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AMD 실험 결과보고서 Optical property of PEDOT_PSS, PDY

Ⅰ. 실험목적OLED에 사용되는 PEDOT:PSS와 PDY의 UV-Vis spectrometer와 PL을 측정하여 광학적 특성을 알아본다.Hall effect 기기로 PEDOT, Sample ITO, IZO의 광학적 특성을 확인할 수 있다.Ⅱ. 실험장비Hall effect 측정기기UV-Vis spectrophotometerPL Spectrometer인두기SampleTable SEQ Table * ARABIC 1 실험장비 그림∙ UV-Vis spectrophotometer : Sample에 빛을 쪼여준 후 생기는 투과도나 흡광도를 알아보는 장치∙ PL Spectrometer : Excitation wavelength의 빛을 비춰주는 것에 따른 발광스펙트럼 측정하는 기기∙ Hall effect 기기 : 전류와 자기장을 이용한 ITO, IZO, PEDOT의 특성을 확인해보는 기기∙ Samples : PEDOT:PSS rpm 1000, 2000, 3000 과 PDY rpm 1000, 2000, 3000 의 6가지 sampleⅢ. 실험방법 및 순서UV-Vis spectrophotometer를 이용한 물질 흡광도 측정Computer와 UV-Vis spectrophotometer를 켠다UV-Vis Spectrophotometer의 램프가 안정화되었는지 확인한다.프로그램 실행 후 UV-Vis Spectrophotometer 샘플 고정 틀에 Reference와 sample을 넣고 Blank한다.Bare glass로 UV-Vis Spectrophotometer의 reference를 잡는다.PEDOT:PSS, PDY 물질이 각 rpm 별로 spin coating된 sample을 3개씩 준비한다.각 sample의 흡광도를 차례로 측정한다.흡광도를 알아보면서 PL 측정을 위한 Excitation wavelength를 알아본다.PL Spectrometer를 이용한 물질 발광 스펙트럼 측정Computer와 PL Spectrometer의 전원을 켜고 PL Spectrometer 램프의 le SEQ Table * ARABIC 4 UV-Vis spectrum PDYTable 4에서 PDY를 spin coating하였을 때, RPM의 변화에 따른 Absorbance 차이를 그래프로 표현하였다. RPM을 1000~3000으로 변화시켜가며 관찰하였다. PDY 또한, RPM이 커질수록 각 그래프의 Absorbance가 줄어드는 경향이 있는 것을 확인할 수 있었다. 따라서 RPM으로 박막 두께를 줄이면 흡수 가능한 path가 줄어들기 때문에 Absorbance도 따라서 줄어든다는 것을 알 수 있었다. Bandgap을 보면, RPM에 따라 박막의 두께가 달라져도 거의 비슷한 것을 볼 수 있는데, 이는 Bandgap은 물질의 특성이기 때문에 다른 요인에 영향을 받지 않기 때문이다.UV-Vis PEDOT totalUV-Vis PDY totalTable SEQ Table * ARABIC 5 UV-Vis spectrophotometer PEDOT/PDYTable 5는 PEDOT과 PDY의 RPM에 따른 Absorbance 값을 한 그래프에 표현해보았다. 두 물질은 그래프에서 확인할 수 있듯이 RPM이 증가할수록 Absorbance값은 줄어들게 되고, 다시 말해, 박막의 두께가 얇아질수록 흡수할 수 있는 path가 작아지기 때문에 Absorbance하는 양이 줄어든 결과라고 볼 수 있다.UV-Vis spectrum에서 PL을 측정하기 위해 Excitation wavelength를 확인 해야 하는데, PEDOT은 240nm로 결정하였고 PDY는 450nm로 결정하였다. UV-Vis에서 구한 Excitation wavelength로 빛을 주었을 때 발광 스펙트럼을 관찰해볼 것이다.PL spectrometer를 이용한 물질 발광 스펙트럼 측정Photoluminescence일반적으로 Luminescence라 하면 형광이나 인광처럼 열을 동반하지 않고 전자가 여기된 후 재결함하면서 발광하는 현상을 말하는 것이다. 어떤 자극에 의해서 빛이 나오느냐에 따라 Luminesc되고, 이를 이용하여 전류를 흘려준 물질의 전자기적 특성과 광학적 특성을 알 수 있는 것을 말한다.(홀 전압), (홀 상수), (전도도) (Sheet Concentration), (Bulk Concentration), (Mobility)Hall effect 측정 ( IZO, PEDOT, ITO )이번 실험에서 사용한 Sample들이 투명한 Film이므로 증착 유무를 확인하기 위해 저항을 찍어 확인해본다.IZOIZO빨간색 상자는 신뢰성을 보는 부분인데, 상자 안의 위와 아래의 절대값이 비슷할수록 신뢰성이 뛰어나다는 것을 나타낸다(정확하게 측정되었다). 이번 실험에서는 절대값이 거의 비슷한 것을 볼 수 있으므로 신뢰성 높은 실험결과라 할 수 있다.밑의 Result부분은 Hall effect에서 측정할 수 있는 결과를 나타낸 부분이다. 그 중 파란색 상자는 각 부호가 서로 같아야하는 것을 나타낸 것이다. 실험결과 3-1)의 식으로 보면, 이므로 N-type일 때 Majority carrier가 전자이기 때문에 q에 –가 들어가고 그에 따라 각 수치는 –로 같다.결론IZO는 부호가 -이므로 N-type임을 알 수 있다.PEDOTPEDOT위와 마찬가지로 PEDOT에서도 빨간 부분의 절대값이 비슷한 것으로 보아 신뢰도 있는 실험을 한 것으로 확인된다.Result 부분을 보면 IZO와 다르게 +부호를 가지고 있으면서 5개의 항이 같은 것을 볼 수 있다. 실험결과 3-1)의 식으로 보았을 때, P-type에서 Majority carrier가 Hole이기 때문에 q에 +가 들어가므로 각 수치가 +로 되는 것을 볼 수 있다.결론PEDOT는 부호가 +이므로 P-type임을 알 수 있다.Sample ITOITO위와 마찬가지고 ITO에서 빨간 부분의 절대값이 비슷한 것으로 보아 신뢰도 있는 실험을 한 것으로 확인된다.Result 부분에서 ITO는 IZO와 같이 5개 항의 부호가 –를 가지며 같은 것을 볼 수 있다. 실험결과 3-1)의 식으로 비추어 보아, N-type에서 Majori11 Stokes shift 결과Table 11는 이번 실험에서 사용한 PEDO과 PDY의 1000 rpm일 때 Absorbance와 PL의 결과를 나타낸 그래프이다. Absorbance와 PL은 Stokes shift의 결과가 적용된 것을 볼 수 있다. Absorbance가 단파장 영역에서, PL은 장파장 영역에서 나오는 현상을 보이며 흡수되는 energy보다 방출되는 energy가 작기 때문에 발생한다. 양쪽이 서로 대칭이 아닌 이유는 Excitd state와 Ground state의 구조가 변하기 때문인데 이 또한 stokes shift가 일어나는 조건이다.각 물질의 rpm 별(두께) bandgap E를 구해보고 생각해보았는가?PEDOT:PSSSample 회전수UV-Vis spectrumPL 발광 스펙트럼1000 RPM5.12 eV3.27 eV2000 RPM5.10 eV3.22 eV3000 RPM5.12 eV3.19 eVTable SEQ Table * ARABIC 12 PEDOT:PSS Sample에 따른 UV-Vis, PL Bandgap 비교위의 실험결과에서 보았듯이 Spin coating은 Sample을 회전시키며 증착시키는 방법이다. 회전수 RPM이 증가할수록 증착되는 물질의 두께가 얇아지기 때문에 흡수할 수 있는 빛의 양도 작아진다. Bandgap은 를 이용해서 구할 수 있기 때문에 PEDOT:PSS의 UV-Vis과 PL 스펙트럼에서 파장을 구하여 Bandgap을 구해보았다. 하지만 Table 을 보면 Sample의 회전수에 따른 Bandgap 변화 효과는 미비하다. 이유는 Bandgap은 물질의 특성이므로 빛의 양과는 무관할 것으로 예상되기 때문이다.PDYSample 회전수UV-Vis spectrometerPL 발광 스펙트럼1000 RPM2.36 eV2.24 eV2000 RPM2.29 eV2.24 eV3000 RPM2.36 eV2.24 eVTable SEQ Table * ARABIC 13 PDY sample에 따른 UV-Vis, PL Band(poly-3,4-ethylenedioxythiophene:polystyrenesulfonate)는 전도성 고분자로, 높은 전기 전도도와 투명도를 가지고 있기 때문에 광전자 유기 소자로 사용되고 있다. 높은 일함수와 Hole 친화력을 가지고 있어 OLED 소자에서 HIL 재료나 정전기 방지막의 재료로 사용된다. 어떻게 PEDOT에 전류가 흐를까? 원리는 PEDOT 내에 있는 S 원자가 전자를 잃고 Positive charge를 가지지만 PSS의 가 수소 이온을 내놓고 Negative charge를 가지며, PEDOT에 전류를 흐르게 한다.Hall effect 측정 시 자기장 방향을 바꿔주는 이유는 무엇일까?Hall effect의 원리에 의해, 자기장의 방향을 바꿔주면 반대의 결과가 나오게 된다. 자기장의 방향을 바꿔주면 플레밍의 왼손법칙에 의해 Hall effect에서 Carrier가 받는 힘이 반대 방향으로 바뀌기 때문에 쏠리는 방향이 반대가 된다. 그 결과 서로 같은 값을 가지지만 반대의 부호를 가진 값이 나오게 되는데 이를 비교함으로써 실험의 정확성과 신뢰성을 높이기 위해 자기장의 방향을 바꿔준다.PL 측정 시 Excitation wavelength의 2λ되는 파장이 검출되는 이유는 무엇인가?Table 6을 보면 240nm에서 피크가 보이고 480nm에서 다른 피크가 보인다. 수치적으로 보면 2λ에서 다른 peak가 나온 것으로 볼 수 있는데, 이는 측정 장비의 원리인 Bragg 반사에 의해 생기는 현상이다. 이번 실험에서 사용한 PL 측정기는 monochromator로, 단색의 X선이나 중성자를 얻는 장치이다. 결정 내부에 서로 평행인 원자의 배열 면에서 회절 되어 나오는 X선이 극대로 존재할 수 있는 조건은2dsinθ=mλ ( d : 홀과 홀 사이의 거리, θ : 방출 빛과 회절 격자 사이의 각도 )첫 번째 면에서 산란된 X선과 두 번째 면에서 산란된 X선이 서로 간섭하여 입사 X선에 대하여 간섭을 일으키기 때문에 Peak가 나오게 된다. 다시 말해,-

공학/기술| 2023.03.26| 10페이지| 5,000원| 조회(186)

경희대, AMOLED, hall effect, OLED, ito, 정보디스플레이, IZO

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AMD 실험 결과보고서 Measurement for TFT

Ⅰ. 실험목적Probe station을 이용하여 TFT를 측정해보고 TFT의 Active layer를 구성하는 종류에 따른 특성을 분석해본다.UV-vis spectrophotometer를 이용하여 TFT 투과도를 알아보고 Optical bandgap을 계산할 수 있다.Ⅱ. 실험장비Probe Station반도체 parameter analyzerUV-Vis spectrophotometerTFTs광학현미경Table SEQ Table * ARABIC 1 측정 장비 및 실험기구∙ TFTs : a-Si TFTs, LTPS TFTs, a-IGZO TFTs를 준비한다. 3개의 TFT는 Active layer의 물질상태를 기준으로 한다.이번 실험에서는 각 TFT에 따른 특성을 관측한다.∙ Probe station : TFTs를 Probe로 Source, Drain, Gate에 놓고 측정해보며 특성을 나타내는 기기∙ Semiconductor parameter analyzer : Probe station으로 찍은 특성을 그래프로 보여주는 기기∙ UV-Vis spectrophotometer : Thin Film으로 만든 TFT를 빛을 이용해 Film의 투과도를 측정하는 기기∙ Sigma plot : 추출한 law data를 그래프로 표현하는 toolⅢ. 실험방법 및 순서TFTs의 특성 측정Probe station과 Semiconductor parameter analyzer를 준비한다.TFTs를 Probe station위에 올려놓은 후 진공을 잡아 TFT를 Probe중앙에서 움직이지 않도록 한다.Positioner의 X, Y축을 조절해 위치를 조절하고, Z축(높이)를 조절해 원하는 Pad에 3개의 Probe를 각각 Contact시킨다. Probe를 Contact시킬 때는 Probe가 Pad에 닿은 후 Probe끝이 밀리는 것이 보일 정도로 더 내려 Probe와 Pad를 밀착시킨다.Probe Box의 조명을 끄고 문을 닫아 빛을 차단시킨 후, 측정한다.ICS 프로그램을 이용해, Ga에서 Saturation되어 Vth가 변하지 않는 값을 구할 수 있는데, =일 때의 결과 그래프이다. 의 식을 사용하여 구하게 되며, Saturation Vth를 구하기 위하여 그래프 부분 중 Linear하게 증가하는 부분에서 접선을 그어 Vth를 구하게 된다.MobilityMobility는 반도체 내에서 전하 입자의 움직임이 얼마나 자유로운지를 나타낸 것으로 Hole의 mobility는 μp로, 전하의 mobility는 μn으로 나타낸다. 단위로는 ㎠/Vs을 사용한다. 이번 실험에서 Mobility는 인가된 전압에 의해 생긴 전기장으로 물질 내 전자나 홀이 여러 저항에도 얼마나 잘 이동하는지를 나타내며 전류 가 흐르는 양과 관련이 있다.Mobility(Cm2/V•S)Linear영역 μVDVG-Vth를 만족할 때(Saturation), 전하가 전계에 의해 움직이는 정도Saturation영역에서는 Q에 대한 변화량이 0이기 때문에 Q=0으로 본다.Saturation영역의 Drain current는 (VD>VG-Vth)Saturation되는 부분을 좀 더 잘보기 위해 양변에 loot를 취하여 정리하면,가 나오고, 를 얻을 수 있다.(W : channel width, : trans conductance, C:gate insulator cap, L:channel length)Table SEQ Table * ARABIC 3 Mobility 증명과정Threshold VoltageTFT에 전류가 흐르기 시작할 때 TFT가 동작하기 위한 최소한의 전압을 나타내며 Linear threshold voltage와 Saturation threshold voltage로 나뉜다. Linear Vth는 일 때, 로 구하며, 일반적인 NMOS에서의 0.1 μA이고, PMOS에서는 -0.025 μA이다.Saturation VthSaturation(VD>VG-Vth)영역에서 Saturation되어 변하지 않는 Vth값을 나타낸다. Diode curve(Saturation curve)에서 가ion mobility는 0.449, 0.464, 0.466로 증가하는 경향을 보이며 예상과 달랐다. 이유로는 값을 구할 때 근사치를 구함으로서 차이가 생기거나 mobility의 식에서 보면 다른 변수들의 영향도 받기 때문에 하나의 변수만으로 감소함을 단정짓기 힘들 수 있다.Poly-Si(LTPS)Poly-Si W 20μm L 10μmTransfer curveOutput curveDiode curveLinear mobilityLinear VthSaturation mobilitySaturation VthSwing49.6249-2.90022.68580.4798-0.1675Poly-Si W 20μm L 20μmTransfer curveOutput curveDiode curveLinear mobilityLinear VthSaturation mobilitySaturation VthSwing94.5631-2.80042.76030.4780-0.1461Poly-Si W 20μm L 40μmTransfer curveOutput curveDiode curveLinear mobilityLinear VthSaturation mobilitySaturation VthSwing101.0015-2.70042.76030.4780-0.1461W와 L을 고정시켰을 때, 각 표에서 볼 수 있는 Poly-Si transfer curve의 특징은 가 0.1, 1, 5, 10V로 증가하게 되면서 가 증가하고 있다는 것과 가 양수로 감에 따라 0으로 수렴해야 할 값이 증가하고 있다는 것이다. 이는 Leakage current로 불필요한 전류가 흐르는 것이다. (Leakage current 생기는 이유는 고찰). a-Si Output curve 또한 고정 가 증가할수록 가 증가함을 볼 수 있다. a-Si과는 다르게 Saturation이 되지 않고 증가하는 것을 확인할 수 있는데, Saturation이 되지 않는 이유도 고찰에서 설명하도록 하겠다.전체적인 Poly-Si의 그래프를 보면 a-Si과 다르게 나Output Curve에서 는 1.05e^-5, 2.71e^-5, 7.49e^-5μA로 증가했다. 따라서 Channel width가 증가함에 따라 Drain Current가 증가함을 알 수 있다.Mobility는 (Linear)와 (Saturation)에서 는 W에 반비례하고 L에 비례한다. W가 20, 50 100μm로 증가함에 따라 Linear mobility는 42.46, 17.11, 26.75, Saturation mobility는 23.13, 22.59, 30.78로 나타난다. Linear mobility와 Saturation mobility가 예상 결과와 다른 경향성이 나왔는데, 이는 Mobility 식에서 W 이외에 다른 항이 변수로 작용했을 수 있기 때문에 차이가 날 수 있다. 하지만 이상적인 실험에서는 Channel Width가 증가함에 따라 Mobility가 증가해야한다.Optical Bandgap 계산하기두 번째 실험으로 UV-Vis spectrometer를 이용하여 Bandgap을 계산해보았다. 물질의 Absorption Coefficient를 구한 후, Tauc plot을 사용해 구할 수 있다. Tauc plot 공식을 보면 이다.Absorption Coefficient(α)흡광계수로 불리는 것으로 얼마나 많은 에너지가 흡수되는가를 가리키는 지표여기서,=1 (공기의 굴절율), (Active layer의 굴절율), =1.5 (glass의 굴절율), T (투과도)Table SEQ Table * ARABIC 4 Absorption Coefficient 계산Absorption Coefficient (α)값을 구한 후, E(eV)를 x축, 를 y축을 가지는 Tauc plot을 얻는다.a-SiPoly-Si(LTPS)Oxide(IGZO)D=50nm, =3.5D=500nm, =3.5D=40nm, =2.9=0.3086, =0.1600=0.3086 ,=0.1600=0.2373, =0.1012Bandgap = 1.8684eVBandgap = 1.8684e를 나타내는 것에서 Drain current와 Mobility를 계산할 수 있다.Transfer Curve실험결과 1에서 분석한 결과와 마찬가지로 를 0.1, 1, 5, 10으로 고정시킨 상태에서 를 -15V~15V로 0.1단위로 측정했을 때 Log scale의 를 관측한 결과이다.Table 결과와 비교해보면 Transfer Curve의 경우 Poly-Si과 비슷한 모양을 나타낸다. 따라서 Vega ION2의 TFT는 Poly-Si으로 구성되어있다고 생각할 수 있다.그래프 모양을 보면 다르게 모든 Curve들에서 좌우 대칭의 모양을 가지고 있는 것을 볼 수 있다. 이런 차이를 보이는 이유는 a-Si, oxide와는 다르게 Vega ION2에서는 p-type 반도체를 사용했기 때문이다. P-type 반도체는 PMOS이기 때문에 0일 때 channel이 형성되고 PMOS의 경우 Vg0, Drain voltage Oxide > a-Si 인 것을 알 수 있다.Poly-Si에서 생기는 누설전류 이유와 해결 방안을 설명하라.실험결과 (2)-2) Poly-Si 부분에서 W와 L에 따른 Transfer curve를 보면 이상적인 실험에서, 가 양수일 때, 0으로 수렴해야 하지만 가 증가하고 있는 경향을 확인할 수 있다. 이는 Poly-Si을 Active layer로 사용하는 TFT에 흐르는 Leakage current로 설명할 수 있다. Leakage current란 누설전류로 TFT를 On시키지 않은 Off 상태임에도 의도치 않은 전류가 흐르는 것을 뜻한다. Off current라고 부르기도 한다. 실험결과 (2)-2) Poly-Si 부분 Transfer curve에서 알 수 있듯이 크게 나오는데 이는 Poly-Si의 구조적 한계 때문이다. Poly-Si은 a-Si과 다르게 Si이 결정화되어 있는 Si인데, Single crystal이 아닌 Poly crystal이기 때문에 각 crystal 사이에 Grain Boundary 부분이 생기게 된다. Poly-Si의 Grain5

공학/기술| 2022.03.02| 13페이지| 5,000원| 조회(469)

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AMD 실험 결과보고서 AMOLED panel의 물리적, 광학적 특성

Ⅰ. 실험목적2가지 AMOLED Panel 분해(Tear down)하는 과정을 통해 AMOLED Panel의 구성요소와 구조를 알 수 있다.분리한 Panel의 TFT와 OLED를 광학현미경으로 관찰해보고 알파스텝으로 두께를 분석할 수 있다.OLED TFT인 6 Transistor, 1 Capacitor, 7 Transistor 1Capacitor 원리를 이해할 수 있다.Ⅱ. 실험장비AMOLED PanelAMOLED PanelHaptic AMOLED(손담비폰)베가 아이언 2Table SEQ Table * ARABIC 1 AMOLED Panel측정 장비 및 실험기구광학현미경α-step드라이버, 커터칼Table SEQ Table * ARABIC 2 측정 장비 및 실험기구∙ 광학현미경 : 육안으로 보기 힘든 물체를 확대하여 확인할 수 있도록 하는 장비.이번 실험에서는 각 Panel의 TFT와 OLED를 확인한다.∙ α-step : 얇은 판의 두께를 재기 위해 사용하는 장비.이번 실험에서는 OLED RGB를 확인해보는 용도로 사용한다.∙ UV 측정기기 : UV를 비추어 RGB의 배열을 알아보고 위해 사용되는 장비.Backplane에서 OLED RGB의 배열을 확인해보기 위해 사용한다.∙ 드라이버, 커터칼 : 드라이버와 커터칼로 각 Panel을 여러 시트로 분리.∙ 그 외에도 Poly-glove, 무진지Ⅲ. 실험방법 및 순서Haptic AMOLED(손담비폰) 분해보호필름과 편광판, Tape 순으로 제거Encapsulation glass 제거OLED(TFT Backplane) 제거베가 아이언 2 분해보호필름과 편광판 제거보안필름 제거OLED(TFT Backplane) 제거AMOLED panel 분해AMOLED panel 특성 측정광학현미경을 사용한 측정∙ 1번 과정으로 분해된 OLED panel의 TFT와 OLED를 광학현미경의 배율(x10, x20, x50)을 바꿔가며 관찰한다. 현미경으로 관찰하면서 TFT나 OLED RGB의 길이, 넓이를 알아보고 이미지를 분석한다 보아 TFT는 Coplanar 구조를 가진다. 요즘 OLED에 많이 사용하는 LTPS임도 알 수 있다. (LTPS는 coplanar 구조 사용)유기소자들의 모서리 부분에 동그란 점은 Contact Hole(via hole)이라고 부르는 것으로 Gate insulator 때문에 Gate에 전류를 직접 주기 힘들기 때문에 Hole을 만들어 인가하기 편하도록 하는 것이다.베가 아이언2전체 회로 모식도TFT (Front) –OLED 소자TFT(Back)유기소자 x20유기소자 x50TFT 패널 x20TFT 패널 x50Table SEQ Table * ARABIC 8 베가 아이언2 광학 현미경 관찰Table 8의 첫 번째 그림은 전체 회로 모식도이고 TFT Backplane 앞면과 뒷면을 나타낸 그림이 있다. 베가 아이언2에서는 OLED 배열을 Diamond pentile 구조를 가진다. 앞의 RGBG Pentile과 Diamond Pentile의 차이는 고찰에서 알아보기로 한다. 이 또한 다른 pentile 구조와 같이 절전효율이 좋은 장점을 가지고 있다. TFT 패널 그림에서 증착 순서를 알 수 있는데 가장 위에 깔려 있는 것이 Active layer로, coplanar 구조이면서 LTPS를 사용하고 있다는 것을 유추해볼 수 있다. 결정화(LTPS) 후 metal을 증착시켜준다.EncapsulationHaptic AMOLED(손담비폰)베가 아이언 2Encap glass 가장자리Touch panelEncap glass 가장자리Touch panelEncapsulation을 주로 쓰는 방식은 봉지기판에 흡습제를 부착하고 접착제를 이용하여 TFT 기판에 접착시키는 흡습제 방식이 사용된다. 이번 실험에서 이용한 2개 Panel의 경우 흡습제가 없고 Encap glass 가장자리에 Frit로 추정되는 모양의 자국이 발견된 것으로 보아 레이저로 용융시킨 유리원료(Frit)를 이용해 접착시키는 Frit 봉지방식을 사용한 것으로 추측할 수 있다. 이를 통해 완전봉지를 사용하는 것으athode와 Anode사이의 거리와 광원의 위치에 따라 나오는 빛이 달라지기 때문에 나오는 빛의 파장이 짧을수록 보강간섭이 일어나는 두께가 줄어든다. 그렇기 때문에 Red의 유기물 두께가 가장 두껍고 Blue의 유기물 두께가 가장 작다. 즉 EML층의 두께가 파장에 따라 달라진다.Ⅴ. 토의 및 분석편광판의 역할과 개수에 대해 분석해보아라.AMOLEDLCDPolarizer 1개원편광판(선편광판+위상지연필름)Polarizer 2개선편광판( 90º 선편광판 + 180º 선편광판)Table SEQ Table * ARABIC 10 AMOLED vs LCD 편광판 비교Table 10는 AMOLED와 LCD의 편광판에 따른 빛의 방향을 나타낸 그림이 있다.AMOLED에서는 선편광판 1개와 retarder(위상지연필름)을 붙여 원편광판을 만들어 사용하고 있다. 무편광 빛이 선편광판을 통과해 선편광이 되고 그 후 retarder(45º)를 통과해 원편광빛으로 바뀐다. 그 후 anode에서 반사되면서 반대 방향의 원편광이 되고 다시 retarder를 통과해 위상이 바뀌면서 선편광판과 90º차이가 나는 빛이 되고 밖으로 나가지 못하게 된다. OLED에서 원편광판을 사용하는 이유는 야외시인성을 확보하기 위해서이다. Anode과 유리에 의해 반사되는 빛의 밝기가 디스플레이에서 보여주는 영상보다 밝으면 영상을 구분하기 힘들어진다(C/R 감소, 시인성 감소). 따라서 정확한 영상을 위해 외부 빛의 반사를 막기 위해 원편광판이 사용된다. 블랙화면을 정확하게 표현하기 위한 이유도 있다.LCD는 편광판 2개를 축이 반대가 되도록 아래위로 위치시킨다. LCD 편광판 그림을 보면 무편광 빛이 첫 번째 편광판을 통과하여 선편광(90º)된 빛이 다음 편광판을 통과하지 못하고 있는 그림이다. LCD에서는 선편광판을 쓰고 특정 위상 축의 빛만 통과시키는 특징을 가지고 있다. 두 편광판 사이에 전압을 걸어 LC의 상태를 변화시켜 빛의 위상을 바꾸며 빛 투과량을 바꾸는 것이 LCD의 핵심이기 때문에 편ble SEQ Table * ARABIC 12 Haptic AMOLED TFT 회로도Haptic은 6T1C의 구조를 가진다. 1개의 Driving TFT+5개의 Switching TFT로 구성되어 있다. 회로도와 실제 회로를 match시킬 때, Scan라인에서 만나는 TFT의 개수를 기준으로 시작한다. Scan(n-1)은 1개의 TFT와 만나고 Scan(n)은 2개의 TFT와 만나기 때문에 가로줄이 결정된다.(왼쪽, 오른쪽 끝 주시) 세로줄은 Data line과 ELVDD인데, 이는 Table 7의 위아래 회로를 보면 색 별로 만나는 선은 Data, 전체적인 선은 ELVDD를 나타낸다. 가로, 세로줄을 결정한 후 각 선의 교점의 TFT를 찾아가면서 회로를 해석한다. Table 12의 큰 상자는 Capacitor를 나타낸다. 각 TFT의 Source, Drain의 결정은 VData와 ELVDD, Vinit를 기준으로 Source, Drain을 결정한 후 전류의 이동 방향을 생각하며 결정한다.2T1C 방식을 사용하면 구동 전류값을 로 나타낼 수 있는데 가 일정한 값을 가져도 가 TFT마다 다른 값을 가지므로 일정한 전류가 흐르지 않는다.(LTPS 결정화가 균일하게 되어있지 않음) 따라서 6T1C로 보상회로를 만들어 주어 구동 전류값이 Vth에 영향을 받지 않도록 한다.베가 아이언 27T1C 회로도실제 회로 그림T1(TRd)T2(TRs)T3(TRth)T4(TR)T5(TRsus)T6(TRem)T7 : Bypass 역할하는 TFT, OLED 성능을 향상시키기 위해 사용Table SEQ Table * ARABIC 13 베가 아이언 2 TFT 회로도베가 아이언 2는 7T1C의 구조를 가진다. 전체적인 회로도와 실제 회로를 match시키는 것은 위와 동일하고 T7만이 위와 다르다. T7은 회로도에서 보면 Vint와 T6의 Drain부분과 연결되어 있다. T7은 BYPASS Line이라고 부르며 OLED의 성능을 향상시키기 위해 사용되는 TFT이다. OLED가 Black을전류를 공급한다. 따라서 Cst의 역할은 전류가 일정하게 흐르도록 하는 역할을 한다. 구동전류 Ids는 에서 가 나오고 결과적으로 를 가진다. (Vth의 변화에 관계없는 전류를 OLED소자에 흐른다)LCD와 OLED의 차이점에 대해 생각해보아라AMOLEDTFT-LCD전류 구동 방식을 사용한 자체발광자발광 소자이므로 광원 필요 없음Color filter가 없다.유기물의 degradation으로 봉지기술 필요Polarizer가 한 장이지만 Retarder가 필요액정을 사용하지 않으므로 시야각 특성 우수액정을 사용하지 않으므로 Response time 짧음전압 구동 방식(액정에 전압을 주어 BLU를 응용 발광)비발광 소자이므로 Backlight(BLU) 필요Color filter 필요봉지기술이 불필요Polarizer 2장 필요액정을 사용하므로 시야각 좁다액정을 사용하므로 Response time 길다Table SEQ Table * ARABIC 16 AMOLED와 TFT-LCD 비교AMOLEDOLED 소자가 전류 구동 방식이기 때문에 전하의 이동도가 OLED의 품질을 결정한다. 각 유기물 층에서 RGB를 나타내므로, color filter를 사용하는 LCD보다 색순도가 높고 Color gamut이 넓다. Black 구동 시 완전한 Black을 얻을 수 있어 Contrast ratio가 높다. 또, 하나의 소자만 선택적으로 발광시키므로 Power consumption이 낮다. Panel을 얇게 만드는 것 또한 가능하다.TFT-LCDLCD는 전압 구동 방식이기 때문에 낮은 전압에 액정을 변화시키는 것이 품질을 결정한다. 또, BLU를 계속 on시켜야 하는 LCD의 특성상 Power consumption이 높다. Panel을 얇게 만드는 것에 한계가 있다.Date line과 Scan line의 개수와 Panel의 PPI를 구하여라Data line의 개수 관찰Haptic AMOLED (2pixel-4Sub pixel)베가 아이언 2TFT부분의 좌측 상단을 관찰한 사진이다.9112

공학/기술| 2022.03.01| 11페이지| 5,000원| 조회(550)

Encapsulation, 디스플레이, 경희대, TFT, AMOLED, OLED, 정보디스플레이

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'환경 정의'의 관점에서 바라본 원자력 - 원전 부지, 핵폐기물의 관점에서

‘환경 정의’의 관점에서 바라본 원자력원전 부지, 핵폐기물의 관점에서Ⅰ. 서론1Ⅱ. 원전 부지 선정 문제1원전 부지 선정 실태1원전 부지를 둘러싼 갈등2Ⅲ. 핵폐기물 처리 문제 2핵폐기물 처리 현황3핵폐기물 처리 관련 갈등의 양상들3핵폐기물 처리장 건설 관련4핵폐기물이 생산하는 국내/국제적 구조적 폭력4핵폐기물 무단 투기4Ⅳ. 결론 및 한계1Ⅰ. 서론한국은 1958년 공표한 원자력 법을 기반으로, 에너지의 안정적 수급을 위해 원자력발전을 도입했다. 1978년 4월 고리원전 1호기가 첫 상업운전을 시작한 이후 원자력 발전소를 지속적으로 건설해왔다. 2014년, 한국에서는 4개의 원자력 발전소 단지에서 23기의 원자로가 돌아가고 있고, 5기(신월성 2호기, 신한울 1,2호기, 신고리 3,4호기)가 건설 중이고 2기(신고리 5,6호기, 부지선정 완료)가 건설 준비 중이며, 2기(신한울 3,4호기)는 건설 준비를 심의할 예정이다. 한국에서 사용하는 전력 소비 중 원자력 발전소의 비중은 2010년에 35%에 달했다. 한국 정부에서는 2011년 후쿠시마 원전 사고 후에도 원자력 확대 정책을 유지하기로 했고, 이에 따라 2030년에는 전체 전력소비 중 원자력의 비중은 59%로 증가할 것으로 전망된다.2011년 3월 11일 일본 동북부 지방을 관통한 대규모 지진과 쓰나미로 후쿠시마 원전사고가 생기고 이로 인해 국민들의 불안이 높아진 가운데 한국 정부에서 원자력 확대 정책을 유지하기로 하자 한국의 원자력 발전에 대한 찬성 측과 반대 측의 충돌이 거세지고 있다. 원전은 많은 전기를 한꺼번에 생산할 수 있지만 핵분열과정에서 필연적으로 방사성 물질을 생성한다. 찬성 측에서는 원자력의 엄청난 전력생산량에 열광하고, 반대 측에서는 방사성물질의 위험성과 핵폐기물 처리 문제에 집중한다. 이로 보듯 원자력발전의 찬반논란의 중심에는 환경문제와 경제성이 있다.환경 정의란 환경적 위험, 재난, 투자, 혜택이 차별 없이 모든 사람에게 고르게 나누어지고, 환경적 자연 자원에 대한 접근성이 평등한 상함하고 있다. 발전소의 건설, 사고, 안전 관리, 사용 후 핵연료와 같은 사후처리문제 등 여러 갈등 거리를 가지고 있다. 그 중 가장 먼저 등장하는 것이 바로 부지관련 갈등이다. 원자력 발전소를 설립할 때에는 원자력을 통해 저비용 고효율 에너지의 생산과 분배, 소비에 따른 비용과 편익을 사회에 고르게 배분해준다면 사회가 안정될 수 있고 형평성 및 민주성을 높여줄 것이라고 예산한다. 또 원자력 발전소가 특정 지역에만 설립되는 것에 대해서 공급의 안전성 측면에서 소규모의 지역분산시스템은 어느 한 지역에서 문제가 발생할 경우 파급효과가 그 지역에 한정되기 때문에 시스템 전체에 파급효과가 미치는 거대 중앙 집중시스템보다 사회 전체적으로 안정적이라고 말한다. 경제적 차원에서도 지역분산 시스템이 생산지에서 소비지까지 거리를 줄여 전력손실과 송배전비용을 감소시킬 수 있다고 본다.하지만 이런 점은 부지 선정의 문제가 사람의 안전성이나 형평성보다 효율성에 초점을 맞춘 발상이며, 당면한 문제에 대한 추상적인 답변일 뿐이다. 이러한 논의는 환경정의를 저해하고 환경 불평등을 불러일으킨다. 환경 정의의 입장에서 모든 사람은 인종, 소득, 문화, 사회계급과 관계없이 환경적 위험, 건강위험으로부터 보호받아야 한다. 하지만 원자력 발전소를 유치하는 지역은 다른 지역에 비해 위험에 더 많이 노출되어 있고 상대적으로 다른 지역의 사람들에 비해 위험부담을 안고 사는 것이다.원전 부지를 둘러싼 갈등 양상: 정부와 지역 주민원자력 발전소 부지문제에 대한 갈등관계는 발전소를 건설하려는 정부와 발전소 건설 지역의 발전소 설립을 반대하는 주민들 사이에서 나타난다. 정부는 원자력을 통해 많은 에너지를 수급하고 있으며, 고효율 저비용 에너지의 혜택을 계속 누리기 위해서는 원전이 필요하고, 그러므로 지역 주민들이 반대하는 태도는 옳지 않다고 주장한다. 시간이 지날수록 우리나라의 에너지 사용량이 증가하고 있으며 이를 해결하기 위해서는 원자력 발전소의 설립이 불가피하기 때문이다.반면, 지역 주민들의 주장은 원자에 대해서도 생긴다. 일반적으로 핵 폐기물이라고 하면 우라늄을 태우고 남은 ‘사용 후 핵연료’에서 작업자들이 입었던 방호복에 이르기까지의 모든 것을 의미한다. 핵 폐기물은 방사능 포함 정도에 따라 고준위, 중준위, 저준위로 분류한다. 중, 저준위 폐기물은 발전소 내부에서 사용된 작업복, 걸레 등의 간접적 폐기물이 해당된다. 보통 원전 부지 내에 임시 보관 중이며, 현재 우리나라의 방사성 폐기물 관련 정책들은 대체로 이 중, 저준위 폐기물에 대한 것이다. 중, 저준위 폐기물에 대해서는 기체, 액체, 고체로 나누어 폐기물에 대한 처리가 비교적 원활이 이루어지고 있다고 할 수 있다. 그러나 고준위 폐기물의 처분에 대해서는 이제 막 공론화를 시작하려는 단계다. 고준위 폐기물은 ‘사용 후 핵연료’를 의미한다. 문제는 현재 우리나라에서는 고준위 폐기물에 대해 원전별 임시 보관을 하는데 4개의 원전이 포화되는 시기는 각각 2016년, 2017년, 2018년, 2021년으로 처리 방안에 대한 대책이 시급하다는 것이다. 그러나 고준위 폐기물을 안전하게 관리하기에 아직 현재의 과학 기술은 한계가 있다.이러한 과학 기술의 한계는 필연적으로 구조적 폭력을 수반하게 된다. 이것이 국내적 차원의 국가가 국민에 대해 핵 관력 위험을 가하는 상황이 될 수 있으며, 국제적 차원의 보다 국제적으로 힘이 강한 나라가 힘이 덜한 나라에 위험을 가하는 상황이 될 수도 있다. 또한 거시적인 관점에서 유해 폐기물을 포함한 환경오염에 대한 노출 정도는 인종, 계급, 소득 등 사회적이고 계급적인 측면에 따라 달라진다. 환경 부정의가 나타나는 것은 이러한 구조적 폭력의 과정에서다.핵폐기물 처리 관련 갈등의 양상들핵폐기물 처리장 건설 관련우리나라의 에너지가 상당 부분 원자력 발전에 의해 이루어지고 있는 한 핵 폐기물이 생겨날 수 밖에 없으며 어딘가에는 핵 폐기물 처리장이 세워져야 한다. 또한, 핵 발전 결과 나오는 부산물은 처리할 정식 핵 폐기물 처리장이 빠른 시일 내에 필요하다. 앞서 언급한 고준위 폐기물 하지만 쉽지 않은 문제다. 원자력에 대한 연구는 아직까지도 진행되고 있는 학문이고 확실한 안전성을 보장하지 못하기 때문에 가시적인 경제적 문제만 보상하는 것은 임시방편일 뿐이다.국가 간의 구조적 폭력에는 국가 힘이 센 선진국이 제3세계가 핵폐기물을 떠맡게 되는 문제가 있다. 14년 7월 한 일간지의 외신기사에 의하면 아프리카가 서방 선진국들의 핵 폐기물 매립지로 변하고 있다고 한다. 미국이 소말리아 영토에 막대한 양의 핵폐기물을 매립했다는 것이다. 또한 미국의 한 회사는 가나정부와 250만톤의 핵폐기물을 1억4천만 달러의 대가를 주고 매립 계약을 체결했고 콩고와 세네갈은 배럴당 1달러씩 매립계약이 이루어졌다고 한다. 이는 제3세계라고 불리는 개발도상국에 선진국이 떠맡아야 될 문제를 우월한 지위를 이용해 책임을 전가하는 것이라고 할 수 있다.핵폐기물 무단 투기1975년 핵 폐기물 해양 투기를 금하는 ‘런던 덤핑 협약’이 채택되었음에도 불구하고 투기 행위는 중단되지 않고 있다. 1993년에는 미국, 영국, 프랑스, 러시아 등 핵 폐기물을 다량으로 배출하는 국가들은 현실적으로 다른 대안이 없기 때문에 해양 투기의 전면 금지에 소극적인 입장을 취하는 반면, 핵폐기물을 배출하지 않는 많은 국가들은 전극적으로 전면 금지를 주장하며 핵폐기물을 다량 발생시키는 나라와 그렇지 않은 나라들 사이에 대립이 있었다. 미국은 샌프란시스코에서 50km 정도 떨어진 바다에 1946년부터 1970년까지 핵폐기물 4만 7000드럼을 투기했다. 또한 한때, 엄청난 기술력으로 주목 받던 핵잠수함인 시울프호를 처리하기 위해 바다에 수장시켰다. 구소련도 1959년부터 핵 폐기물의 상단 부분을 스칸디나비아 반도 동쪽 노바야젬랴 섬 일대의 k라 해와 북태평양의 오호츠크 해 같은 깊은 바다 속에 투기했다. 우리나라 동해의 북쪽에도 방사능이 약한 핵폐기물을 버린 사실이 알려졌다. 위의 해양 투기 실태를 보면 투기를 행하는 측은 우리가 소위 일컫는 선진국들이다. 이들은 자국과는 멀리 떨어진 곳에, 그리고집과 분석의 과정에서 기존 연구와 논쟁의 자료들을 종합하여 재조직하는 방법을 사용함으로써 논의의 독창성이 다소 떨어지는 경향이 있다. 또, 서술 내용의 측면에서는 ‘원전 마피아’에 관한 논의가 부족했다는 점을 들 수 있다. 현재 우리나라의 원자력 정보를 독점하고 통제하고 있는 ‘원전 마피아’라고 불리는 집단은 서술해야 하는 필수불가결한 개념이지만 원자력 자체의 문제점과 이로 인한 피해에 집중함으로써 환경 부정의를 야기하는 주체를 서술하지 못했음이 한계점이라 할 수 있다.환경 정의는 모든 생명의 터전으로서 지구 생태계가 갖는 고유한 가치를 인식하고, 지구 생명부양 체계가 건강하게 유지되어 생물 종의 다양성이 유지되도록 하며, 인간의 문화가 자연 친화적으로 지속될 수 있어야 한다는 개념이다. 지구는 인간을 비롯한 모든 생명체의 삶의 터전이고 지구 환경을 이용함으로써 얻어지는 혜택과 책임은 지구 공동체의 모든 구성원에서 공평하게 분배되어야 한다. 하지만 그렇지 않은 것이 현실이고 이로 인해 환경문제는 계속해서 재생산되고 있다. 그 중 하나가 원자력입니다. 적은 돈으로 많은 에너지를 얻을 수 있는 달콤한 생각으로 환경이 병들어 가고 자신에게 피해를 줄 수 있다는 것을 망각할 수 있다. 과학적으로 발전된, 그리고 편안한 삶을 위한 경제적이고 과학적 영역의 목소리가 제어하지 못할 정도로 커짐을 경계하고 과학으로 시작하는 논의에 정의’라는 윤리적 영역의 목소리가 더 커져야 함을 주장한다.참고문헌 Hyperlink "http://blog.naver.com/keepblog/110166822738" http://blog.naver.com/keepblog/110166822738김민훈,「핀란드의 고준위방사성폐기물 관리법제」,『법학연구』54(2), 부산대학교 법학연구소, 2013.김신종․ 김점수․ 조병옥,「한국 원자력발전의 온실가스 저감 기여도 및 경제적 효과 분석」,『에너지공학』19(4), 한국에너지공학회, 2010.윤경철,『대단한 바다 여행』, 푸른길, 2009.윤순진,「에너지와

생활/환경| 2021.04.18| 7페이지| 2,000원| 조회(190)

원자력, 핵폐기물, 경희대, 환경과과학기술, 환경 정의, 원전 부지

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우리가사는세계 2단원 계몽이란 무엇인가

계몽이란 무엇인가?칸트의 주장을 바탕으로계몽이란 무엇인가? 지극히 철학적인 질문 앞에 칸트는 글의 서문에서 “우리가 마땅히 스스로 책임져야 할 미성년 상태로부터 벗어나는 것”이라 서술하고 있다. 이 문장은 우리 자신이 자신만의 이성으로 스스로를 책임져야 한다는 사실을 말하고 있다. 미성년 상태, 도대체 칸트가 말한 미성년 상태라는 말의 정의는 무엇일까? 칸트는 인간의 이성이 종교와 사회 시스템 아래 억눌려 제대로 발휘되지 못하던 시대에 주체적으로 행동하지 못하고 비판할 수 없는 생각을 가진 사람들을 미성년이라고 정의했다. 단순히 어려서, 키가 작아서 미성년이 아니라 ‘다른 사람의 지도 없이는 자신의 이성을 사용할 수 없는 상태’를 말하는 것이다. 칸트는 계속적으로 미성년의 상태에서 벗어나 자기 스스로의 이성을 발휘해야 한다고 말하며 “sapede aude, 과감히 알려고 하라!“ 라는 말을 했다. 이 말은 이성의 시대가 오면서 인간 스스로가 그 자신의 이성을 충분히 발휘할 수 있는 바탕과 기반이 마련되어 있음에도 스스로 자신에게 벽을 치고 현실을 거부하는 현상이 자주 일어나는 용기가 부족한 사람들에게 전달하고자 하는 것이었다. 다시 말해, 그는 결국 계몽 시대에도 불구하고 자신이 만들어놓은 전근대적인 틀을 깨지 못하는 사람들에게 용기를 내어 이성적 인간이 되기를 원한다는 뜻을 모든 사람들에게 표현한 것이다.미성년의 상태, 즉 미성숙한 인간은 자신을 대신하여 골치 아픈 일거리를 떠맡을 ‘어떠한 것’에 의존하여 자신을 막아서는 울타리를 넘는 것은커녕 한발자국을 내딛는 것조차 겁내어 한정된 틀 속에서 살아가게 된다. 발자국을 내딛으며 생기는 위험함과 그것들이 가지고 오는 실수라는 틀에 자신을 옳아 메고 그 이후로는 편안함만을 좇아 미성숙 상태로 남아있는 것이 훨씬 안전하고 마음 편한 것으로 받아들여지게 되어 제대로 된 판단을 하지 못하게 된다. 이러한 상황에서 구제를 해줄 수 있는 것이 바로 인간의 이성이다. 인간의 이성이란, 어느 한순간에 나타나 발휘되는 것이 아니라 인간의 기저에 존재하는 것으로, 끊임없는 비판적 사고를 통해 겉으로 발현되는 것을 말한다. 비판적 사고를 하는 과정에서 때론 실수와 어려움이 있을 수 있지만 이는 당연한 것으로, 크지 않은 위험을 감수하는 과정을 거쳐야만 마침내 제대로 된 이성을 가질 수 있다고 칸트는 얘기한다. 계몽이 나오기 전 시대에는 어느 누구도 사람들에게 ‘이성’의 중요성을 설파하지 않았다. 인간의 계층과 법령, 형식 등의 기계적 도구들이 이성과 멀어질 수 있는 족쇄를 만들었고 그에 따라 스스로 미성숙으로부터 벗어나려는 사람이 부족했다. 하지만 칸트는 민중에 의해 스스로가 계몽되는 것이 분명히 가능하다고 믿었다. 민중에게 자유만 허용된다면 그들 중 자주적 사고를 하는 어느 누군가가 미성숙의 족쇄를 벗어 던진 후 인간 이성에 대한 정신을 퍼뜨릴 수 있다고 믿었다.그렇다면 계몽을 촉진시킬 수 있는 가장 중요한 것은 무엇일까? 칸트는 ‘자유’라는 개념에 주목했다. ‘자유’는 계몽의 필수불가결한 요소이며, 다른 어떠한 것도 계몽에는 필요 없다고 말하고 있다. 여기서 자유란 모든 국면에서 그의 이성을 공적으로 사용할 수 있는 것, 즉 이성의 공적인 사용의 자유를 말한다. 이성의 공적인 사용이란 쉽게 말해 자신이 어느 직책에 있든 학자처럼 전체 대중을 향해 자유롭게 발언하는 것이다. 소속 공동체에 대한 의무, 사적 이해관계에 얽힌 자신의 의무에 구애받지 않고 이성을 실천하는 것을 말한다. 이성의 공적 사용만이 인류를 계몽시킬 수 있는 것, 계몽을 위해서 필수 불가결한 것으로 보았다.여기에서 우리가 주목해야하는 것은 이성의 공적인 사용과 사적인 사용의 구분이다. 먼저 이성의 사적인 사용은 어떤 사람이 그에게 맡겨진 시민적 지위나 공직에서 이성을 사용하는 것이다. 군대에서 상관이 명령하면 군말 없이 복종하고, 회사에서 상사의 명령에 따라야한다. 이런 것을 일일이 따지면, 조직 자체가 돌아가지 않으며 다른 사람에게 피해를 주게 된다. 피해를 주는 이성의 사용은 외부의 조건으로 막힐 수 있다. 다시 말해, 이성의 사적인 사용은 제한될 수 있다. 반면, 이성의 공적인 사용은 위에서 말했듯 한사람의 지식인으로서 대중 앞에서 이성을 사용하는 것이다. 예를 들면, 군대에서 상관의 명령을 따르면서도 사회의 비판가로서 병역 의무가 가지고 있는 문제점을 비판할 수 있다. 목사는 교리에 따라 설교하면서도 지식인으로서 교회 제도의 개선에 대한 의견을 말할 수 있다. 공적인 이성은 제한될 수 없다고 말한다. 개인의 가치를 한 집단 속의 나로 구분 지을 것인지 한사람의 나로 구분 지을 것이냐를 명확하게 구분해 이성을 사용해야한다고 칸트는 말하고 있다. 한 집단의 이익이 달려있는 일을 행해야할 때 공적인 이성을 발휘하는 것은 진정으로 자유로운 것이 아니며, 누군가의 명령을 수행하고 있는 것이기 때문에 자유로울 수도 없기 때문이다. 요약하면 공적인 것과 사적인 것은 진리를 추구하느냐, 관계를 추구하느냐가 된다.이제는 하나의 의문이 들 수도 있다. 이 글에서는 ‘왜 칸트의 말이 계몽의 전부를 뜻하는 것처럼 설명해놓았는가? 그리고 당대의 계몽주의와는 어떤 연관이 있기에 계몽이라는 것에 칸트를 써놓았는가?’ 라는 것을 말이다. 칸트 혼자만의 생각이 다수의 생각인 것처럼 말하는 성급한 일반화의 오류를 범하고 있는 것을 아닐까? 이에 대한 답변은 피터 게이의 ‘계몽주의 : 새로운 사상의 탄생’에서 답을 찾을 수 있다. 이 글의 전체적인 맥락은 계몽사상가들 간의 공통점에 대해 얘기하고 있는데 칸트도 피터 게이가 다루었던 계몽 사상가들 중 한명이었다. 당대에는 수많은 계몽사상가들이 있었지만 계몽사상은 단 한 개뿐이었다. 계몽사상가들은 놀랍게도 통일된 생각을 갖고 있었다. 그들이 가장 중요하게 여겼던 것은 ‘자유’ 라는 것으로 칸트가 주장했던 요소와 동일한 것을 알 수 있다. 칸트는 사람이 스스로 부과한 보호체계를 탈출하는 것이 계몽이라고 말했는데 다른 계몽사상가들 또한 자유가 계몽을 하는데 필수불가결한 요소라 표현했다. 하지만 계몽사상은 같았지만 그것을 생각하는 사상가들은 각기 다른 특성을 가지고 있었다. 지역 간의 차이에서 잘 볼 수 있는데 비판적이었던 프랑스와 자족적인 영국, 조용하고 비정치적인 독일같이 여러 다른 특성들을 나타냈다. 따라서 책에서는 그들을 일가적 측면이 있었다고 표현했다. 한 가족이지만 가족 구성원들 간에는 다른 생각을 가지고 있을 수 있던 점은 서로 간에 비판과 오해가 생기는 구실을 만들어주기도 했다. 하지만 ‘고대의 고전에 대한 호소, 그리스도교와의 긴장, 근대성의 추구 등이 변증법정으로 상호작용하는 경험’ 같은 것들이 서로를 묶어주었다. 이러한 점에서 다른 계몽사상가들과 칸트의 생각을 유사하게 생각하는 것은 타당하며 사상적으로 보았을 때 일치되는 점은 칸트의 생각을 중점으로 보아도 문제가 없을 것으로 생각된다. 칸트는 ‘우리는 계몽된 시대가 아닌, 계몽주의의 시대에 살고 있다’고 했다. 계몽사상가들은 눈을 떴으나 아직 수많은 사람들이 그것을 받아들이지 못하고 있다고 했다. 눈과 귀가 막혀 있는 사람에게 계몽의 중요성을 역설해도 받아들이지 못하는 상황을 표현하고 있다.

인문/어학| 2016.10.10| 3페이지| 2,000원| 조회(211)

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