSFET2. IGBTThyristor 계열1. 이론1.1 요약 - 전력 시스템에서 전류 및 전압의 제어에 사용되는 전력 반도체1.2 Circuit symbol1.3 functionThe thyristor is a four-layer semiconducting device, with each layer consisting of alternately N-type or P-type material, for example P-N-P-N. The operation of a thyristor can be understood in terms of a pair of tightly coupled bipolar junction transistors, arranged to cause the self-latching action:Switching characteristicsIn a conventional thyristor, once it has been switched on by the gate terminal, the device remains latched in the on-state, providing the anode current has exceeded the latching current (). As long as the anode remains positively biased, it cannot be switched off until the anode current falls below the holding current ().1.4 장점가. 고전압 대전류의 제어가 용이하다.나. 제어이득이 높고, 게이트 신호가 소멸하여도 온 상태를 유지할 수 있다.다. 수명은 반영구적으로 신뢰성이 높다. 또 써지 전압 전류에도 강하다.라. 소형, 경량으로 기기나 장치에의 설치가 용이하다.1.5. 종류 및 구조SCR 사이리스터A, K, G는 각각 애노드(anode), 캐소드(cathode), 게이트(gate)를 나타내고, 전류는 항상 애노드에서 캐소드로 흐릅니다.GTO 사이리스터(Gate-Turn-Off Thyristor)(3단자 턴오프 사이리스터)GTO사이리스터의 각 단자의 명칭은 SCR 사이리스터와 같고, 전류는 항상 애노드에서 캐소드로 흐릅니다.게이트에 양(+)전류를 흘리면 ON되고, (-)전류를 흘리면 OFF되는 SCR이며, SCR 사이리스터와 달리 음의 게이트 전류 펄스에 의하여 턴 오프가 가능하며, 일단 오프되면 게이트 전류 없이도 오프 상태를 유지하는 트리거 오프(trigger off) 기능을 가집니다.다이액(Diac)다이액은 위의 그림에 나타난 바와 같이 PNPN반도체 층이 양방향으로 결합되어, 양방향으로 전류를 흘릴 수 있는 2단자 소자입니다. 캐소드가 없는 대신에 애노드1과 애노드2가 있습니다. 다이액은 두 단자의 극성에 상관없이 다이액 양단의 전압이 일정 전압(브레이크오버 전압이라고 합니다)에 도달하면 도통되고, 전류가 유지전류 이하로 떨어지면 단락됩니다. 도통된 다이액의 전류방향은 인가된 전압에 극성에 따라 결정됩니다.2. 적용SCR 사이리스터는 계전기 제어, 시간지연 회로, 모터 제어, 전압 조정, 축전지 충전기, 위상제어 등을 포함한 많은 응용분아에 사용되고 있습니다. 최근의 SCR은 1800V, 2000A와같이 높은 정격 전압과 정격 전류로 10MW 정도의 높은 전력을 제어하도록 설계되고 있습니다. 또한 응용주파수 범위는 약 50Khz로 확장되어 유도가열이나 초음파 세척기와 같은 고주파용으로도 많이 응용되고 있습니다.MOS 계열1. MOSFETMOSFET (Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)1. 요약 - 전력 MOSFET는 전압 구동형으로서, 전류구동형인 바이폴라 트랜지스터에 비해 구동회로가 간단하고 고속 스위칭이 가능하며, 열적 안정도가 우수한 반도체 소자임.2. MOSFET symbol3. Application저소음 및 고효율, 저전압 작동, 소형화 및 고밀도 조립의 특성을 가지고 있으며, 자동차 전자장치 기기, 전원분야, 휴대기기, 오디오 분야 사용 되고 있다.2. IGBTIGBT[Insulated gate bipolar transistor]1. 요약 - 전력용 반도체 중 하나이고, 300V 이상의 전압 영역에서 널리 사용되고 있으며, 고효율, 고속의 전력 시스템에 특히 많이 사용되고 있다.2. IGBT symbolStatic Characteristic of an IGBT3. ApplicationIGBT의 기본적인 특성은 적용 시스템의 전압에 따른 소자 내압(Breakdown voltage)를 기본으로 하여1) 도통 상태의 소자 전압 강하(On-state voltage drop)인 VCE(sat)에 의해 결정되는 정특성2) IGBT의 On/Off 스위칭 속도에 의해 결정되는 동특성3) 단락회로 견고성 등으로 나누어 질 수 있습니다.이들 관계는 상호 Trade-off관계를 가지고 있으며 즉, 일반적으로 낮은를 갖는 IGBT는 스위칭 오프 손실이 크고, 높은

공학/기술| 2009.12.10| 6페이지| 1,500원| 조회(613)

DIAC, MOSFET, Thyristor, SCR, gto, 사이리스터, igbt

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직류전동기 원리 및 기본이론과 모델링, 전달함수

..PAGE:1직류 전동기과 목 : 열차추진제어담당교수님 : 정락교 교수님발표자 : 이상혁..PAGE:2직류 전동기 기본 이론정의 : 전기에너지를 기계에너지로 바꾸는 기계(모터)▣ 전동기란?▣ 직류전동기정의 : 전자유도현상을 응용하여 직류 전류로 회전하는 장치..PAGE:3▣ 직류전동기의 동작원리직류 전동기 기본 이론..PAGE:4..PAGE:5직류 자여자 전동기▣ 직권 전동기계자권선전기자▣ 분권 전동기▣ 복권 전동기..PAGE:6직류 타여자 전동기▣ 직류 타여자 전동기전기자계자권선..PAGE:7직류 전동기의 전달함수..PAGE:8DC모터의 제어방식▣ DC모터의 제어 방식1. 계자 전류 제어 방식제어 변수 =영구자석 사용하지 않고 계자 전류를 통해 전자석 역할속도제어 - 계자 전류를 조정하여 자속을 변화 시킴2. 전기자 전압 제어 방식제어 변수 =영구자석 사용속도제어 - 전기자 전압을 조정..PAGE:91. 계자 전류 제어 방식 전달함수실재 모델 전기적인 모델구성요소토크-각속도토크-회전각임피던스▣ 모델링Torsion (K)..PAGE:10( 전동기 공극자속 계자전류에 비례 )▣ 관계식들의 라플라스 변환꼴1. 계자 전류 제어 방식 전달함수(외란 토크 일반적 무시 가능)( 회전관성의 부하토크 ): 자속: 전동기 상수: 계자전류: 회전력(토크): 전기자 전류: 계자전압: 계자저항: 계자 인덕턴스: 부하토크: 외란토크: 출력( 전동기 회전력은 전기자전류에 비례 )..PAGE:11▣ 전동기와 부하 전체의 전달함수1. 계자 전류 제어 방식 전달함수( 외란토크 무시)전달함수계자 전류 제어 DC 전동기의 블록선도 모델계자부하출력외란입력..PAGE:121. 계자 전류 제어 방식 전달함수▣ 임의의 값을 통한 출력t=0부터 30까지 0.1씩 증가Rf=1; %계자저항Lf=1; %계자 인덕턴스J=0.9; %관성력D=0.5; %점성마찰계수Km=0.5; %전동기 상수K=0.5; %비틀림Step response 출력..PAGE:13▣ 관계식들의 라플라스 변환꼴2. 전기자 전압 제어 방식 전달함수전기자 전압 제어 권선도( 계자전류가 코일에 흐를 때)(외란 토크 일반적 무시 가능)( 회전관성의 부하토크 ): 자속: 자석 매질의 투자율: 계자전류: 회전력(토크): 전기자 전류: 전기자 전압

공학/기술| 2009.12.04| 15페이지| 2,500원| 조회(1,661)

MatLab, dc motor, 매트랩, 전달함수, 직류 전동기

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