1.목적평행판 극판을 사용하여 직접적으로 쿨롱의 힘을 측정하여 쿨롱의 법칙을 이해한다.3.기구 및 장치쿨롱의 법칙 실험장치, 고전압 전원공급기(DC 0~15kV,AC 6.3V), 고전압 연결선.4.실험방법⑴쿨롱의 법칙 실험장치의 이동지지대에 상부 전극판을 연결한다.⑵이동지지대의 마이크로미터를 돌려 눈금이 약 20mm가 되도록 한다.⑶하부 전극판을 전자 저울 위에 올려놓는다.⑷전자 저울의 수평조절나사를 조절하여 상부 전극판과 하부 전극판이 거의 맞닿도록 한 다음, 전자저울의 전원을 켜고 “ZERO” 버튼을 눌러 영점 조정을 한다. 이때 양전극판은 수평을 이루어야 한다.⑸고전압 전원공급기의 전원을 끈 상태에서 상부 전극판과 하부 전극판을 고전압 전원 공급기에 연결한다⑹마이크로 미터를 돌려 상부 전극판을 내리면서 하부전극판과 맞닿는 위치를 기록한다. 전자저울에 나타나는 질량이 변하기 시작하는 위치가 상부전극판과 하부전극판이 맞닿는 위치이다.
1.목적①MOSFET을 이용한 소스 공통 증폭기의 소신호 컨덕턴스 - 드레인 전류의 관계를 배운다.②MOSFET을 이용한 차동 증폭기의 소신호 공통모드 및 차동 모드 이득을 계산한다.③높은 이득을 가진 연산 증폭기를 위해 능동소자로 구성된 전류원을 부하로 사용하는 차동 증폭기의 특성을 관찰한다.2.이론①MOSFET과 소스공통증폭기-MOSFET : 금속 산화막 반도체 전계 효과 트랜지스터. NMOS, PMOS로 나뉘며 GATE, DRAIN, SOURCE 3가지로 구성되어 있다. 각각 BASE, COLLECTER, EMITTER에 상응하며 GATE부분의 전류가 0A로 OPEN상태인게 특징이다. 구조는 아래와 같은 그림으로 되어있다.특성그래프는 아래와 같이 그려지며, Saturation을 Triode라 한다. 또한 활동영역과 차단영역 등을 BJT와 비교한 표가 아래에 있다.등가 모형으로는 위와 같이 두 모델이 존재한다. 이때 Gm, Id를 각각 식으로 표현하면 아래와 같이 나온다.③능동소자부하를 가진 고이득 MOSFET 증폭기고이득 증폭기를 하기 위해서, 여러 단의 낮은 이득 증폭기의 직렬연결을 할 수 있지만 각 단의 위상천이에 의한 불안정동작이 많기 때문에 작은 숫자의 증폭단을 사용하는 것이 바람직하다. 즉 높은 임피던스 가진 전류원을 직접부하로 사용하는 것이 바람직하다.
