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  • [LED 디스플레이] FED display - CNT를 이용한 Field Emission Display의 실험
    Field Emission Luminance1. 목차 - 1. 진공 (Vacuum Technology) - 2. 진공 Pump (Turbo Molecular pump) - 3. Field Emission Theory (Fowler- Nordheim Theory) - 4. Phosphor - 5. CRT FED 의 비교 - 6. 실험방법 결과2. 실험의 개략도 Cathode CNT ITO (1) Phosphor (2) Field Emission (3) Vacuum system3. Vacuum ( 진공 ) - Definition * Ideal Vacuum : A space containing nothing * Practical Vacuum : 일정한 부피의 대기압에서의 기체분자보다 적은 공간을 진공이라고 한다 . - Any volume which has fewer gas molecules in it than the same size volume in the surrounding atmosphere will be called a vacuum.4. Vacuum 진공이 필요한 이유 - 기체분자의 운동론 (Kinetic Theory of the Gas Molecular) ▪ 기체는 매우 많은 작은 입자로 구성되어있다 . ▪ 끓임없는 chaotic motion( 무질서 운동 ) 한다 . ▪ 분자들 사이 충돌작용은 무시한다 . - Mean Free Path ( mfp : 평균자유행로 ) 기체 가 많을 경우 기체 가 적을 경우5 . Mean Free Path Pressure d : 기체분자의 지름 Nv : 단위부피에 들어있는 분자수 λ : 평균자유행로 λ ( 평균자유행로 ) ∝ 1/P ( 압력 )6. Field Emission ▪ 진공 내에 있는 금속 표면에 5 kV/㎛ 이상의 전계 가 인가될 경우 , 금속 표면의 전위 장벽이 얇아지면서 금속 내의 전자들이 양자 역학적으로 터널링 (Tunneling) 하여 진공 내로 방출되는 현상을 말한다 . ▪ Image Force : 금속 표면에 전하가 가까워졌을 때 이것에 작용하는 인력 . 표면을 거울로 가정해서 반대부호의 전하가 그 거울의 반대쪽에 있을 때와 같은 인력이다 .9. Fowler- Nordheim Theory10. Current FN Theory (1) * A, B 는 상수11. Current FN Theory (2) r : emitter 의 반지름 d : FED 의 gate 지름 h : emitter 와 anode 사이 거리 s : FED 의 gate 와 emitter 높이 V : 양단에 걸리는 전압원 J( 전류 밀도 ) 와 F(Electric Field) 는 선형적인 관계이다 .12. Phosphor 빛이 없어도 빛을 발산시키는 재료 , 이러한 현상을 형광 반응이라 한다 실험에 사용한 CRT Phosphor(Green-Type GL29A/N-C1)13. Phosphor Principle14. Turbo Molecular Pum p 공기 입자성 에 근거를 두고 , 일정한 각도를 가지고 고속으로 회전을 하는 많은 날개를 가진 저 회전자와 그사이에 있는 고정자를 써쓴다 . 공기의 입자운동에 일정한 방향성을 부여함으로써 공기를 배출시키는 것이다 .15. Pump 의 개략도16. 실험방법 (1) CNT sample 만드는 방법 ① Stainless steel substrate(SUS) 와 CNT sample, silver paste, glass, carbon tape 를 준비한다 . SUS 옆모습 그위에 CNT Sample 올렸다 . ② glass 를 CNT sample 주위로 붙이고 , carbon tape 를 이용하여 두께가 150um 인 glass 를 좌우에 하나씩 2 장을 붙인다 . 여기서 glass 는 Insulator 의 역할을 한다 . - 우리는 지난 시간에 CNT 성장을 통해서 이미 만들어진 CNT sample 을 이용하여 실험하여서 이부분의 실험은 생략하였다 .17. 실험방법 (2) CNT 를 넣은 후 압력을 낮춘다 . 전류를 0.5uA~5uA 까지 0.5uA 씩 높인다 . 해당 전류에서의 전압과 형광체의 휘도 변화를 관찰한다 .18. 실험 결과 전류 - 전압 변화 전류 ( A) 전압 ( V) 0.5 A 879V 1 A 903V 1.5 A 976V 2 A 986V 2.5 A 1008V 3 A 1035V 3.5 A 1060V 4 A 1065V 4.5 A 1086V 5 A 1090V 6 A 1108V0.5uA 18. 실험 결과 (2) 1uA 1.5uA 2uA 2.5uA 3uA 3.5uA 4uA 4.5uA 5uA 6uA19. 실험 고찰 전압 - 전류 그래프 Fowler- Nordheim 을 따르지 않음 , CNT 가 고르게 성장나지 못해서 고전압을 인가하면 CNT tip 이 뭉뚝해지면서 전자 방출이 적어짐 전압계 관찰 시 전압 값이 고정되어있지 않았음 - 정확한 수치 확인이 어려움 이물질19. 실험 고찰 (2) 전압 -luminance 비례 확인 → Phosphor 의 발광이 edge 에서만 일어남 CNT 의 성장 과정에서 원인 발생19. 실험 고찰 (3) 효율적인 발광 조건 - 고진공 , 고른 CNT 성장 , 적당한 형광체의 두께 형광체의 적당한 두께 조정이 어려움→ FED 양산이 잘 되지 못하는 요인{nameOfApplication=Show}
    공학/기술| 2012.12.02| 21페이지| 1,000원| 조회(166)
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  • 판매자 표지 [디스플레이공학] TFT-LCD와 AMOLED의 심층분석와 실제 Panel의 분해도
    [디스플레이공학] TFT-LCD와 AMOLED의 심층분석와 실제 Panel의 분해도
    1. TFT-LCD Introduction - Color TFT-LCD는 광원이 제일 중요한 요소 중 하나이다. 디스플레이 방식은 스스로 빛을내는 발광형과 외부로부터의 빛을 이용하는 비발광형으로 크게 구분할 수 있다. 자발광 형태의 경우 OLED가 다. 하지만 TFT-LCD는 비발광형이며 액정이 단지 빛의 투과율과 광량을 제어하는 방식이다. 다시 말하면 액정 자체가 빛을 낼 수 없기 때문에 어떤 방법으로든 외부에서 빛을 받아들일 필요가 있다. 비발광에는 외부광을 이용하는 반사형과 광원을 액정 패널의 뒷면에 배치하고 뒷면에서 종명하는 투과형이 있다. 일반적으로 칼라 표시형에서는 투과형을 사용하며 형광등으로부터 광을 면광원으로 변환하여 액정 패널 전면에 빛을 조하는 Backlight unit라고 불리는 부품이 사용되고 있다. 실험에서 패널을 분해하고 이것을 면도날로 sealant를 잘라 상하판으로 분해한다.2.AMOLED Introduction - 지금까지는 LCD가 주류로 디스플레이시장에 있었지만 OLED가 등장하면서 많이 비교가 되고 있다. 자발광 display인 OLED는 TFT-LCD의 color filter와 backlight의 역할을 OLED 유기층이 대신하고 있다. 즉AMOLED는 기능 복합화가 이루어져 부품의 수가 줄어들고 있다. LCD에서는 필요한 편광판, 도광판(LGP), 위상차 film, prism sheet 등의 각종 광학 film이 이제 필요가 없으며TFT는 LCD에서 단순한 switch 역할만 했지만 OLED에서는 TFT가 계조표현까지 겸하고 있어 TFT 특성의 미세한 변화에 큰 영향을 받고 있다. 그러므로 LCD에 서 쓰던 a-Si:H보다 poly-Si으로 대체가 되어야 한다. 그 결과 LTPS 또는 oxide 반도체가 연구중 이다.
    공학/기술| 2012.12.01| 19페이지| 4,000원| 조회(1,067)
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  • [OLED 디스플레이공학] AMOLED의 Bottom Emission와 Top Emission의 분석 및 이해
    Recent Developments in Top-Emitting Organic Light-Emitting DiodesDisplay SeminarContents1. Introduction - History Basic principle of OLEDs 2. Types of TEOLED - Different Structures of TEOLEDs 3. Microcavity Theory - Fabry-Perot Cavity 4. Materials in TEOLED - Materials of Red, Green and Blue in TEOLEDs 5. Application Developments in Future - ConclusionIntroductionIntroduction - HistoryIntroduction - HistoryLCD and OLEDBasic Principle of AMOLEDBasic Principle of TFT1. More Compact Design, 2. Easy to use ELA, 3. Easy to Control Gate Metal Thickness 4. More Good performance of TFT Back plane. (High Resolution)But! Poor ReliabilityBasic Principle of TFTSony - 4TFT (Left) Samsung – 6TFT (Right)Top Emission Bottom EmissionTop Emission Bottom EmissionWe can get more greater aperture ratioMore High resolution and More Long Life TimeWe can get Strong ResonanceMore narrow Emission More large Color GamutTypes of TEOLEDsDifferent Cathodes Metal oxides - TCOs (transparent conducting oxide) - ITO (indium tin oxide) - IZO (indium zinc oxide) - IO (indium oxide)Different Cathodes in TEOLEDs2. Thin Metals - Mg:Ag, Ag, CuPc, Li, Al/CuPc, LiF/Al etcWe must think about the conditions of Cathode! - Transparent - Low work function – To supply sufficient electronThere is a Problem with the method. Metal oxide cathode - Magnetron Sputtering Thin metal – Thermal EvaporationMicrocavity TheoryMicrocavity TheoryResonant Cavities (Micro Cavity effect)● Cavity Finesse (F)We can converted to wavelength and frequency● Free spectral range (VFSR)Resonant Cavities (Micro Cavity effect)● Enhancement FactorThe density of optical modes per unit length per unit frequencyPrecondition (Assume) 1. 1D optical mode density 2. Coplanar reflector 3. Homogeneous medium● 1D Optical mode in free spaceResonant Cavities (Micro Cavity effect)K : constant● Optical mode density and Optical Transmittance● Optical transmittance in cavityUsing Power seriesResonant Cavities (Micro Cavity effect)● Integrate all frequency and cavity length● Maximum and Minimum Density of optical modesResonant Cavities (Micro Cavity effect)Resonant Cavities (Micro Cavity effect)● Enhancement factor (Ge) Ratio of the optical mode densities with and without cavity★ When F(Cavity Finesse) ↑ or R (reflectivity) ↑ ∝ Ge ↑● Consider more factors 1.Average loss of two mirror 2. Standing wave effect 3. Cavity life timeResonant Cavities (Micro Cavity effect)● Integrated emission enhancement Factor (Gint)To calculate the factor, the spectral width of the cavity resonance and the spectral width of the natural emission spectrum must be determined. We analytically calculate it by assuming a Gaussian natural emission spectrum.Gaussian emission spectrum widthConsider all the factors…Resonant Cavities (Micro Cavity effect)Resonant Cavities (Micro Cavity effect)● The angular dependence effectBy using Snell LawResonant Cavities (Micro Cavity effect)RED Green TEOLEDs1. Red GreenWays to obtain Red and Green Emission1. Design cavity length match the Resonant mode ( easy because similar to Bottom) 2. Adjust to fit the total optical length by controling ThicknessBlue TEOLEDs2. BlueShorter (0 : mode) Longer (1,2 or Higher) cavity length is required.{nameOfApplication=Show}
    공학/기술| 2012.12.01| 27페이지| 2,000원| 조회(1,025)
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  • [OLED 디스플레이공학] AMOLED의 제조와 전기적특성 및 광학적 특성 평가
    OLED 12th ExperimentOLED특성평가1. AbstractOLED 소자의 특성평가를 위해 test소자를 제작하고 기본적인 특성과 발광특성을 밀폐된 공간에서 분광측정기와 전류/전압 측정계를 통해 소자를 평가해 본다. 측정해야할 항목은 I-V-L 및 발광 효율, 색특성이다.2. Introduction▶OLED특성평가를 하기전에 다음과 같은 TEST소자를 제작한다.▶OLED의 기본적인 특성평가를 하는데 다음과 같은 기본특성을 측정한다. 전압인가에 의한 전류주입과 carrier수송 정보를 얻기 위해 J-V 특성을 측정한다. 발광이 일어나는 임계전압과 어느정도 전압까지 소자가 견딜 수 있는가를 알기 위해 휘도 특성과 주입전류에 대해 휘도변화를 나타내는 J-L 특성을 측정한다. OLED소자의 발광특성은 EL-spectrum으로 확인할 수 있다.▶OLED의 발광특성평가는 분광측정기를 이용하여 전압변화에 따른 색좌표 변화와 EL-spectrum을 평가할 수 있다.3. Experiment▶Experiment devicepower supply, current meter, luminance meter(CS-100, CS-1000, PR-650)▶OLED Test device fabrication process1> The cleaning process of bare-glass.Aceton ⇒ IPA ⇒ DI-water2> The UVO(UV-ozone) treatment of bare-glass during the 300s (reason – Extra organic matter cleaning, sterilization by ozone, hydrophilic surface control)3> Input Bare-glass in the Glove Box filled the N2 atmosphere.4> Transfort bare-glass in the chamber of side of Glove Box. Because fabrication chamber is in the high vacuum. Therefore buffer chamber require to chang from low vacuum to high vacuum.5> vacuum processLower pressure to 10-4Torr by using the Rotary Pump and to 10-7Torr by using the Cryo pump.6> Thermal evaporation processInput organic maerials in the ceramic cell. Next, Ceramic cell is heated by current-voltage source. Consequently, organic maerials evaporate at substrate glass.7> evaporation order4. Metal3. ETL2. EML1. HTLEvaporate respectively partitions to stack organic layers.8> Next, Move OLED device in the load lock chamber. Make progress the encapsulation process in the glove box and then UV curing process. (hardening sealant)▶OLED Test1> Connect power supply and current meter at the cathode and the anode of device.2> Input the area value of 4mm2 at the program parameter.2> To measure the brightness, locate luminance meter at radiation department.3> As increasing the Voltage from 0V to -2.0V and from 0V TO 8.0V, measure the electric current and the brightness, color coordinate in a darkroom. Electric current can be measured by current meter and the brightness, color coordinate can be measured by luminance meter(CS-1000).4> Analyze property of the device.4. Result / Discussion▶OLED소자 기본특성1> J-V그래프로부터 우리는 turn-on voltage를 알 수 있다. 0V에서 3V까지는 전류가 흐르지 않다가 3V이상에서 전류가 흐르기 시작한다. 여기서 급격하게 전류가 증가하는 곳이 4.5V이므로 이곳이 turn-on voltage임을 알 수 있다. J-V그래프를 확대해보면 역방향 전압도 측정하는데 이는 소자의 안정성을 평가하기 위한 것이다. 이때 값이 크면 누설전류가 있다는 것이다.2> L-V그래프에서Onset voltage(1nit일때)Driving voltage(1000nit일때)4.4 V7.2 VJ-V를 보면 3V에서 전류가 흐르기 시작하다가 상승하지 못하고 다시 4V까지 떨어지고 4.5V부터 다시 오르기 시작한다. 이러한 이유로 Onset voltage가 조금 뒤로 밀리게 되었다.3> current efficiency, power efficiency-L의 그래프에서 1000nit일 때 각각 4.3 cd/A, 1.9 lm/W의 효율을 보여주었다. 그래프의 곡선은 초기에 급격히 올라가다가 1000nit에 도달한 뒤에 saturation된다.4>EQE-V 그래프에서 EQE Max일 때 voltage가 3.5V이며 voltage가 증가함에 따라서 EQE는 감소한다.5>log J-log V로부터 J-V관계가 SCLC인지 TCLC인지 기울기로 판단할 수 있다.▶OLED소자 발광특성1> 6.5V에서 EL-spectrum의 최대 intensity는 509nm 로 녹색빛을 낸다. CIE 1931색좌표 측정값을 보면 voltage가 증가할수록 색좌표가 녹색에서 파란색으로 이동하는 것을 알 수 있다.▶ CIE 1931색좌표를 CIE 1976 색좌표로 변환Onset voltage = 4.4 Vx0.29u’0.12y0.63v’0.57Driving voltage = 7.2 Vx0.30u’0.13y0.61v’0.56
    공학/기술| 2012.12.01| 3페이지| 3,000원| 조회(388)
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  • [OLED 디스플레이공학] AMOLED의 재료를 Molecular simulation을 이용하여 HOMO와 LUMO 측정
    OLED 11th ExperimentMolecular simulation and E-level measurement1. AbstractMaterials Studio program을 사용하여 Molecular simulation을 해보고 유기물질의 LUMO와 HOMO값과 밴드갭을 측정한다. 유기물의 치환기에 따라 LUMO와 HOMO값이 어떻게 변화하는지 경향성을 살펴본다.2. IntroductionOLED소자를 설계하는데 있어서 hole과 전자가 잘 흐르도록 인접한 layer의 LUMO와 HOMO값을 맞추어 주어야하고 또는 밴드갭변화로 발광스펙트럼을 조절해야 한다. 일련의 과정들은 유기물에 electron donating/ withdrawing group 치환기를 추가함으로써 조절할 수 있다.이 실험에서는 Accelrys사의 Materials Studio program을 이용하여 실제 유기물을 제조하지 않고 가상적인 simulation을 통하여 LUMO와 HOMO값을 예상할 수 있다. 이 값들의 정확도는 부정확할 수 있으므로 치환기 종류에 따른 경향성을 살펴보는데 유용할 것이다. 이 program에서 사용할 tool은 DMol3이다.DMol3 geometry structure는 분자에 있는 원자 간의 거리를 조절해가면서 구조적으로 가장 안정한 상태의 HOMO, LUMO값을 계산하는 방법이다.3. ExperimentWe have to use the Accelrys’s Materials Studio program.[1step]Building an atomistic model of DCMThe first task is to open a new 3D Atomistic document in which to sketch a structure.1>Select file>new.. from the menu barSelect 3D Atomistic from the options listed and click on OK.2>By using the several button on the toolbar, we can draw the structure of DCM3> Select the properties tab on the DMol3 Calculation dialog and check the Electron density, Electrostatics and orbitals checkboxes.4>Press Run[2step]Displaying electronic properties1> Select Electron density and Press Import2> Selecting Potential ⇒ Display style ⇒ Mapped field ⇒ Selecting DMol Electrostatic Potential3>Display style ⇒ Isosurface ⇒ Adjusting the Transparency slider4> Display style ⇒ Field ⇒ Color maps ⇒ selecting the spectrum rainbow5>Veiwing the HOMO/LOMO Orbitals-DMol3 analysis → Orbitals → HOMO → import- DMol3 analysis → Orbitals → LOMO → import4. Result / Discussion다른 조에서 실험했던 NMe2기는 electron donating group 치환기이므로 벤젠고리의 π-conjuation 전자와 상호작용으로 LUMO와 HOMO값 둘다 작아진다.(level이 올라감) 전자를 주는기는 여러가지가 있지만 그중에서도 NMe2은 강력한 activation group이다. 여기서 주목 해야할 점은 NMe2기가 어느부분에 붙어있는지에 따라 값의 변화가 틀리다는 것이다. HOMO오비탈을 보면 벤젠고리의 para 또는 meta위치에 붙어 있을 때 벤젠과의 오비탈 상호작용에는 큰 차이가 없다. 그러므 로 HOMO값이 거의 차이나지 않는다. 반면에 LUMO는 meta위치일 때 벤젠의 LUMO 오비탈과는 작용이 감소하므로 para일때보다 LUMO값의 변화가 작은 것이다.CN기는 electron withdrawing group[EWG] 치환기이기 때문에 electron density를 보면 붉은색으로 전자들이 몰려 있는 것을 볼 수 있다. HOMO와 LUMO오비탈을 비교해 보면 치환기와 activation하면서 두 값 모두 커지게 된다.(level이 내려감)5조와 같이 electron donating/ withdrawing group이 모두 치환되어 있는 형태에서는 다른 양상을 보였다. HOMO값은 작아지고(level이 올라감) LUMO값은 커지는(level이 내려감) 현상을 관찰하였다. 이것은 HOMO오비탈에서 NMe2기와 더 activation되고 LUMO오비탈에서는 CN기와 더 activation되기 때문으로 분석할 수 있다. 이로인해 band gap이 줄어들게 되었다. 또한 각각의 치환기로 인해 LUMO와 HOMO값의 변화로 band gap도 변화한 것을 확인할 수 있었다.5. SummaryMolecular Simulation을 통해 복잡한 구조를 가지는 분자의 HOMO/LUMO값, band gap을 구할 수 있었다. 유기물에서 치환기의 종류(electron donating/ with drawing group)와 치환되는 위치에 따라 LUMO / HOMO 오비탈과activation되는 정도가 달라지고 따라서 각각의 경우에 특징적인 LUMO와 HOMO값의 변화를 보여준다.
    공학/기술| 2012.12.01| 3페이지| 3,000원| 조회(304)
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2026년 05월 26일 화요일
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