반도체 공정 - CVD, PVD학과학번이름담당교수님CVD 사례참고자료플라즈마 기술 활용 반도체 소재 국산화 성공내용일본의 수출 규제 이후 반도체 소재 및 관련 기술의 국산화 필요성이 높아지고 있습니다. 이런 가운데?국내 중소기업이 국가핵융합연구소의 기술 지원을 통해 일본?전량 수입에 의존하던 반도체 공정 코팅 소재의 국산화에 성공했습니다.국가핵융합연구소는 지난 2017년 국내 중소기업인 용사코팅 전문업체 ㈜세원하드페이싱에 용사코팅용 재료 분말의 유동성을 향상할 수 있는 플라즈마 기술을 이전하고?관련 제품 개발을 위한 협력을 추진해왔는데요. 그 결과 국가핵융합연구소와 ㈜세원하드페이싱은 미세 분말 상태에서도 응집하지 않는 용사코팅 소재인 이트륨옥사이드(Y₂O₃)를 국내 최초로 개발했습니다.10대 국가 전략 희소금속인 희토류 중 이트륨은 LCD의 CCFL이나 형광등, PDP에서 Y2O3:Eu3+, LED에서 Yttrium Aluminium Garnet(YAG) 형태의 형광체 소재로 사용돼 디스플레이 및 조명 산업에 있어서 매우 중요한 금속입니다. 또한?이트륨 산화물을 지르코니아에 첨가해 초고온상태에서 경도, 강도, 내부식성을 유지해 내마모성 부품, 지르코니아 볼 등의 제조에 사용되죠.반도체 제품의 미세 패턴을 구현할 때는 플라즈마 내구성이 우수한 세라믹을?주로 사용합니다.?세라믹은 장시간 사용 시 플라즈마에 의해 식각돼 수율 저하 및 설비 수명 단축을 야기시킨다는 단점이 있습니다. 그래서 전문가들은 챔버 내부를 이트륨옥사이드(이트륨 산화물)로 제작합니다. 이트륨 산화물 베어링은 내식성, 내열성, 비자성, 경량, 절연성 등의 특성을 띱니다.?LCD 제조 설비, 도금장치 등 특수 환경 분야에 주로 사용되고 있죠.이트륨옥사이드(Y₂O₃)는 플라즈마 에처와 화학증착장비(CVD) 내부 코팅 등 반도체 공정 장비에도 적용되는 소재입니다. 이트륨옥사이드는?국내 반도체 제조사들이 전량 일본에서 수입해 사용하고 있습니다.?용사코팅은 분말 상태의 재료를 반도체, 자동차,?전자제품 등의 부품 표면에 분사해?입히는 기술입니다. 부품의 내열 및 내구성 등을 향상시키기 위해 다양한 산업 분야에서 활용되는 코팅 방식입니다. 그동안 산업계는 용사코팅의 높은 치밀도 및 균일성과 빠른 코팅 형성 속도 등을 위해 크기가 작고 유동성이 좋은 용사 분말을 필요로 해왔습니다. 하지만 분말의 크기가 작아질수록 분사 과정에서 뭉치거나 엉기는 등 유동성이 낮아져?균일한 코팅이 이루어지지 않는다는 한계가?있었죠.?하지만 국가핵융합연구소의 플라즈마 기술을 적용한 용사 분말은 분말끼리 서로 밀어내는 반발력이 생겨 응집되지 않고 흐름이 좋아지기 때문에 치밀하고 균일한 코팅막을 형성할 수 있습니다. 특히 25mm?이하 크기의 용사분말 유동성을 크게 향상 시킬 수 있기 때문에?그동안 어려웠거나 불가능했던 미세 분말을 이용한 고품질의 용사코팅을 가능하게 할 수 있습니다.?그동안 25mm 이하 크기의 이트륨옥사이드(Y₂O₃)의 경우 유동도가 없어 코팅에 사용하지 못했습니다. 하지만 국가핵융합연구소의 플라즈마 기술을 적용해 개발한 20mm 수준의 제품은 유동도가 2(g/sec) 내외로 일본에서 수입해 사용했던 35mm 수준의 제품보다 입자 사이즈가 작으면서도 유동도가 매우 높아 미세하고 치밀한 코팅막을 형성할 수 있습니다.?출처 :?이웃집과학자(http://www.astronomer.rocks)PECVD제조사SINGULUS (독일)사진Generis PECVD특징- Adaptable to every solar cell architecture- Throughput scalable, number and sequence of process modules configurable- IC-PECVD guarantees mild coating process, no damage to emitter or interfaces- Full control on wafer temperature during the whole process sequence- Complete PECVD sequence without vacuum interruption- Economic gas consumption and utilization- For wafer size up to M4- Chamber and tray design to minimize parasitic deposition- Tray return system under clean atmosphere8000 wafer/h, uptime ? 97 %장점Mild coating process, no damage to emitter or interfacesHigh dynamic deposition rates for both AlOx and SiNy, thus reduced number of plasma sources, reduced power consumptionEconomic gas consumption and usageShortest cleaning and maintenance interruptionPECVD 사례참고자료PECVD에 의한 YSZ (Yttria Stabilized Zirconia) 박막 제조 (김기동 외 5명)내용PECVD (plasma enhanced chemical vapor depostion)을 이용하여 yttria-stabilized zirconia (YSZ) 박막을 제조하였다.반응물질로 금속유기화합물인 Zr[TMHD]4와 Y[TMHD]3 그리고 산소를 사용하였으며, 증착은도는 425℃, rf power는 0~100W까지 적용하였다. YSZ 박막은 (200) 면이 기판에 평행한 입방정상 구조를 가졌으며, 1시간 내에 1um 두께를 형성하였다. EDX에 의한 막의 성분분석 결과로부터 환산된 박막내의 Y2O3의 함량은 0~36%의 범위였다.버블러의 온도 및 운반기체의 유량이 증가함에 따라 박막의 두께 역시 비례하여 증가하였는데, 이는 precursor의 flux 증가로 인한 박막내의 Y2O3의 함량증가에 의한 것이었다. Zr 및 Y, O는 박막의 두께에 따라 일정한 조성비를 나타내었다. 운반기체를 Ar로 하였을 때 1000Å 이하의 크기를 갖는 YSZ 입자들이 column 모양으로 기판에 수직하게 성장하였으며, 운반기체가 He인 경우에도 column 모양으로 성장하였으며 입도가 1000~2000Å으로 Ar의 경우 보다 조대해졌다.XRD 분석결과 Y2O3의 함량이 증가함에 따라 YSZ의 격자상수 값이 약간씩 증가하였다. 이는 박막 전반에 걸쳐 형성된 균열에 의해 격자변형으로 인행 발생한 응력을 완화시켰기 때문이다.ALD제조사원익IPS(한국)사진NOA ALD특징1. Able to Configure In-line Process Modules For Optimum Integration2. Higher UPEH with Smaller Footprint (6 to 10 Process Modules)3. Excellent Reliability ALD4. Excellent Step Coverage (> 95%)5. Excellent Gap Fill Performance6. Uniformity Unif (ALD TiN < 1%)7. Low Cl Content (ALD TiN < 0.5at%)8. Low F Content (LFW
반도체 공정 - 단결정 성장 방법학번 :이름 :학과 :담당교수 :1. 쵸크랄스키 인상법(CZ 법)장치의 외관장치의 구성1.가열로-용융된실리콘산화물(SiO2), 도가니, 흑연자화기(susceptor), 회전장치(시계방향), 열선, 전원으로 구성2. 결정성장장치- 고정장치, 회전장치(반시계방향)3.대기조절장치-가스공급원(Ar등), 유량장치, 배출장치CZ법 사례우리는 자기 Czochralski 방법으로 성장한 n 형 및 p 형 고 저항 실리콘 웨이퍼에서 핀 다이오드 및 스트립 검출기를 처리했습니다. Okmetic OYJ 의해 제조 된 웨이퍼 초크 랄 스키 실리콘 (CZ-Si의) (900)의 공칭 저항이 Ω cm 1.9 kΩ보다 n 형 및 p 형의 경우 cm. 이들 기판의 산소 농도는 집적 회로 제조에 사용되는 웨이퍼에서 전형적으로 약간 적다. 이것은 반도체 제조 및 방사선 경도에 최적입니다. 장치의 방사 경도는 저에너지 및 고 에너지 양성자, 중성자, γ- 선, 리튬 이온 및 전자를 포함한 여러 조사 캠페인으로 조사되었습니다. Cz-Si는 표준 Float Zone 실리콘 (Fz-Si) 또는 산소화 된 Fz-Si보다 더 강한 방사선으로 밝혀졌습니다. 양성자를 조사했을 때, Cz-Si의 완전 공핍 전압 은 5 × 10 14 cm -2 1-MeV eq 의 플루 언스 후에도 초기 값 300 V를 초과하지 않았다 . n cm -2 이는 LHC 실험에서 30 년 이상의 스트립 검출기 작동과 같습니다.2. 브리즈만 법장치의 외관독립적 인 온도 측정 및 제어 기능이있는 3 개의 적층형 가열 모듈을 사용하면 가열 된 영역의 길이를 따라 다양한 온도 구배를 생성 할 수 있다.퍼니스 출구에서 TC가있는 2 단 조절 식 냉각 팬은 용융 / 크리스탈 계면에서 온도 구배를보다 잘 제어 할 수 있다.상단에 도가니의 정확한 온도 모니터링을위한 TC 부착이있는 φ42mm 알루미나 샘플 풀링 스테이지 및 즉각적인 온도 플롯 생성전기식 높은 도가니 스테이지는 자동으로 편리한 시료 로딩 / 검색을 가 형성되기 쉽도록 원추형으로 가공하였다. 이것을 세척액(H2O : K2Cr2O7 : H2SO4)속에 24시간 담갔다가 세척한 후 증류수, 아세톤, 메탄올, 증류수 순서로 여러 번 세척하여 건조시켜서 사용하였다.이때, 원료인 Cd과 Te, 그리고 전이금속(Mn) 물질이 용융상태에서 석영관 내부 벽과 반응하는 것을 방지하기 위하여 성장온도 보다 높은 1300℃ 부근에서 성장관 내부를 완전히 불투명하게 탄소 코팅하여 사용하였다.원료 물질은 공기 중에서 쉽게 산화되므로 5% HNO3과 5% HCl로 산화피막을 제거한 후, 탄소 코팅한 석영관 속에 Cd(5N)과 Te(6N)을 Mn과 조성비에 따라 혼합하여 전체 질량이 6g정도인 시료를 넣어 2× 10-6 torr로 진공 배기하여 봉입하였다.다음으로, 밀봉한 성장용 석영관을 알루미나 튜브에 넣고, 앰플이 기울어지는 것을 방지하기 위하여 알루미나 튜브와 앰플 사이에 석영 링을 넣어 고정한 후 수동으로 내려 성장로 중앙에 위치시켜 결정성장 장치를 가동하였다.다음으로, 결정 성장 성장로의 상단은 실온에서부터 1℃/min의 비율로 600℃까지 상승시킨 후 5시간 동안 유지하였고, 하단은 0.7℃/min의 비율로 250℃까지 상승시켜 상단 성장로와 같은 시간 동안 유지하였다. 이것은 상단 성장로의 경우 Cd의 융점이 321.2℃, 비등점은 766± 2℃이고, Te의 융점은 449.8℃, 비등점은 989℃ 이므로 비등점 이상에서는 Cd의 증기압에 의해 석영관이 파괴될 위험이 있으나, 600℃에서 일정시간동안 유지시키면 원료 물질이 액상으로 결합할 것으로 기대하였기 때문이다.다음으로, 성장로의 상단은 0.2℃/min의 비율로 760℃까지, 하단은 0.4℃/min의 비율로 374℃까지 상승시킨 후, Cd(5N)과 Te(6N)이 완전히 결합되도록 6시간 동안 유지하였다가, 다시 하단은 800℃(1.1℃/min)로 상단은 CdTe의 융점(1092℃)보다 58℃ 높은 1150 ~ 1200℃(1℃/min)로 온도를 올려서 Cd과 Te 및 M지 서서히 냉각시킨 후 자연 냉각하였다.3. 부유대역 용해법(FZ 법)장치의 외관Floating zone법은 인상법과 방향이 반대라고 생각하면 편한데, 도가니에 용융시키기 때문에 불순물이 들어갔던 인상법의 단점이 보완돼, 더욱 고순도의 Si 단결정을 얻을 수 있다.회전하는 하단의 지지부에 종자결정(단결정)을 붙여놓는다. 그 위에 고순도의 다결정 실리콘을 접촉 설치하고, 접촉부에 고주파 전압을 가하여 녹인다. 따라서 Melting zone이 생기게 되고, 서서히 고주파 전압을 위쪽으로 이동시킨다. 이때, 종결정에 접촉된 다결정부터 냉각하면서 단결정화 한다.이 방법을 통해 고순도 고저항률의 Si결정을 얻을 수 있다.장치의 구성FZ법 사례Float Zone Silicon을 사용하기 위해 특허 출원중인 공정을 사용하여 Rayton Solar는 업계 표준보다 60 % 저렴하고 25 % 더 효율적인 태양 전지판을 생산하는 기술을 개발했다. 입자 가속기로 이온 주입을 수행함으로써 Rayton은 일반적으로 단 하나를 만드는 데 사용되는 것보다 20 배 적은 실리콘을 사용하여 20 개의 태양 전지판을 생산할 수 있다.Rayton Solar는 Float Zone 실리콘과 함께 사용하기위한 이온 주입 및 박리 공정을 설계했다. 이전에는 부동 영역 실리콘이 태양 광 산업에 사용하기에는 너무 비쌌다. 기존의 태양 등급 단결정 실리콘보다 kg 당 ~ 10 배 더 비싸다. 플로트 존 실리콘의 5 미크론 층을 생성하기 위해 입자 가속기를 사용함으로써 Rayton Solar는 비용을 상당히 낮추었다. 전반적으로 우리는 태양 전지 패널 제조 비용이 60 % 감소한 것으로 나타났다. 산소 함량이 낮은 플로트 존 실리콘은 햇빛 변환 효율을 25 % 향상시킨다.플로트 존 실리콘을 태양 전지의 햇빛 흡수제로 사용한다. Rayton Solar는 5 미크론 두께의 FZ 실리콘 층을 주입하고 각질 제거하기 위해 300 KeV에서 입자 가속기를 사용한다. 통상적으로 웨이퍼는 다이아몬드 코팅 된 강철 와이어의 두께로 줄일 수 있다.입자 가속기를 사용하여 실리콘 웨이퍼의 두께를 줄이고 원료 폐기물을 줄임으로써 비용을 절감합니다. 더 높은 등급의 실리콘 플로트 존 실리콘을 사용함으로써 효율이 향상된다.4. VPE(Vapor Phase Epitaxy)장치의 외관장치의 구성개방형 튜브 시스템이 널리 사용되고 있으며, 도 20.13 에 도시되어있다.도시 된 장치는 GaAs 성장에 사용되며, 온도 영역 I은 HCl과 접촉하는 Ga 소스를 포함하고, 영역 II는 AsH 3의 열분해 영역 이고, 영역 III은 GaAs 에피 택셜 막이 기판 상에 증착되는 곳이다.GaCl 3 및 AsH 3가 만나 반응한다. 이 시스템은 다른 III-V 화합물과 Al-dopants를 갖는 화합물을 성장시키는 데에도 사용될 수 있습니다.5. HVPE(Hydride Vapor Phase Epitaxy)장치의 외관장치의 구성가변 온도 컨트롤이 있는 소스 영역고온 증착구역단체 증착용 기판물질 홀더HVPE 사례로냑 그룹의 초기 성공에도 불구하고, 상온에서 동작하는 반도체 레이저 다이오드를 제작한다는 것은 쉽지 않았다. GaAsP의 경우 비록 전기적인 접합 특성은 훌륭했지만 광특성이 감소하는 문제점을 안고 있었다. 그들은 GaAsP의 P 함량이 45~50%일 때 LED 발광효율이 급격하게 감소하는 것을 발견했다. 그것은 GaAsP 밴드갭이 직접천이형에서 간접천이형으로 변환되는 것 때문이라고 분석되었다. P함량이 44% 이상 증가할 경우 GaAsP 소자의 상온효율은 0.005% 이하로 떨어지는 것이 측정되었다.또한 GaAs와GaAsP 사이의 큰 격자 불일치로 인해 전위밀도(dislocation density)가 높게 된다는 것이 이후 밝혀졌다 (1965). 결과적으로 이 LED의 외부 양자효율은 0.2% 정도로 매우 낮았다. 이후 완충층의 성장조건과 두께가 매우 중요하다는 것이 알려졌다 (1969). 조성이 점진적으로 변하는 두꺼운 GaAsP 완충층으로 적색 LED의 밝기가 향상 되었다. 두꺼운 경사 조성 완제한한다. 오늘날 이 재료는 주로 저가형 저휘도 적색 LED 지시등에 사용되고 있다.최초의 상용 GaAsP LED는 1960년도 초기 GE에 의해 공급되었다6. MOVPE(Metal Organic Vapor Phase Epitaxy)장치의 외관장치의 구성이중 반응기 시스템에서, 2 개의 반응기는 서로의 상부에 위치하고 기판 회전이 장착되어있다. 기존의 III / V 재료의 증착에 사용됩니다. 상부 반응기에서, InAs 측면 나노 와이어는 고 이동도 채널 재료에 기초한 미래의 CMOS를 위해 트렌치에 선택적으로 증착된다. 하부 반응기에서, GaAs 나노 와이어에 포함 된 InAs 양자점은 미래의 단일 광자 방출을 위해 생성된다.MOVPE 사례GaAs 나노 와이어는 SiO 2 내에서 금속-유기 증기 상 에피 택시에 의해 선택적으로 성장되었다 GaAs (111) B 기판 표면 상에 제조 된 마스크 윈도우 패턴.나노 와이어는 높이가 100-3000 nm이고 직경이 50-300 nm였습니다. 마스크 윈도우 직경이 증가하거나 성장 온도가 700에서 800 ° C로 증가함에 따라 높이가 감소했습니다. 마스크 윈도우 직경에 대한 나노 와이어 높이의 의존성을 계산과 비교하였고, 이는 높이가 마스크 윈도우 직경에 반비례한다는 것을 나타낸다. 이는 나노 와이어 측면에서 성장 종의 이동이 중요한 역할을한다는 것을 시사한다.사면체 GaAs는 나노 와이어 성장의 초기 단계에서 성장했지만 성장 과정이 계속되면서 6 각형이되었다. 결정의 핵 생성 성장에 대한 깁스 자유 에너지의 계산 된 변화는 사면체가 육각형보다 에너지 적으로 더 유리하다는 것을 나타냈다. langle 111 rangle B 방향은 쌍둥이가 사면체에서 육각형으로의 나노 와이어 모양의 진화와 관련이 있음을 시사합니다.7. LPE(Liquid Phase Epitaxy)장치의 외관장치의 구성원심 성형 필름 성장은 사용 재료의 얇은 층을 형성하는데 사용되는 공정이다. 원심 분리기. 프로세스는 박막 태양 전지의 실리콘 만드는는다.
브레이크에 관한 동향조사전공학번이름담당교수님제동 시스템은 자동차의 가장 중요한 안전 시스템 중 하나이며, 자동차의 전체 성능을 측정하는 주요 기준이기도합니다. 10 년 이상, 브레이크 시스템, 많은 새로운 제품, 기술 연구 및 개발 및 기존의 기계 브레이크의 응용 프로그램의 전제하에 보안에 점점 더 많은 관심은 오랫동안 제거되었습니다, 유압, 공압 브레이크 점차적으로 전자기로 대체됩니다 브레이크, 특히 와이어 브레이크 (bbw)의 출현, 브레이크의 작동 메커니즘을 완전히 바꾼 새로운 분야의 브레이크 시스템 연구.브레이크는 브레이크 시스템의 가장 중요한 부분이며, 현재, 마찰을 통해 거의 모든 자동차 브레이크가 제동력을 제공합니다. 주로 드럼과 디스크 두 가지 카테고리가 있으며, 드럼 브레이크는 주로 상업용 차량, 현재의 어플리케이션에 사용됩니다. 슈 타입 브레이크에서 공압, 그것은 자동 조절 팔에 보조 장치가 장착되어 핫스팟의 현재 발전이다. 디스크 브레이크는 승용차에서 주로 사용되며 플로팅 캘리퍼스 브레이크는 현재 시장의 주류입니다. 그러나 최근 몇 년 동안 공압 디스크 브레이크는 일부 밴이 승격되고 적용되었으며 특히 이중 디스크 브레이크가이 분야의 연구 대상이었습니다.국제 시장, 자동차 산업은 유럽과 미국 및 일본 지역을 개발, 산업, 구조 조정, 유럽, 콘티넨탈 그룹, 브레이 보, Knorr 등 대형 제조 업체의 수를 형성의 초기 통합 후, Weibo Ke, Pan Bo (전 보쉬 브레이크 그룹) 10 명 미만, 미국은 ZF 인수로 인수 한 날, 미국 Chi, Delphi (베이징 중공업 인수) 일, 일본은 Edwards, Hitachi, Nissin 회전 등. 이러한 잘 알려진 기업은 모두 시스템 및 모듈 형 제품 공급 업체이며 자동차 공장은 지원 및 협력 관계의 장기 안정성을 유지하기 위해 전 세계 시장에 사전 설치된 시장 점유율 75 % 이상을 유지합니다.현재 중국의 브레이크 시장은 외국 브랜드 이건 현지 기업 이건간에 시장 점유율을 확대하기위한 다양한 방법을 통해 지속적으로 통합되고 있습니다. 국내 브레이크 제조 업체는 약 40 정도, 그것은 통합 기간을 통해, 사업의 절반을 인수하거나 제거 될 것으로 예상된다. 또한, 판매, 합작 브랜드 판매는 75 %, 더 잘 알려진 SAIC 브레이크, 사우스 Tienhe, 풍부한 오스트리아, 루카스 Weilida 갤러리 등의 일을 차지했다. 아시아 태평양 전기 및 기계, 이스트 라이트 Ao, 중국 보, 버트 리 및 버트 리를 지원하기 위해 Yuanfeng, Wanxiang Qian Chao, Wanan, Hengfeng 및 기타 상업용 차량과 같은 상업용 차량 및 일부 승용차에 현지 기업 시장이 더욱 집중되어 있습니다. 다른 승용차는 메인을 지원합니다.전반적으로, 자동차 브레이크 시장의 발전은 주로 다음과 같은 경향을 제시합니다 :1. 경량, 친환경, 환경 친화적 인 개념으로 획기적인 재료와 기술이 필요합니다. 브레이 보 (Bray Bo)와 같은 주철베이스와 스틸베이스를 사용하는 가벼운 브레이크 디스크를 출시 한이 제품은 차량 무게를 4 ~ 8kg까지 줄일 수 있습니다. 전통적인 멀티 볼 또는 그레이 아이언 소재 인 캘리퍼가 있으며 많은 회사들이 알루미늄 캘리퍼스를 출시했습니다.2. 체계적이고 모듈 식 제품 수요가 증가했습니다. 생산 비용을 줄이기 위해 자동차 제조 공정을 간소화하고 조립 시간을 줄이며 서서히 공급 수준을 낮추고 모듈 식 제품 공급 업체를 제공 할 수 있는 개발에 집중할 것입니다. 상하이 GM과 같은, 전체 자동차는 18 모듈로 나누어 져 있으며, 각 모듈은 기본적으로 기업에 의해 공급됩니다. 제동 시스템에는 많은 중요한 구성 요소가 포함되어 있으며 브레이크는 그 중 하나 일 뿐이며 향후 시장 경쟁 우위에서 단일 제품 구조는 그렇지 않습니다.3. 전자 브레이크 및 전자 제어 기술은 현재 및 미래의 연구의 초점입니다. 전자 및 대규모 집적 회로의 개발에 따라 자동차 브레이크 시스템의 형태도 변화하고 있습니다. 앞서 언급 한 와이어 브레이크 (bbw)는 완전 전기 브레이크이기 때문에 많은 배관 및 센서를 절약 할 수 있을뿐 아니라 브레이크 제어 속도를 향상시켜 일부 보조 제어 시스템과 함께 원하는 제동 효과를 얻을 수 있습니다. 그러나 ,이 제품의 홍보 에너지를 운전의 문제를 해결하기 위해 처음으로 현재 사용하는 일부 전기 자동차 또는 하이브리드 파워 차량에만 있습니다. 전자 제어 기술은 주로 제어의 범위를 확장하고 제어 기능을 높이기 위해 개발 방향을 정확하게 제어합니다.-최신 동향 연구브레이크 패드의 모재강도에 대한 형상 및 제조공정의 영향 연구(2019.05) - Hyperlink "http://www.dbpia.co.kr/author/authorDetail?ancId=1545623" 김창석(현대모비스), Hyperlink "http://www.dbpia.co.kr/author/authorDetail?ancId=3476735" 심재환(현대모비스), Hyperlink "http://www.dbpia.co.kr/author/authorDetail?ancId=3476736" 배지수(현대모비스), Hyperlink "http://www.dbpia.co.kr/author/authorDetail?ancId=2274041" 현보원(KB오토시스) Hyperlink "http://www.dbpia.co.kr/journal/articleDetail?nodeId=NODE08747759" http://www.dbpia.co.kr/journal/articleDetail?nodeId=NODE08747759
