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나노임프린트 ( 포토리소그래피와 대비하여 장점 및 구조,원리)

Nano Imprint Lithography (NIL)대학교 공학과 학번 날짜)lithos (돌)graphy (그림)미세한 패턴을 만드는 기술, 반도체 공정 기술을 통칭하는 이름으로 쓰임○ 웨이퍼 위 감광제 도포후, 노광에 의해 마스크를 이용하여 원하는 패턴을 만드는 기술 ○ 현제 반도체 공정에서 주로 쓰이는 Lithography 기술(d)(e)(f)Substrate (a)Deposited film(b)potoresist(c)SiO Silicon wafer 빛+ =화학변화 Mask( 회로와 같은 패턴)○ 실리콘 기판위 필름과 photo resist 증착Light○ mask 로 기판을 가림 ○ 빛을 투과시킴○ 빛이 resist 와 반응 ○ mask 패턴으로 형성○ dry ething 으로 필 름 제거○ resist 제거 후 완성Dry ething실리콘 웨이퍼산화막산화막실리콘 웨이퍼감광제감광제플라즈마1) 플라즈마 생성 (전자와 이온으로 분리된 기체) 2) 플라즈마+산화막 휘발성 ↑, 표면에서 떨어짐 3) 감광제 이외의 막질 제거 ( 빛을 흡수, 화학적 or 물리적 변화가 일어나게 하는 물질 ex) 브롬화은, 염화은 등 )막질 제거Nano Imprint Lithography (NIL)나노구조물이 각인된 스탬프를 사용해 도장을 찍듯 기판 상에 나노구조물을 전사하는 공정 선조의 금속활자 및 목판인쇄의 기술을 나노 사이즈로 시도한 기술UVUV-NILLThermal NILUV-NILNIL(a)NanoStampUV resist (광경화성 수지) Hard mask material (고분자 물질) Substrate (실리콘)(b)UV LIGHT, press, heat열: 상온 , 압력: 저압 가능(c)Separate(e)(d)dry ethingLayer remove○ stamp 를 수지로 부터 분리 ○ 수지가 광 경화됨○ Dry ething 으로 막질제거, 잔류층 제거○ 나노패턴 형성NIL 효과UV-NILPHOTO LITHOGRAPHY4단계 공정, 경화시간 ↓7단계 공정, 경화시간 ↑Stamp 재사용 가능상대적으로 비쌈상온, 저압150 ℃ 내외, 고압 (30bar)임프린트 기계임프린트 기계, 광학 기계 등빛의 파장에 영향이 없음낮은 파장(200 nm 이하) 사용 불가공정 시간경제성경화 조건구조 장치제한 사항광학부품OLED의료 분야- 대량 생산 - 가격 인하반도체응용 분야- 광 반사율 ↓ - 종횡비 ↑ 에너지 효율 ↑광추출 ↑ 고휘도- DNA 분석 칩{nameOfApplication=Show}

공학/기술| 2017.07.06| 12페이지| 1,500원| 조회(546)

나노공학, 나노임프린트, 포토리소그래피

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CNT-FED 구조 및 원리

FED(field emission display) 란 ? 전계에의해방출된전자를가속 충돌시킴으로써빛을일으키는방식 전계 방출 디스플레이 라고함.작동방식이기존의 CRT(cathode ray tube,브라운관)와유사함, 평판으로되어있어차세대평면브라운관으로 불림 고체에강한전계를가하면고체표면에있떤 전자가터널링에의해에너지장벽을뚫고 진공으로방출하는것전계의세기 : 5x10^7 V/CmFED의 pIxel당전자방출소자수백에서 수만개구성 <중 략>FED 의 장단점 장 점잔상이없는 디스플레이다각 Pixel마다전자총이 있어서부분적으로 고장나도작동이 가능하다LCD와 비교하여모든 부분에서우수함

공학/기술| 2017.07.06| 11페이지| 1,000원| 조회(171)

디스플레이, 탄소나노튜브, 나노공학

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