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기초회로실험 CMOS-TTL interface 결과보고서 평가A좋아요

기초 회로 실험Ι 결과보고서소 속조학 번이 름실험 13. CMOS-TTL interface1. 실험 결과(1) 의 회로를 구성하고, VDD를 +10V로 연결하고, 입력값에 따른 출력을 살펴보고, 또한 +5V로 연결하여 살펴보아라.NOR gate의 진리표는 다음과 같다.ABC001010100110위의 실험 결과에서, 10V인가시 비교적 결과는 진리표와 일치하게 나왔다.반면에, 5V인가시 C에 출력되는 전압이 진리표와 약간의 편차를 보인다.(2) 의 회로를 구성하고, 실험 1과 같이 전압을 인가하여 각각의 진리표를 작성하라.NAND gate의 진리표는 다음과 같다.ABC001011101110위의 실험 결과에서, 10V인가시 비교적 결과는 진리표와 일치하게 나왔다.반면에, A와 B에 5V인가 시 C에 출력되는 전압이 이론값보다 상대적으로 큰 수치가 나왔다.(3) 의 회로를 구성하여 VDD에 +5V를 연결하고 VSS은 접지 시킨 후 전압 Vout을 측정하라.저항을 인가하여 값의 변화를 관찰하는 실험이였는데, 저항의 커질수록 값이 Vout의 값이 아주 조금씩 커지는 것을 관찰 할 수 있다.(4) 의 회로를 구성하여 VDD에 +5V를 연결하고 VSS은 접지 시킨 후 핀3의 전압 Vout을 측정하라.저항을 인가하여 값의 변화를 관찰하는 실험이였는데, 저항이 커질수록 값이 조금씩 작아지는 경향을 보였다.-PS. 실험 4번까지밖에 못하였습니다.2. 비고 및 고찰실험 (1)과 (2)에서는 NOR gate 와 NAND gate의 작동상태를 알아보는 실험이었다. 이론상 알고 있는 진리표는 위의 실험결과에 적어놓은 표와 같다. 실제 실험을 했을 때, NOR gate의 경우 10V인가시 진리표와 비슷하게 맞았다. 반면에 5V인가시에는 수치가 차이 나는 것을 확인 할 수 있는데, 이유는 회로 구성 시 문제가 있었거나 혹은 주변 환경 예를 들어, 전선을 손으로 만졌거나, 전선이 제대로 꼽혀있지 않는 경우 등의 문제가 있던 것 같다. 실험 (3)과 (4)에서는 저항을 바꿔가며 Vout을 측정하는 실험이었다. 먼저 실험 (3)에서는 저항을 바꿔도 Vout은 거의 미세한 변화만이 관찰되었다. 이론대로라면 거의 변화가 없이 측정 되는 것이 맞지만 인가한 5V와 비슷한 값에서 머물러야 하는데 회로 구성 시 문제가 있었던 것 같다. 실험 (4)에서는 저항이 증가할수록 Vout의 값은 작아지는 경향을 볼 수 있었다.

공학/기술| 2016.11.08| 2페이지| 1,000원| 조회(182)

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