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서강대학교 레포트 용지 평가A+최고예요

리포트속지| 2013.08.13| 1페이지| 무료| 조회(577)

레포트용지, 속지, 서강대학교

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2-Channel Audio Mixing Circuit Design

서강대학교 전자회로실험전자회로 실험 설계과제 Final Report2-Channel Audio Mixing Circuit Design금요일 1조제 출 일2013. 6. 23학 번학 번이 름이 름1. 실험목적오디오 믹서회로 설계-정류회로 설계-Mixing 회로 설계-Speaker driving 회로 설계2. 이 론1) 정류회로 설계(1)정류회로(Rectification Circuit)교류를 직류로 바꾸는 과정을 정류(rectification)라 한다. (+)와 (-)의 전압을 가지는 교류 전원을 (+)나 (-)의 한쪽 전압만을 흐르도록 하는 회로이다. 다이오드(Diode)는 한 쪽 방향으로만 전류를 흐르게 하는 특성이 있어 교류 전압을 직류로 바꾸는 정류 회로의 핵심 소자이다. 정류 회로는 반파 정류 회로, 전파 정류 회로, 브리지 정류 회로가 있다.-브리지 정류 회로정류 회로 중 가장 많이 사용되는 회로이다. 다이오드 수가 4개로 많다는 것과 순방향 전압 강하(VF)가 2배로 되는 단점이 있지만 가격면이나 전체 정류 효율에 있어서 가장 좋다.위의 그림에서 브리지 정류 회로의 출력을 계산해 보면V1=12[V],`V _{O(peak)} =V _{2(peak)} =17V#V _{2dc} = {2V _{0(peak)}} over {pi } =10.8[V](2)regulator그림처럼 수조 안의 물의 높이를 일정하게 조절하는 것과 같은 원리로 출력 전압을 일정하게 유지하는 역할을 한다. 물의 높이를 유지하려면 입력량이 출력량보다 많아야 하는 것처럼 제너 다이오드를 사용할 때에도 입력 전압이 출력 전압보다 높아야 한다.즉, 입력 전압 VS≥VZ=VO 이어야 하고 VZ보다 높은 전압 범위인 Vd=Vs=Vz인 불필요한 전압은 제너 다이오드의 항복전압 특성으로 인해 제너 다이오드 방향으로 흘려 버림으로써 출력 전압은 항상 안정된 Vz=Vo가 된다. 항복전압보다 높은 전압은 제너 다이오드를 통해 빠져 버린다.다음 그림은 위의 제너 다이오드 출력 부분에 전류 통과용 트랜지스터를 회로 설계다이오드 바이어스열폭주 현상을 방지하는 한 가지 방법은 바로 다이오드 바이어스를 이용하는 것이다.이는 에미터 다이오드의 바이어스 전압을 발생시키기 위해 보상다이오드(compensating diode)를 사용하는 것이다. 이 경우 다이오드 곡선은 트랜지스터의 VBE곡선과 일치해야 한다. 그러면 온도의 상승은 보상 다이오드에 의해 발생하는 바이어스전압을 똑같은 양만큼 감소시킨다. 다이오드 바이어스가 온도의 변화에 영향을 받지 않으려면 다이오드곡선은 넓은 온도영역에서 반드시 VBE곡선과 일치해야 한다. 개별회로에서는 소자의 오차 때문에 이것이 쉬지 않다. 그러나 집적회로의 경우 다이오드와 트랜지스터가 같은 칩에 있으므로 가능하다.보상 다이오드에 흐르는 바이어스 전류는 다음과 같다.Ibias = (Vcc - 2 VBE) / 2R보상 다이오드가 트랜지스터의 VBE곡선과 일치하면 ICQ는 Ibias와 같은 값을 가진다. ICQ는 crossover을 피하기 위해 IC(sat)의 1~5%의 값이어야 한다.3. 설계 과정 시뮬레이션1) 정류회로 설계정류 회로도(transformer-bride rectifier-regulator)브릿지 전파 정류회로 시뮬레이션 결과첫 번째 단인 정류회로는 220V의 교류를 받아서 우리가 사용할±9V 직류 전압으로 바꿔주는 부분이다. 그 중 첫 번째 부분은 TRANSFORMER로 220V의 교류전압을 12V의 교류 전압으로 낮춰준다. 이는 식{n _{2}} over {n _{1}} = {V _{2}} over {V _{1}} = {12V} over {220V} = {3} over {55}에 의해서 1번째단과 2번째 단이 55:3으로 감겨 있는 것을 알 수 있다. transformer에는 +12v, 0v, -12v 이렇게 3가지 출력전압을 뽑을 수 있다. 위상차가 반대인 교류전압을 얻을 수 있고 이를 이용하여±AC전압을 만들어냈다. 두 번째 단인 브릿지 전파 정류 회로는 위의 회로도와 같이 4개의 다이오드를 이용하여 정파 정류를 시켜주고 7809와 7909를 사용하였는데 여기서 두 번째 숫자가 8일 경우 positive voltage를 출력하고 9일 경우 negative voltage를 출력한다. 또한 마지막 숫자는 출력하는 dc 전압으로 우리는±9V를 사용할 것이기 때문에 이와 같은 소자를 선택하였다. regulator은 dc전압으로 바꾸는 전압을 제외한 나머지 전압은 모두 열로 소모하기 때문에 변환하는 전압차가 클수록 많은 열을 발생시킨다. 따라서 이를 보완하기 위해 방열판을 연결하여 회로를 보호하였다.2) Mixing 회로 설계mixer 회로도(V5 : 20mv, 10khz, V6 : 20mv, 1khz)MIXER 회로 시뮬레이션 결과(V5 : 20mv, 10khz, V6 : 20mv, 1khz)mixing 회로로 위와 같이 신호 증폭과 합성, 2가지 기능을 수행 할 수 있는 opamp 가산기를 설계하였다. 입력 부분은 오디오 신호와 마이크 신호가 들어오는 부분이며 dc를 차단하기 위해서 220uF capacitor를 입력 뒷단에 추가하였다. op-amp를 이용한 가산기는 정류 회로에서 얻은±9V를 이용하여 OP AMP 동작 전압을 공급해 주었고 식V _{O} = {R _{O}} over {R _{1}} V _{1`} + {R _{O}} over {R _{2}} V _{2`}에 의해 신호가 증폭되고 가산된다. POWER AMP 이전에 작은 입력 신호를 1차적으로 증폭하기 위해서R _{O}를990 OMEGA 을 사용하였고R _{1} 과`R _{2}에 각각 2KOMEGA 짜리 가변저항을 달아서 소리를 각각 TUNING 할 수 있도록 설계하였다. 여기서 OP AMP를 통해서 입력 신호를 1차적으로 증폭시켜 주기 때문에 OP-AMP의 성능 역시 중요하다. 우리는 신호를 깔끔하게 증폭시켜 주면서 NOISE 제거에도 탁월한 MUSES8890을 사용하였다. 위의 회로를 시뮬레이션 해본 결과 V5에 20mv, 10khz신호를, V6에 20mv, 1khz를 입력한 결과 V6신호가 1.5배 더 크게 나오고 해결한 회로이다. TRANSISTOR 내부에 있는 순방향 다이오드의 특성 때문에 CROSS OVER현상이 생기기 때문에 BASE 사이에 2개의 다이오드를 직렬로 연결하여 항상 바이어스를 걸어 주어 이러한 현상을 해결한 회로이다.위의 시뮬레이션 결과에서 V2신호는 앞단의 MIXER를 통과한 신호이며 DC 성분을 제거하기 위해 입력 부분에 CAPACITOR을 연결하였다. 다음 Q2는 NPN TRANSISTOR로 COMMON EMITTER이다. 따라서 AB급 증폭기에 들어가기 전에 한번 더 증폭시켜 주는 역할을 한다. 뒷단은 상보 대칭형 푸시풀 증폭기로 다이오드 2개를 이용하여 BASE 사이에 1.4V의 바이어스를 항상 걸리도록 설계하였고 NPN, PNP를 사용하여 상보 대칭이 되도록 설계하였다. Q2를 통과한 신호가 양쪽 TRANSISTOR의 베이스에 입력되면 TRANSISTOR의 형이 서로 반대이기 때문에 양쪽 TRANSISTOR는 입력 신호 중에서도 극성이 다른 각각의 반주기에서 동작한다. 즉, 양의 반주기 동안 NPN TRANSISTOR은 순방향이여서 동작하고 PNP는 역방향 바이어스가 걸려서 동작하지 않는다. 반대로 음의 반주기 동안은 PNP TRANSISTOR가 동작하고 NPN TRANSISTOR가 동작하지 않아 한주기 전체 입력신호에 대해서 부하에도 한 주기 전체 출력 신호가 나오게 되는 것이다.우리는 2N5551, 2N5401 TRANSISTOR를 사용하였고 멀티미터를 이용하여beta 값을 측정해 본 결과 210정도가 나오는 것을 알 수 있었다. 그러나 시뮬레이션 결과 위와 같이 입력 신호에 비해 66배정도 증폭된 것을 확인할 수 있었다. 이를 이용하여 출력 전력을 구해보면P _{L} (ac)= {V _{L, rm s it} ^{2}} over {R _{L}} = {V _{L,peak it} ^{2}} over {sqrt {2} R _{L}} = {4} over {sqrt {2} *8} =0.353W라는 것을 알 수 있다.위의 세 번째 그림은 앞에서mu F의 캡을 사용하여 RIPPLE을 최소화 하여 깔끔한 DC를 만들어 낼 수 있었다. 또한 MIXING 회로에서는 2KOMEGA 가변저항을 2개를 입력저항을 사용하고 윗 단 저항으로 990OMEGA 을 사용하여 소리를 튜닝할 수 있었다. 실제로 입력 신호의 절반까지 줄일 수 있었으나 완전히 사라지지는 않았다. 반대로 돌릴 때 소리가 SATURATION 영역까지 증폭되는 것을 확인할 수 있었고 마이크와 음악을 통시에 들을 수 있어 MIXER가 제대로 동작하는 것을 확인할 수 있었다. OP-AMP는 MUSES8820을 사용하여 NOISE를 최소화 하였고 특히 고역대를 깔끔하게 증폭시켜 음악을 들을 때 음이 섞이지 않는 효과를 볼 수 있었다.B급 증폭기를 사용하지 않고 AB 증폭기로 스피커 구동회로를 설계하였다. AB증폭기는 B급에서 발생하는 cross over distortion을 제거하기 위해서 바이어싱을 해야하는데 이 때 바이어스를 하기 위해서 회로에 2개의 다이오드를 사용했다. 사용한 다이오드는 1N4148로 fast switching diode이다. fast switching diode은 delay가 적어서 회로의 고속 동작에 이용되는데 이 소자를 사용함으로서 뒷단의 AB증폭기를 구성하고 있는 NPN , PNP BJT의 입력차이로 인한 distortion을 제거할 수 있었다. 추가로 트렌지스터가 열에 따라 동작점이 달라지기 때문에 이를 최소화하기 위해 방열판을 달았고 실제로 달지 않았을 때에 비해 덜 뜨거워지는 것을 알 수 있었다. 또한 24PIN 소켓을 사용하여 다이오드와 저항, 트렌지스터를 모두 탈부착 가능하도록 하여 회로의 효용성을 넓혔다. 또한 실험을 진행할 때 바로 정류회로를 연결하지 않고 실험실의 DC 전원공급기를 사용하여 MIXING단과 AB 증폭기를 따로 실험 한 후 둘을 연결하여 실험결과를 확인하면서 진행하였다. 이때 한계전류를 걸어서 AB 증폭기에 과전류가 흐르지 않도록 설정하였고 이에 맞는 트랜지스터와 저항을 변경해 가면서 트랜지스터하였다.

공학/기술| 2013.08.13| 11페이지| 1,500원| 조회(151)

op amp, 오디오, 스피커, 앰프, 서강대학교, 전자공학과, 믹싱, 정류 회로, 가..

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실제 실험을 통한 3G, LTE 속도 비교

1. 실험목적현재 스마트폰의 통신 시스템을 주도하는 기술은 크게 3G와 LTE로 나눌 수 있다. 실제로 광고에서 LTE가 3G에 비해 5배 이상으로 향상된 속도를 가진다고 하는데 이에 대해 정량적으로 측정해보고 여러 서비스를 사용하여 실제 QOE(Quality Of Experience)를 확인해 본다.2. 실험과정LTE와 3G의 속도를 정량적으로 비교하기 위해서 속도의 가장 큰 변수라고 생각하는 장소를 변인을 가지고 실험을 진행하였다. 이를 위해서 기기는 삼성 겔럭시3를 사용하였고 통신사도 동일하게 SKT를 사용하였으며 정량적인 측정을 위해 벤치비라는 속도측정 어플리케이션을 통해서 지연시간, 업로드 속도, 다운로드 속도를 측정하였다. 또한 실제 서비스를 사용할 때 속도차이가 있는지 확인하기 위해 유투브에서 동영상을 스트리밍으로 재생하여 다운로드 바가 다 차는 시간을 측정하였다. 그리고 요즘 가장 대중적으로 사용하는 카카오톡이라는 메신저를 통해서 109KB의 사진과 20.9MB의 동영상을 업로드하고 다운로드 하는데 걸리는 시간을 측정하여 LTE와 3G의 속도 차이를 확인하였다.데이터의 사용은 유동인구가 많을수록 상대적으로 많기 때문에 이에 따라 4가지 장소를 선정하였다. 우선 유동인구가 많은 금요일 저녁 신촌 미스터 피자와 점심시간 R관 앞에서 측정하였고, 상대적으로 유동인구가 적은 K관 강의실과 AS관 4층 강의실에서 측정하였다.또한 QOE(Quality Of Experience)를 확인하는 실험은 유동인구의 영향을 최소화하기 위해서 일요일 오전 PA관에서 측정하였다.3. 실험결과다운로드(Mbps)업로드(Mbps)지연시간(ms)3GLTE3GLTE3GLTE유동인구↑건물밖신촌 미스터 피자1.2434.91.1119.782.130.428배17배?R관 앞0.8514.60.9712.2177.633.117배12배?유동인구↓건물안K관 3층1.844.221.709.4091.328.82.2배5.5배?AS관 4층2.2816.71.913.7373.232.17.3배2배?위의 결과를 보면 모든 실험에서 LTE가 3G보다 업로드와 다운로드가 빠른 것으로 나타났고 상대적으로 다운로드에서 더 큰 차이를 보인다는 걸 알 수 있다.또한 유동인구가 많을수록 LTE가 3G에 비해 최고 28배 빠르다는 것을 알 수 있고 LTE의 경우 유동인구가 많은 건물 바깥 지역에서 더 빠른 속도를 내고 3G는 유동인구가 적은 건물 안에서 더 높은 속도를 낸다는 것을 확인하였다.위의 SKT의 이론적인 데이터 속도를 비교해 보면 3G의 다운로드 속도는 21MBPS로 되어 있으나 실제로는 2MBPS를 넘는 것도 단 한 번밖에 없었고 LTE의 다운로드 속도는 73MBPS로 되어 있으나 실제 측정한 최대 속도는 34.9MBPS로 이에 크게 못 미치는 것을 확인하였다. 이는 업로드 역시 동일하였다.실제 YOUTUBE를 통해서 IROM MAN3 HD 동영상을 스트리밍으로 재생해 본 결과 동영상을 다운 받는 시간(흰색 바가 다 채워지는 시간)은 3G의 경우 1분 06초였고 LTE는 50초라는 것을 확인하였다. 또한 동영상을 재생해 본 결과 LTE의 경우 재생되는 속도가 2초 안으로 걸렸으나 3G의 경우 5초 이상 걸리는 것을 확인하였다.KAKAO TALK이라는 메신저 어플리케이션을 이용하여 사진전송, 동영상 업로드, 동영상 다운로드를 하는데 걸리는 시간을 측정하였다. 위의 결과를 보면 사진 전송의 경우 용량이 109KB밖에 되지 않아서 LTE와 3G 모두 3초밖에 걸리지 않았다. 이 시간은 사실 실험을 진행하면서 생기는 시간으로 실제로는 거의 바로 사진이 전송되었다.동영상의 경우 업로드와 다운로드 하는 시간을 모두 측정하였는데 업로드의 경우 3G는 1분 11초가 걸렸고 LTE의 경우 12초만 걸렸다. 이는 LTE가 6배 정도 빠르다는 것을 알 수 있다. 이 측정은 유동인구가 적은 건물 안에서(PA관 일요일) 측정하였기 때문에 위에서 실험한 밴치비의 실내 결과와 비교하면 비슷한 속도 차이를 낸다는 것을 알 수 있다. 하지만 다운로드의 경우 3G와 LTE가 14초로 동일한 시간이 걸리는 것을 확인하였다. 또한 LTE는 업로드와 다운로드 속도가 비슷하였으나 3G는 업로드 속도가 다운로드에 비해 6배 이상 차이나는 것을 확인 할 수 있었다. 이러한 이유에 대해서는 결론에서 알아보도록 하자.4. 결론1.유동인구가 많을수록 LTE가 3G에 비해 최고 28배 빠르다는 것을 알 수 있고 LTE의 경우 유동인구가 많은 건물 바깥 지역에서 더 빠른 속도를 내고 3G는 유동인구가 적은 건물 안에서 더 높은 속도를 낸다는 것을 확인하였다.-- 이유 설명3G는 제한된 주파수에 사용자가 몰리면 느려짐 ( HSPA+ 이다)

공학/기술| 2013.08.13| 5페이지| 1,000원| 조회(1,811)

전자공학, 통신, QOS, 3G, 서강대학교, LTE, 속도비교, 통신공학개론

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서강대학교 전자회로 프로젝트

- 전자회로1 설계프로젝트과목명 전자회로1제출일2013 년6 월23일공과대학전자공학과3학년학번*************568성명 공 경 보허 인1. (a)1) parameter 값 계산rm mu _{n} =460cm ^{2} /V BULLET secrm C _{ox} = {epsilon _{ox}} over {t _{ox}} = {3.9 epsilon _{o}} over {t _{ox}} = {3.9 TIMES 8.854` TIMES `10 ^{-12}} over {9.5` TIMES `10 ^{-9}} F/m ^{2}rm k _{n} = mu _{n} C _{ox} =460` TIMES `10 ^{-4} TIMES {3.9` TIMES `8.854` TIMES `10 ^{-12}} over {9.5` TIMES `10 ^{-9}} =167.201 mu A/V ^{2}rm L _{eff,n} =L-2L_{Dn} =0.5` TIMES `10 ^{-6} -2` TIMES `0.08` TIMES `10 ^{-6} =0.34 mu mrm lambda _{n} =0.1V ^{-1},rm V _{THN} =0.7V2) RS1 결정① DC 전압rm V _{G1} = {R _{G2}} over {R _{G1} +R _{G2}} VDD= {2M} over {8M+2M} TIMES 5=1Vrm V _{D1} =`VDD-I _{D1} R _{D1} =5-40 mu TIMES 100k=1Vrm V _{S1}```` =`I _{D1} R _{S1}rm I _{D1} ``````= {1} over {2} k _{n} {W _{1}} over {L _{eff,1}} (V _{GS1} -V _{THN} ) ^{2} `rm``= {1} over {2} k _{n} {W _{1}} over {L _{eff,1}} (V _{G1} -V _{S1} -V _{THN} ) ^{2}rm RARROW ```값````대입````후````수식전개rm RARROW ``V _{S1} ^{2} -`0.6V _{STA L값이 커지면L _{eff}은 작아져서rm i _{D1} ``````= {1} over {2} k _{n} {W _{1}} over {L _{eff}} (v _{GS1} -V _{THN} ) ^{2} ` rm 에 의해i _{D}의 값이 커지게 된다. 이를 보정하여 식을 세우면rm i _{D1} ``````= {1} over {2} k _{n} {W _{1}} over {L _{}} (v _{GS1} -V _{THN} ) ^{2} (1+ lambda v _{DS} `) rm와 같이 나오게 되고 short channel에서는 항상 channel length modulation을 고려해야 한다.②변수를 구하는 과정에서 소수점 3째자리까지 반올림하였다.위의 계산한 식을 보면 변수를 구할때마다 소수점 3째자리까지 반올림하여 오차가 누적되어 발생하였다. 특히V _{S1}을 구하는 과정에서 0.014799가 나왔고 이를 반올림하여 0.015V로 사용하였다. 하지만R _{S1}를 구할 때V _{s1}을 매우 작은 전류(40uA)으로 나눠주기 때문에 이 오차가 더 극대화 되었다. 실제로V _{s1}=0.014799V를 이용하여R _{S1}를 계산한 결과 369.992OMEGA 을 얻을 수 있었고 이는 우리가 사용한 375OMEGA 과 1.336%의 오차를 가졌다. 따라서 오차를 최소화 하기 위해서 최종 결과만 3째자리까지 반올림하고 중간 변수들은 소수점 6째자리까지 포함하여 계산하면 이론값과 시뮬레이션 값의 오차를 줄일 수 있을 것이다.③온도에 따른 오차mosfet은 위와 같은 온도에 대한 특성을 가지나 우리가 사용한 model은 상온에서 동작할 때 값이고 이론값을 계산한 data와 시뮬레이션에서 사용한 소자의 data가 일치하기 때문에 온도에 대한 특성은 고려할 필요가 없다.④ SATURATION 전류식의 오차I _{D}를 구할 때I _{D} =-WQ _{n} (y)v _{y} (y)이고 electric field가 매우 크지 않을 때 가 성립함을 이용한다. 이때 ap6? 오차원인을 고려하기 전의 DC 분석은 최대 0.004%, AC 분석은 0.776%의 오차율을 보인다. 오차원인인 channel length modulation과 소수점 반올림을 6째자리까지 하여 재계산한 이론값과 시뮬레이션 결과는 [표 1]의 우측과 같으며, 오차율은 DC 분석 및 AC 분석 모두 0.776% 이내로 감소한 것을 확인할 수 있다. 오차원인 고려 전 결과와 비교하면 오차율이 크게 줄었음을 알 수 있다. 이를 통해 앞에서 고려한 나머지 오차 원인들을 매우 미세한 영향을 미친다는 것을 확인 할 수 있다.2. (a)1) DC BIAS에 의한 변수 확인bypass capacitorc _{2}는 DC analysis에서 OPEN이기 때문에 1번 회로 분석과 동일한 값을 얻을 수 있다. 이를 정리하면 아래와 같다.V _{G1} =1V#V _{D1} =1V#V _{S1} =27.729mV#R _{S1} =693.225 OMEGA #g _{m1} =293.824 mu A/V#r _{o1} =250K OMEGA 이를 통해 small signal analysis를 하여 AM,1를 아래와 같이 구할 수 있다.2)AM,1 구하기small signal에서c _{2}는 short된다고 가정한다.(문제 앞부분 가정). 따라서c _{2}와R _{S1}의 합성 임피던스는 0이 된다.rm A _{M,1} =-`G _{m1} `R _{out1}rm G _{m1} ``= {g _{m1} r _{o1}} over {r _{o1}} =g _{m1} =293.824 mu A/Vrm R _{out1} ```=`R _{D1} ` DLINE r _{o1} rm =71.428K OMEGATHEREFORE ``` rm A _{M,1} =-G _{m1} `R _{out1} `=-20.987V/V`=26.439dB3) 시뮬레이션을 통한 DC 분석 및 AC 분석∴ VG1=1.000V, VD1=1V, VS1=27.73mV∴ AM,1=26.662dB[표 2] CS amp. with RS1 & C2문}} over {9.5` TIMES `10 ^{-9}} F/m ^{2}rm k _{n} = mu _{n} C _{ox} =460` TIMES `10 ^{-4} TIMES {3.9` TIMES `8.854` TIMES `10 ^{-12}} over {9.5` TIMES `10 ^{-9}} =167.201 mu A/V ^{2}rm L _{eff,n} =L-2L_{Dn} =0.5` TIMES `10 ^{-6} -2` TIMES `0.08` TIMES `10 ^{-6} =0.34 mu mrm lambda _{n} =0.1V ^{-1},rm V _{THN} =0.7V2)W _{2} 결정①I _{D2}구하기V _{D2}를 1.8V라고 가정하면 옴의 법칙에 의해I _{D2} = {(VDD-V _{D2} )} over {R _{D2}} = {(5-1.8)} over {80K} =40 mu A ②W _{2} 구하기saturation 조건인rm V _{GS2} -V _{THN} `` LEQ V _{DS2} 을 만족하는지 확인하면rm V _{G2} -V _{THN} ` LEQ `V _{D2}RARROW rm ``0.3V` LEQ 1.8V∴ MN2가 saturation 영역에서 동작하는 것을 확인할 수 있다.rm I _{D2} ``````=` {1} over {2} k _{n} ( {W _{2}} over {L _{eff}} )(V _{GS} -V _{th} ) ^{2} (1+ lambda V _{DS} )이를 1)의 PARAMETER를 이용하여W _{2}를 구해보면rm W _{2} ``=` {2L TIMES I _{D2}} over {k _{n} (V _{GS} -V _{th} ) ^{2} (1- lambda V _{DS} )}=rm ` {2 TIMES 0.34 mu TIMES 40 mu } over {167.201 mu (1-0.7) ^{2} (1+0.1 TIMES 0.18)} =1.531812 mu A=>1.532 mu A∴W _{2} =1.532 mu A3)I _{D2} ,게 된다.rm v _{GS} -V _{THN} ` LEQ v _{DS} `` RARROW ``v _{G} -v _{D} LEQ V _{THN}를 이용하여rm v _{i`n}의 peak amplitude를 구할 수 있다.rm v _{gd2} +V _{GD2} = {``-` hat{v} ` _{d2}} over {A _{M,2}} -(- hat{v} ` _{d2} )+(V _{G2} -V _{D2} ) LEQ V _{THN} =0.7rm RARROW {``-` hat{v} ` _{d2}} over {-10.3} -(- hat{v} ` _{d2} )+(1-1.801) LEQ 0.7rm RARROW ` hat{v} ` _{d2,max} =1.368Vrm RARROW ` hat{v} ` _{g2,max} rm = {hat{v} ` _{d2,max}} over {��A _{M,2} ��} =132.832`mV∴ MN2 입력 신호의 peak amplitude는 312.832mV가 된다.rm v _{gd1} +V _{GD1} = {``-` hat{v} ` _{d1}} over {A _{M,1}} -(- hat{v} ` _{d1} )+(V _{G1} -V _{D1} ) LEQ V _{THN} =0.7rm RARROW {``-` hat{v} ` _{d1}} over {-21.533} -(- hat{v} ` _{d1} )+(1-1) LEQ 0.7rm RARROW ` hat{v} ` _{d1} LEQ 668.934mV`이때`` hat{v _{g1}} LEQ 31.066mV이다.`그러나V _{d1} =V _{g2}이므로rm ` hat{v} ` _{g2,max} rm =132.832`mV 값보다 작아야 한다.따라서rm ` hat{v} ` _{d1,max} rm =132.832`mV이고 이를A _{M,1}로 나눠주면rm RARROW ` hat{v} ` _{g1,max} rm = {hat{v} ` _{d1,max}} over {��A _{M,1} ��} =6.169mVrm RARROW `.

공학/기술| 2013.08.13| 18페이지| 1,500원| 조회(421)

프로젝트, 전자회로, 설계, 서강대학교, 전자공학과

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행복과자아의인식

행복과 자아의 인식(엄정식 한양대 석좌교수님)진정한 행복이란 무엇인가? 그리고 자아인식과 행복이란 무엇인가?에 대해 강의를 해주셨다. 강사님은 우리가 평소에 생각하는 행복이라는 말이 너무 헤프게 쓰인다고 말씀하셨다. 요즘 사람들은 생존에 대한 절박함이 없기 때문에 행복을 더욱 갈구하게 되고 이를 위해 단순히 추상적인 행복을 쫒고 행복과 즐거움을 구분하지 못한다고 했다. 사실 요즘 사람들이 말하는 행복이란 단어에는 물질적인 측면이 많이 부각되고 있는 것은 사실이다. 직장을 고를 때도 연봉이 많아서 비싼 음식을 먹을 수 있고 풍요로운 삶을 누릴 수 있을 때 우리는 행복하다는 표현을 많이 사용한다. 그러나 이것은 단순한 즐거움이지 행복이라는 단어와 일치 하지는 않는다. 행복의 어원을 보면 말 그대로 복을 의미한다. 복은 우리가 노력해서 얻을 수 있는 것이 아니라 정말 우연히 우리에게 다가오는 것이기 때문에 이것을 우리가 추구하는 목표로 삼으면 안 된다고 하셨다. 또한 합리적인 계획이 없으면 행복도 불행도 없다고 했다. 이 말 역시 내가 이루고 싶은 일이 이루어 지지 않았을 때 불행을 느끼기 때문이다. 따라서 행복의 대안으로 자아의 인식이라는 표현을 우리에게 제시해 주셨다. 자아의 인식이란 나 자신에 대해서 3가지 측면에서 이해하고 진정으로 내가 원하는 것을 찾는 것이다. 3가지 측면이란 욕구, 능력, 당위라는 3각 구도를 말한다. 이 세가지를 모두 만족하는 일이 가장 행복한 일이다. 그러나 보통 사람들은 욕구적 측면에서만 행복을 찾으려고 한다. 당장 나같은 경우에도 행복이란 내가 하고 싶은 일을 할 때 느끼는 것, 즉 내가 즐거워하는 일을 할 때 보람을 느끼는 일을 할 때 얻는 것이라고 생각했다. 직업적 측면에서는 비록 전자공학과를 진학하였지만 누구를 가르치는 일에 대해 많은 보람을 느꼈고 즐거움을 느꼈다. 군대에서도 후임들을 가르쳐서 검정고시에 합격하게 하였고 과외와 교육 봉사를 할 때에도 하루 종일 그것에만 내 시간을 투자할 정도로 열정을 가지고 가르쳤다. 그래서 한때는 내가 선생님을 하고 싶은 것은 아닐까라는 고민도 하였지만 이번 강의를 통해서 내가 그때 느낀 것은 욕구였다는 것을 깨달았다. 누굴 가르치면서 느끼는 보람은 나에게 즐거움이고 욕구이다. 그러나 객관적인 관점에서 생각해 보면 능력은 많이 부족하다. 단지 내가 즐거우면 능력이 부족하더라도 행복하게 할 수 있을 거라고 생각하였으나 그것은 즐거움이지 강사님의 말씀처럼 욕구 자체가 능력을 키우는 것은 아니다. 내가 전자공학과에 진학한 이유도 나 자신의 적성, 즉 능력은 이 분야에 맞기 때문이다. 저번 학기에 대학생활과 진로탐색이라는 과목을 수강하면서 가장 이상적인 직업은 자신이 좋아하면서도 능력도 있는 일이라고 하였다. 그러나 이러한 일을 찾는 것은 쉽지 않고 그렇지 않을 경우에 자신의 흥미보단 능력을 따라가라고 하셨다. 왜냐하면 자신이 정말 좋아하는 일이지만 그것을 잘하지 못해서 인정받지 못하는 것 만큼 슬픈일은 없다고 하셨기 때문이다. 만약 이 두가지가 겹치지 않는다면 능력있는 일을 하여 안정적인 삶을 살고 부가적인 시간에 자신이 좋아하는 일을 즐기는 것이 가장 최선의 방안으라고 하셨다. 제 3자의 관점에서 보면 남들을 가르치는 능력도 부족하고 많은 사람 앞에서 강연하는 것을 잘하지도 좋아하지도 않는다. 단지 내가 좋아하는 것을 누굴 가르치면서 얻는 보람이다. 그렇다면 전자공학을 전공하여 그 분야에서 능력있는 사람으로 인정 받으면서 내가 보람을 느끼는 교습의 생활을 취미로 하는 것이 싸이가 말한 행복처럼 “제 자리에 있는 것”이 아닐까? 라는 생각이 든다.

독후감/창작| 2013.08.13| 1페이지| 1,000원| 조회(104)

감상문, 서강대학교, 인간과인성, 행복과자아의인식

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