"bandgap reference"의 검색결과 입니다.

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bandgap reference PMSM tft 측정 SiC Sputter 3Ghz 필터

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"bandgap reference" 검색결과 1-20 / 44건

밴드갭 기준전압을 이용한 동작온도에 무관한 PWM 컨트롤러 (A Temperature Stable PWM Controller Using Bandgap Reference Voltage)

한국정보통신학회 최진호

논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.03.15 | 수정일 2025.03.28

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저전압 SoC용 밴드갭 기준 전압 발생기 회로 설계 (A Bandgap Reference Voltage Generator Design for Low Voltage SoC)

한국정보통신학회 이태영, 김종희, 심외용, 김태훈, 박무훈, 하판봉, 김영희, 이재형

논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.03.15 | 수정일 2025.03.28

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CMOS 소자로만 구성된 1V 이하 저전압저전력 기준전압 발생기 (A Sub-1V Nanopower CMOS Only Bandgap Voltage Reference)

한국전기전자학회 박창범, 임신일

논문 | 4페이지 | 무료 | 등록일 2025.06.25 | 수정일 2025.06.28

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대형 OLED 디스플레이 패널 구동에 적합한 밴드갭 레퍼런스 회로 설계 및 결과 (Bandgap Voltage Reference Circuit Design Technology Suitable for Driving Large OLED Display Panel)

한국반도체디스플레이기술학회 문종일, 조상준, 조의식, 남철, 권상직

논문 | 4페이지 | 무료 | 등록일 2025.03.15 | 수정일 2025.03.28

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넓은 전압 범위와 개선된 파워-업 특성을 가지는 밴드갭 기준전압 발생기의 스타트-업 회로 (Start-up circuit with wide supply swing voltage range and modified power-up characteristic for bandgap reference voltage generator.)

한국정보통신학회 성관영, 김종희, 김태호, 카오투안 부, 이재형, 임규호, 박무훈, 하판봉, 김영희

논문 | 8페이지 | 무료 | 등록일 2025.03.15 | 수정일 2025.03.28

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서강대학교 전자회로 설계 Bandgap Reference Circuit

1. 제목 : Bandgap Reference Circuit2. 설계 목적① 온도변화에 독립적인 1.2V 기준 전압 회로 설계를 통해 밴드갭 기준 회로 설계 능력을 배양② CAD

Non-Ai HUMAN
| 리포트 | 12페이지 | 2,000원 | 등록일 2013.04.12 | 수정일 2014.01.03

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[서울시립대 반도체소자] 4단원 노트정리 - PN junction & Metal-SCD junction

diode has non-zero capacitance.small signal analysissol.) refer to thermal voltage,∴ forward biased ... : Tandem solar cell: serial connection of 2 different bandgap cellsshort circuit currentpurp

Non-Ai HUMAN
| 리포트 | 16페이지 | 1,500원 | 등록일 2021.12.31 | 수정일 2022.01.24

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(경북대) 전자회로설계 팀프로젝트

기술에서는 Zener Diode를 사용 할 수 없다. ②Bandgap ReferenceAnalog회로에서 대부분의 Bandgap Reference의 기준전압은 1.2V대 이어 ... 서 BGR회로하나만 사용해서는 원하는 출력값(2.5V)을 만드는데에 한계가 있었다. Bandgap Reference 회로에서 저항값을 조절하여 원하는 출력 (2.5V)를 만들어 줄 수

리포트 | 10페이지 | 5,000원 | 등록일 2024.12.25 | 수정일 2024.12.31

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소자의 미스매치 변화에 둔감한 밴드갭 기준전압 발생기 (Band-gap Reference Voltage Generator Insensitive to Mismatch Variation)

대한전자공학회 박정표, 유창식

논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.03.15 | 수정일 2025.03.28

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0.18 μm CMOS 저 잡음 LDO 레귤레이터 (A Low-Noise Low Dropout Regulator in 0.18μm CMOS)

대한전자공학회 한상원, 김종식, 원광호, 신현철

논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.03.05 | 수정일 2025.03.06

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저전압 기준전압 발생기를 위한 시동회로 (Robust Start-up Circuit for Low Supply-voltage Reference Generator)

대한전자공학회 임새민, 박상규

논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.06.25 | 수정일 2025.06.28

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AMD 실험 결과보고서 Optical property of PEDOT_PSS, PDY

에 Reference와 sample을 넣고 Blank한다.Bare glass로 UV-Vis Spectrophotometer의 reference를 잡는다.PEDOT:PSS, PDY 물질 ... 을 확인할 수 있었다. 따라서 RPM으로 박막 두께를 줄이면 흡수 가능한 path가 줄어들기 때문에 Absorbance도 따라서 줄어든다는 것을 알 수 있었다. Bandgap을 보 ... 면, RPM에 따라 박막의 두께가 달라져도 거의 비슷한 것을 볼 수 있는데, 이는 Bandgap은 물질의 특성이기 때문에 다른 요인에 영향을 받지 않기 때문이다.UV-Vis

리포트 | 10페이지 | 5,000원 | 등록일 2023.03.26 | 수정일 2023.03.30

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전기자동차용 배터리 셀 전압 측정을 위한 아날로그 Front-End 회로 설계 (Analog Front-End Circuits Design for Electric Vehicles Battery Cell Voltage Measurement)

대한전자공학회 김규호, 윤진국, 최호열, 정동길, 진호정, 조경록

논문 | 9페이지 | 무료 | 등록일 2025.05.24 | 수정일 2025.05.27

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[물리전자2] 과제4 요약 과제 Zener effect부터

ificantly higher current flows in the reverse direction compared to I0, and this is referred to as ... -hole pairs created by impact ionizationImpact ionization refers to the phenomenon where external ... low voltage and forward bias current. Some of these parameters can be adjusted through the Bandgap

리포트 | 7페이지 | 3,000원 | 등록일 2023.12.21 | 수정일 2023.12.30

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적외선 탐색기 신호처리를 위한 극저온 밴드갭 회로 동작 조건 제안 및 제작된 칩의 성능 분석 (Operating Conditions Proposal of Bandgap Circuit at Cryogenic Temperature for Signal Processing of Infrared Detector and a Performance Analysis of a Manufactured Chip)

대한전자공학회 김연규, 이희철, 강상구

논문 | 8페이지 | 무료 | 등록일 2025.03.15 | 수정일 2025.03.28

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MOSFET 문턱전압이하 영역을 이용하여 높은 PSRR 특성을 갖는 IC 내부온도 감지회로 설계 (Design of Temperature Sensing Circuit of Inside IC with High PSRR Using MOSFET Subthreshold Region)

한국정보기술학회 강병준, 손상희, 정원섭

논문 | 8페이지 | 무료 | 등록일 2025.03.13 | 수정일 2025.03.28

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Soft-Start 회로를 사용한 낮은 출력 첨두치 전압과 높은 부하전류 구동 범위를 갖는 Low-dropout Regulator (Low-dropout Regulator with Low Output Peak Voltage using Soft-starter and High Load Current Drive Range)

대한전자공학회 천지현, 김성진, 이동수, 이강윤

논문 | 7페이지 | 무료 | 등록일 2025.03.13 | 수정일 2025.03.28

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(A+) 마이크로프로세서응용 ATmega128 ADC(Analog to Digital Converter) 보고서

비드 Read/Write가 가능하고 초기값은 모두 ‘0’이다.? Bit 7 : 6 - REFS1 : REFS0 : 기준 전압 선택 비트(Reference Selection Bits ... 에 연결되고, 내부 2.56V 전압은 내부 bandgap 기준전압으로부터 발생된다. 어느 경우에도 외부 AREF 핀이 A/D 컨버터에 직접 연결된다. AREF 핀과 GND 사이

리포트 | 14페이지 | 3,000원 | 등록일 2024.11.04

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High-k report

Relation between bandgap energy and permittivity of high- ĸ insulating films.3. Gate insulators in ... material의 사용은 많은 이점을 가져다준다.5. Reference- 광운대학교 반도체공정(1), 21-2, 강의자료- The Role of the Trench Capacitor

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| 리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.02.21

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semiconductor에서 반도체 구성물질 조사

할 수 있고, 노이즈가 작고 소비전력이 작은 특징이 있습니다. 두번째로 발광효율이 좋습니다. 즉 문제3번에서도 알 수 있는 direct bandgap을 가지기 때문에 빛을 발산 ... 시키려는 시도가 있습니다. 그렇지만 기본적인 sheet구조에서는 한계가 있습니다.6. References Hyperlink "https://news.skhynix.co.kr

Non-Ai HUMAN
| 리포트 | 5페이지 | 3,000원 | 등록일 2020.11.25

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