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기술문서작성법 기획안 작성

■ 도서관 소음 개선을 위한 기획안소음으로 방해받지 않는 도서관 학습분위기 조성을 위해 다음과 같은 기획안을 제출합니다.기획 목적- 매년 반복되는 도서관 외부 소음으로 학습분위기 저해현황 분석- 주말 밤 공연, 운동장에서의 행사로 인한 소음이 도서관으로 바로 들어와 학생들의 불만 속출- 단과 대학별로 학사일정이 상이하여 시험기간과 행사가 겹쳐 분쟁 발생(12년도 2학기에는 공대 시험기간과 미대 체육대회, 건축대 실기기간이 겹쳐 소음 및 분쟁 발생)- 도서관과 운동장의 물리적 거리가 가까워 매년 반복적으로 소음에 대한 불만이 제기됨목표 설정- 도서관은 1년 365일 공부할 수 있는 여건이 되어야함- 방음 설비를 하되 환기가 되어야 함해결 방안- 도서관 방음 설비 공사 시행- 학생들의 설문을 통한 희망 공사시기 파악하여 공사로 인한 피해 최소화- 도서관 이용 학생들의 편의를 위해 공사시간 최소화- 소음 규모를 측정하여 알맞은 방음 설비계획 수립- 새로운 환기 시스템 도입보다는 공사 기간을 최소화할 수 있도록 창문 형태의 설비 유지함일 정11월 14일 ~ 11월 16일도서관 소음 개선 위원회 설립11월 15일 ~ 11월 28일도서관 방음 공사 공지 및 공사기간 설문조사

공학/기술| 2015.12.20| 1페이지| 1,000원| 조회(286)

홍익대, 홍대, 기획안작성, 기술문서작성법, 도서관 소음 개선을 위한 기획안

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기술문서작성법 과학기술자의 인권과 사회적 책임 독후감

기술문서작성법「과학기술자의 인권과 사회적 책임」독후감담당교수*** 교수님작성자홍익대학교*****************수업***나는 앞으로 전공을 살려 과학기술자가 될 것이다. 하지만 내가 가질 직업에 대한 생각이 짧았던 것도 사실이며 과학기술자의 직업윤리에 대해 생각해보지 않았던 것이 사실이다. 내가 공부했던 환경은 전공 공부를 열심히 하고 수식의 이해만 돕는 분위기였다. 아무도 이 전공을 공부함으로써 수반되는 사회적 책임이나 가지게 될 권리에 대해 알려주는 이는 없었다.과학기술자는 사회적으로 '전문가'라는 인식과 함께 '윤리의식이 높다'라는 사회적 인식을 가지고 있다. 이런 인식을 통해 과학기술자는 지위를 얻게 된다. 이 지위에는 당연히 책임과 권리가 수반된다.나는 얼마 전 인터넷에 떠돌던 대졸 평균 연봉표를 보곤 상위권에 있던 현대자동차에 취직하고 싶단 생각이 있었다. 하지만 이 글을 읽고 나니 그 생각이 잠시 보류되었다. 현대자동차에는 원가절감부서라는 것이 있다고 한다. ‘보배드림’이라는 자동차 관련 인터넷 커뮤니티에서는 부서의 존재와 함께 자동차의 급발진에 대해서 말이 많았다. 급발진에 대한 기준이 있는 유럽 시장에서 팔리는 자동차에는 있는 부품이 우리나라에서 팔리는 제품에는 없다는 것이다. 필자가 말하는 미국에서 1980년대 이슈가 되었던 6.95달러짜리 연료탱크 하우징을 뺏던 포드사와 대한민국 1등 자동차 기업의 현재 모습이 겹쳐졌다.사회적으로 이슈가 된 여러 급발진 사고를 보며 그들은 라저 보졸리처럼 딜레마에 빠져 있었을까? 만약 내가 그런 딜레마에 빠졌고 6.95달러짜리 연료탱크 하우징을 빼자는 결정을 내린 엔지니어였다고 정말 불행했을 것이다. 또한 과학기술자로서의 책임을 저버린 것이란 생각이 든다. 나는 불행하고 싶지 않다. 나는 과학기술자로서 회사와 고객 사이에서 모두가 행복하고 만족하는 제품을 설계, 연구하고 싶다.한편으론 이런 생각도 든다. 책임을 저버린 과학기술자에게도 나름이 이유가 있을 것이라고. 과학기술자는 딜레마를 가질 것이다. 나의 선배들이 그랬듯 나는 어떤 회사에 소속된 엔지니어가 될 것이다. 어떤 회사 즉, 기업체는 존 래드가 주장하듯이 도덕체가 아니며 이익을 추구하는 집단이다. 나는 그 집단이 보장하는 소득으로 살아갈 것이며 그 소득을 얻기 위해 기업이 추구하는 분야를 연구하게 될 것이다.요즘 청년실업과 취직에 어려움을 텔레비전이나 여러 가지 매체를 통해서 듣게 된다. 3학년인 지금도 취업까지 1년 남았지만 절대 긴 시간이 아니며 어떻게 보면 바로 취업의 문턱 앞에 있다. 이러한 사회적 환경 속에서 어렵게 취직하여 기업이 추구하는 이익보다 나 자신의 양심이나 행동할 수 있는 권리를 확보한다는 것은 절대 불가능해 보인다. 회사입장에서는 내가 아니더라고 나를 대체할 과학기술자는 도처에 널렸다고 생각할 수 있기 때문에 해고하면 그만인 것이다.

독후감/창작| 2015.12.20| 2페이지| 1,000원| 조회(118)

독후감, 홍익대, 홍대, 기술문서작성법, 과학기술자의 인권과 사회적 책임

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3 level NPC Inverter

실험(6) Team Report실험(6)담당교수작성자제출일2014. 11. 06수업1. 개요1.1. 목적전력전자공학은 신재생에너지, 전기자동차과 같은 주요 산업에 널리 사용되는 실용학문입니다. 본 실험에서는 DC to AC 변환 기기인 인버터와 AC to DC 변환 기기인 컨버터에 대한 이론을 학습하고 Simulink를 이용한 시뮬레이션을 통해서 이론의 완성도를 높입니다.2. 시스템 구성2.1. 과제12.1.1. Initialize그림 1Callbacks의 initFcn을 이용해 초기값을 입력합니다. 이때 더 깨끗한 전류의 정현파 파형을 얻기 위해서 주파수 fs를 20㎑로 올려 입력하였습니다.2.1.2. 3 level NPC Inverter그림 2A상의 S3와 상보적인 S1, S4와 상보적인 S2를 두 가지 반송파를 이용하여 PWM 제어를 합니다. 이를 통해 3 level 공간벡터 PWM을 모델화합니다. B상과 C상 또한 A상과 같은 제어가 적용됩니다.2.1.3. 3 level NPC Inverter Modeling그림 3첫 번째 Block에서 Modulation Index(주파수 변조지수)와 주파수를 정합니다. 이후 Switching Block에서 두 가지 반송파를 이용한 PWM 제어를 이용하여 Switch 주기를 설정합니다. 이후 Inverter Block에서는 3 level NPC Inverter를 모델링합니다. 이후 부하단을 연결하여 상전류, 상전압, 선전압을 관측할 수 있도록 모델링하였습니다.2.1.3. Swiching block그림 4그림 5 그림 6 그림 7그림 4에서 Function block Ta_fcn을 포함한 전단은 2 level PWM 제어와 동일하게 적용합니다. 먼저 그림 4에서 Function block Ta_fcn을 통과한T _{a}에 offset을 주고,T _{b}와T _{c}에도 동일하게 적용합니다.T _{an} =T _{a} - {1} over {2} (T _{max} +T _{min} )T _{bn} =T _{b} - {1} over {2} (T _{max} +T _{min} )T _{cn} =T _{c} - {1} over {2} (T _{max} +T _{min} )식(1)offset이 포함된T _{an}을 두 가지 반송파와 PWM 제어하여 Switching 주기를 설정합니다. 이때 두 가지 반송파는 그림 5와 그림 6과 같이 설정합니다. 이런 과정을 통해 그림 7과 같이 PWM제어가 이루어지게 됩니다.2.1.4. Inverter그림 8그림 9Switching Block에서 나온 신호는 Inverter의 입력으로 들어옵니다. 먼저 A상의 S3와 상보적인 S1, S4와 상보적인 S2를 제어하는 Switching 신호 Sa1, Sa2, V1, V2를 이용하여, 아래의 수식을 이용하여 Vaz를 만듭니다.식(2)Vbz와 Vcz도 Vaz에도 똑같이 적용하여 구합니다.V _{AZ} =V _{AO} +V _{OZ}V _{AO} =V _{AZ} -V _{OZ}식(3)이제 식(3)을 이용하여 최종적으로V _{AO}를 구합니다.V _{OZ} = {1} over {3} (V _{AZ} +V _{BZ} +V _{CZ} ) 식(4)식(2)를 더하여 변형한 식(4)를 이용하여V _{OZ}를 구하고, 식(3)에 대입하면V _{AO}를 구할 수 있습니다. 이를 매트랩으로 모델링하면 그림 8의 인버터처럼 모델링할 수 있습니다.

공학/기술| 2015.12.30| 7페이지| 1,500원| 조회(177)

MatLab, 전력전자, 홍익대, 홍대, Inverter, 실험6, Simpower..

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2 level Inverter 평가A+최고예요

실험(6) Team Report실험(6)담당교수작성자제출일2014. 11. 06수업1. 개요1.1. 목적전력전자공학은 신재생에너지, 전기자동차과 같은 주요 산업에 널리 사용되는 실용학문입니다. 본 실험에서는 DC to AC 변환 기기인 인버터와 AC to DC 변환 기기인 컨버터에 대한 이론을 학습하고 Simulink를 이용한 시뮬레이션을 통해서 이론의 완성도를 높입니다.2. 시스템 구성2.1 Simpower Systems ? 2 level Inverter2.1.1 Initialize그림 1 초기값 설정Callbacks의 initFcn을 이용해 초기값을 입력합니다.2.1.2 2 level Inverter그림 2 2-level Inverter Modeling 이론도정현파 전류를 생성하기 위해S_1~S_6으로 이루어진 회로입니다. 이 회로는 8가지 상태가 가능한데, [0,0,0], [1,1,1]의 zero 상태를 제외한 나머지 상태는 스위치가 상보적으로 작동합니다. 예를 들어, A, B, C상에 들어가는 스위치가S_1,S_2,S_6로 상보적일 때 [1,0,0]이라는 신호로 작동합니다.2.1.3 2 level Inverter Modeling그림 3 2-level Inverter Modeling 회로도첫 번째 Command Block에서는 주파수와 진폭을 정합니다.V_abc Block에서 각각 120DEG 씩 차이나는 정현파를 설정해줍니다. 이후 Switching Block에서 하나의 반송파를 이용한 PWM 제어를 이용하여 Switch 주기를 설정합니다. 이후 Inverter Block에서는 2 level Inverter를 모델링합니다. 이후 부하단을 연결하여 상전류(I _{a}), 선전압(V _{ab})을 관측할 수 있도록 모델링하였습니다.2.1.4 Switching block그림 4 Switching Block그림 5 PWM 설정표 1표 1과 같은 시퀀스를 만들어주기 위한 회로를 구성하였고, 하나의 PWM의 진폭과 주기를 정해주었습니다. 기존 신호와 PWM과의 비교를 하고, 이를 다시a,b,c 각각의 상으로 나누어 신호를 도출합니다. 이때 상보적인 스위치의 gate 신호는 NOT(논리연산자)를 이용하여 만들고, 스위치 6개의 gate 신호를 만들어 Universal Bridge의 gate 신호로 보냅니다.2.2 Simpower Systems - 3 level NPC Inverter2.2.1 Initialize그림 6 초기값 설정Callbacks의 initFcn을 이용해 초기값을 입력합니다.2.2.2 3 level NPC Inverter그림 7 3-level NPCInverter 이론 회로도A상의 S3과 상보적인 S1, S4와 상보적인 S2를 두 가지 반송파를 이용하여 PWM 제어를 합니다. 이를 통해 3 level 공간벡터 PWM을 모델화합니다. B상과 C상 또한 A상과 같은 제어가 적용됩니다.표 2표 2와 같이 작동하는 회로입니다.2.2.3 3 level NPC Inverter Modeling그림 8 3-level NPC Inverter 회로도첫 번째 Command Block에서는 주파수와 진폭을 정합니다.V_abc Block에서 각각 120DEG 씩 차이나는 정현파를 설정해줍니다. 이후 Switching Block에서 offset 전압과 2개의 반송파를 이용한 PWM 제어를 통해 Switch 주기를 설정합니다. 이후 Inverter Block에서는 3-level NPC Inverter를 모델링합니다. 이후 부하단을 연결하여 상전류(I _{a}), 선전압(V _{ab})을 관측할 수 있도록 모델링하였습니다.2.2.4 Switching block그림 9 Switching block그림 10 0 이상의 PWM 그림 11 0 이하의 PWM 그림 12표 3과 같은 작동을 만들기 위한 회로를 구성합니다. 그림 9는 2-level Inverter와 동일하게 적용합니다. N level의 경우 N-1개의 캐리어가 필요하고, 3레벨의 경우(원칙적으로) 2개의 캐리어가 필요하므로 3-level NPC Inverter의 Switching block에서 2개의 PWM을 이용합니다. 0 을 기준으로 0 이상의 PWM과 0 이하의 PWM을 표현합니다. 이를 파형과 비교하여 12개의 신호로 내보내는 역할을 합니다. 이때 상보적인 스위치의 gate 신호는 NOT(논리연산자)를 이용하여 만들고, 스위치 12개의 gate 신호를 만들어 Three level Bridge의 gate 신호로 보냅니다.표 32.3 2 level / 3 level Inverter의 시뮬레이션 결과 및 비교2.3.1 2 level Inverter의 시뮬레이션 결과그림 13 선전압그림 14 a상 전류그림 13에서는 SVPWM 알고리즘을 사용할 때의 선전압(V _{ab})를 보이고 있습니다. Switching Block을 통해 나온 파형과 PWM 파형이 비교된 신호를 3상 Bridge 회로와 RL 회로를 통과하면서 그림 13과 같은 파형을 보입니다. 이 때 상전류(I _{a})가 깔끔한 정현파의 모습을 보이는 것도 그림 14를 통해 확인할 수 있었습니다.2.3.2 3 level Inverter의 시뮬레이션 결과그림 15 선전압그림 16 a상 전류그림 15에서는 SVPWM 알고리즘을 사용한 선전압(V _{ab})를 보이고 있습니다. Switching Block을 통해 나온 파형과 PWM 파형이 비교된 신호를 3상 Bridge 회로와 RL 회로를 통과하면서 그림 15와 같은 파형을 보입니다. 이 때 상전류(I _{a})가 깔끔한 정현파의 모습을 보이는 것도 그림 16을 통해 확인할 수 있었습니다. 이 시뮬레이션과 실험 결과를 통하여 3-level 인버터는 Six-step 인버터로 작동하고 있음을 알 수 있습니다.2.3.3 2 level / 3 level Inverter의 비교먼저 출력전압을 비교해보면, 동일한 직류 전원에 대해 2레벨 인버터 대신 3레벨 인버터를 적용할 경우 인버터 출력단의 전압 상승률이 2레벨 인버터에 비해 0.5배가 됩니다. 또한 3레벨 인버터의 다양한 전압 벡터를 선택함에 따라 전압의 크기를 2레벨 인버터의 경우에 비해 감소시킬 수 있습니다. 즉, 동일한 직류 전원으로부터 다양한 전압을 사용할 수 있다는 장점을 가지고 있습니다.반면에 같은 주파수에서 2레벨 인버터 사용 시, 3레벨 인버터를 사용할 때보다 출력전압의 고조파 성분을 줄일 수 있다는 장점이 있습니다. 그림 13과 그림 15를 비교해보면 3레벨 인버터에서는 고조파 성분이 포함되어 출력파형이 시간에 따라 균일하지 않을 것을 확인할 수 있습니다.

공학/기술| 2015.12.30| 11페이지| 1,500원| 조회(389)

MatLab, 전력전자, 홍익대, 홍대, Inverter, Simpower Sys..

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콜렉터, 베이스 예비보고서

1.실험 제목 : 전압분배 바이어스 공통 콜렉터 증폭기2.실험 목적 : NPN 전압분배 바이어스 공통 콜렉터 증폭기의 직류 및 교류 파라미터를 조사한다.3.관련 이론 :우선, 바이어스의 목적은 전류 및 전압의 변동을 교류 입력 신호의 응답내에서 발생할 수 있도록 하는데 의의가 있으며, 공통 콜렉터 증폭기는 Emitter Follow라고 달리 부르며, Base에 input을 인가하고, Emitter에 output이 된다. 또한, 입력신호는 베이스와 용량성 결합을, 출력신호는 이미터와 용량성 결합으로 한다. 특성으로는 전압이득이 ≒ 1이고, 전류 및 전력이득은 >1이고, 높은 입력 임피던스를 가지고, 낮은 출력 임피던스를 갖는다. 용도로는 임피던스 정합을 필요로 하는 여러 응용회로에 사용되어지고, 저 임피던스 트랜스듀서(스피커)등 구동 회로에 사용되어 진다. C1은 직류 성분을 막아주는 커패시터로 사용되며, C2는 콜렉터 접지용으로 사용된다.아래 두 번째 회로도에서는 교류 전압 이득을 위한 등가회로이며, 전류 방향이 반대로 되어있다. 이에 따른 전압이득, 입력저항, 출력저항, 전류이득, 전력이득은 아래와 같다. 위상을 따졌을시 순간 이미터 전압=×이므로 접지에 대하여 교류 입력 신호보다 더 (+)이다. 따라서 베이스전압이 (+) 로 되면 이미터 전압도 이에 따른다. (-)의 경우도 마찬가지이다. 그러므로 입력과 출력 신호는 이미터 폴로워에서 동상이다.(1)전압이득 (2)입력저항(3) 출력저항 (4)전력이득(5) 전류이득r'파라미터해설alpha _{dc}교류 알파(I _{c} /I _{e} )beta _{dc}교류 베타(I _{c} /I _{b} )r' _{e}교류 이미터 저항r' _{b}교류 베이스 저항r' _{c}교류 콜렉터 저항(1)전압이득에서r _{e}라는 수식이 보이는데, 이것은 등가회로는 트랜지스터의 동작상태를 표현하기 위하여 여러 파라미터를 사용하는데 그 중 하나이다.교류이미터 저항은 아래와 같이 구할 수 있으며,상온기준으로 25mV/emitter전류로 나타내어진다.상단의 그림같이 트랜지스터와 등가회로의 관계를 보면, 콜렉터 단의r' _{e}와alpha _{ac} I _{e}는beta _{ac} I _{b}와 같음을 알 수 있다. 또한 좌측의 그림같이 트랜지스터의 기호와r' _{e}의 구조 및 베이스의 전류를 알 수 있다.4. 시료 및 사용기기① 트랜지스터 : 2N3904② 저항 : 33Ω, 1kΩ, 2.2kΩ, 2.2kΩ×2, 47kΩ③ 커패시터 : 10㎌×2, 0.01㎌×1④ 직류 전원장치⑤ 전압계⑥ 신호발생기⑦ 오실로스코프⑧ 브레드보드* 실험 시 유의사항 : 전압계는 병렬로 측정을 해야 한다. 또한, 저항을 달았다고 하더라도 저항의 오차는±5%의 차이가 나기 때문에 실험의 오차가 발생한다. 베이스와 에미터 또는 베이스와 콜렉터 사이에 커패시터를 연결하여 사용하는 것은 발진조건을 최소화하기 위해서 이며, 프로브를 10:1로 사용할 시에는 커패시터를 안 달아도 무방하다.5.참고문헌전자 통신 연구회, 전자통신 기초실험(상학당) p233~2406.참고자료구글 ppt 자료 :www.openbind.com/attachment/48d12b493532372.ppt1.실험 제목 : 전압분배 바이어스 공통 베이스 증폭기2.실험 목적 : NPN 전압분배 바이어스 공통 베이스 증폭회로의 직류 및 교류 파라미터를 조사한다.3.관련 이론 :그림 1-1과 같이 이미터단자와 베이스단자를 입력으로 하고, 컬렉터단자와 베이스단자를 출력으로 한 것으로서 베이스단자가 입력단자와 출력단자에 공통으로 접지되었으므로 베이스 접지증폭 또는 베이스 공통 (Common Base ; CB)증폭이라고 한다.[그림 1-1 베이스 접지증폭]그림 1-2 에 커패시터로 결합된 공통 베이스 증폭기를 나타내었는데, 중간주파와 고주파에 적용되는 공통 베이스 증폭기의 등가 회로를 그림 1-3(A)에 나타냈다.[그림 1-2 공통 베이스 증폭단]그림 1-3(a)의 회로에서 우리는 이미터 단자 전압V_e가-V_pi와 같다는 것을 알 수 있으며, 이미터 단자에서 마디 방정식을 세우면,I_e는 다음과 같이 나타내어질 것이다.I _{e} =-V _{pi } LEFT ( {1} over {r _{pi }} +sC _{pi } RIGHT ) -g _{m} V _{pi } =V _{e} LEFT ( {1} over {r _{pi }} +g _{m} +sC _{pi } RIGHT )따라서 이미터를 들여다본 입력 어드미턴스는{ I_e} over { V_e}= { 1} over {r_pi }+g_m +sC_pi = { 1} over { r_pi}+sC_pi(a)이다. 회로의 입력에서 트랜지스터를 이 입력 어드미턴스로 대체 할 수 있으며, 그 결과를 그림 1-3(b)에 나타냈다.출력 쪽에서V_0가(R_C //R_L //C_ mu )를 구동하는 전류 전원g_m V_pi에 의해서 결정된다는 것을 알 수 있다. 따라서 그림 1-3(b) 등가 회로의 출력부분을 그릴 수 있다.그림 1-3(b)의 등가회로는 공통 베이스 구성의 가장 중요한 성질이 있는데, 내부의 귀환 커패시턴스가 존재하지 않는다는 것을 보여준다. 공통 이미터 회로와는 달리 여기서는C_ mu의 한쪽 단자가 접지되어 있다.(b)[그림 1-3 (a) 그림 1-2의 공통 베이스 증폭기의 등가회로][(b) (a)에 있는 회로를 간략화한 회로]1) 전류이득만약 전압분배 바이어스 저항 과 의 병렬합성 저항이 보다 훨씬 크다면, 대부분의 입력전류는 베이스로 흐른다. 그러므로 증폭기의 전류이득은 트랜지스터의 전류이득 에 접근한다. 이것은 극히 작은 신호 전류만이 바이어스 저항으로 흐르기 때문이다.2) 전력이득공통컬렉터의 전력이득은 전류이득과 전압이득의 곱이다. 이미터 플로어의 경우 전압이득이 거의 1에 접근하므로, 전체 전력이득은 대략 전류이득과 같다.3) 전압이득전압이득 Av 는 콜렉터 전압과 에미터 전압의 비로 정의되며 다음과 같이 계산된다. 먼저 에미터 단자에 걸리는 전압Ve=(r'_e || R_E ) Ie이고 콜렉터 단자에 걸리는 전압은Vc=IcRc ?IeRc이므로 전압이득Av 는V _{c} /V _{e} =R _{c} /(r' _{e} //R _{E} )이다.4) 입력 임피던스에미터단에서 회로의 우측을 바라다 본 임피던스 Rin(emitter)는 에미터 전압 Ve와 에미터 전류 Ie 의 비로 정의되며Z _{im} =r prime _{e} //R _{E}이다.5) 출력 임피던스공통 에미터의 경우와 유사 하며, 출력전압V _{0}가 무부하와 부하로 나누어 지고, 출력 임피던스는{V _{0} (무부하)-V _{0} (부하)} over {V _{0} (부하)} TIMES R _{L}로 구할 수 있다.4. 시료 및 사용기기① 트랜지스터 : 2N3904② 저항 : 330Ω×2, 3.3kΩ×2, 10kΩ, 12kΩ, 22kΩ, 100kΩ

공학/기술| 2015.12.20| 6페이지| 1,000원| 조회(193)

홍익대, 예비보고서, 콜렉터, 홍대, 베이스

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