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"a-Si type module" 검색결과 1-20 / 62건

  • 여름철 기후변화에 따른 태양광 모듈별 특성에 관한 연구 (Summer, A Study on Characteristic by Photovoltaic Module by Climate Fluctuation)
    한국조명.전기설비학회 최홍규, 최신권, 최대원, 이근무
    논문 | 8페이지 | 무료 | 등록일 2025.05.11 | 수정일 2025.05.18
  • 반도체공정 증착장비 보고서
    조사 ? Yuhaob. 규격 - 길이 * 너비 * 높이 : 6500 * 1500 * 3750mmc. 활용용도 - LTO = 이산화 규소- SIPOS = 산소 함유 폴리 실리콘- SI ... 용도 - 산화 규소 증착 (SiO x )- 실리콘 질화물 (SiN) 증착- 실리콘 산 질화물 증착 (SiO x N y )- 비정질 실리콘 증착 (α-Si : H)4. 특징 - 시스템 ... cm 간격으로 ground로 bias된 mesh를 장착하였다. mesh는 grid의 형태로써 sus로 제작하여승며 grid간의 간격은 약 1mm이다. 시편은 4인치의 p-type
    리포트 | 17페이지 | 2,500원 | 등록일 2021.12.30
  • 판매자 표지 자료 표지
    기초 태양전지 실험 실험보고서
    가 높은 쪽으로 낮은 쪽으로 확산시킨다.- 실리콘 기판상(p type)에 5족(POCl{}_{3}, H{}_{3}PO{}_{4})에 속하는 불순물 원자를 도입→전도성과 불순물 분포 ... }O{}_{3}1.8-1.9Crown glass1.52SiO1.8-1.9Light flint glass1.58Si{}_{3}N{}_{4}1.9-2.0Dense flint glass1 ... .66Si{}_{3}O{}_{2}{}_{+x}N{}_{4-x}1.8-2.0Lanthanum flint glass1.80SiO{}_{2}-TiO{}_{2}1.80-1.96Zircon
    리포트 | 14페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.09.14
  • 태양전지공학 종합 리포트
    구조1그림 1-1은 실리콘 태양전지의 기본 구조이다. 맨 하단에는 금속의 Al 전극이 중간층에는 p-type, n-type 실리콘 반도체가 접합된 상태로 있으며 전면 전극 Ag가 맨 ... 상단에 위치한다.그림 1-2 실리콘 태양전지 원리1그림 1-3 실리콘 태양전지 에너지 밴드p-n 실리콘 반도체는 전기를 생성하는 역할을 한다.p-type 실리콘 반도체는 4가 ... 의 실리콘에 3가의 원소가 도핑된 것으로 정공이 주요 전하 캐리어이며 n-type 실리콘 반도체는 4가의 실리콘에 5가의 원소가 도핑된 것으로 전자가 주요 전하 캐리어이다. 두 반도체
    리포트 | 8페이지 | 4,000원 | 등록일 2022.01.26
  • [서울시립대 반도체소자] 6단원 노트정리 - MOSFET
    멀게 → body 영향 감소MOSFET I-V modelI - V model derivationsol.)correction: as a function of distancedef ... ← strong E fieldlong channel modulation: pinch-offdef.) disappearance of inversion layer채널 내 E field ... over f > 100 MHznot even a single trap is negligible if a flash memory is as small as modern ones.6-6
    리포트 | 19페이지 | 1,500원 | 등록일 2021.12.31 | 수정일 2022.01.24
  • LG디스플레이 공정 엔지니어 최종합격자 면접준비 자료, 면접 질문 [2021 상반기]
    -Type 특성을 보임)3-5. TFT 종류3-5-1. a-Si(Amorphous Silicon) TFT : 비정질 실리콘 TFT- a-Si TFT는 공정 자체도 복잡하지 않고, 수율 ... 활성층 물질로 a-Si, LTPS, Oxide가 있음1-3-3. OLED Pixel 제조- 소형에서 주로 사용하는 R,G,B 방식의 OLED는 컬러 필터가 없어도 되지만, 대형 ... 도 측면에서 디스플레이를 표시할 신호 처리량이 많지 않아 a-Si TFT로도 충분했지만, 최근에는 고객들이 더 크고 선명한 디스플레이를 원하기 시작함에 따라 전자 이동도가 더 빠른
    자기소개서 | 13페이지 | 10,000원 | 등록일 2021.08.03
  • 판매자 표지 자료 표지
    정보디스플레이학과 광전자공학 3차 준비 보고서 리소그라피 장비 종류 및 구동 방법
    다. 일반적으로 a-Si의 경우 5 mask 공정이므로, 5번의 Photo 공정을 수행하게 된다.PR coatingCoating 방법에는 Spin coating, Extrusion ... Glass loading-유기세정(이 모듈은 excimer UV 또는 상압 plasma 를 사용하여 유기 이물을 제거하는 공정)-neutral unit(etchant fume의 유출 ... 을 방지함)-etch구간(spray nozzle type, shower swing oscillation, air curtain 을 통한 외부공기와의 차단, pre wet knife
    리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2024.01.30
  • 설비제안서 및 회사소개서
    점검 (Monitoring) JMK Networks is a leading company in supplying machine vision-based inspection and ... 회사 8 Vision Inspection Module | Metal Package | Mobile Glass | PCB | Wafer, Chip(Sapphire, Si ... 형화에 유리 . Hybrid PCM( 각형 배터리 ) 단면도 기존 PCM( 각형 배터리 ) 단면도 MI-PCM 표준 TYPE FET BPIC Single Packaging 18
    ppt테마 | 24페이지 | 2,500원 | 등록일 2023.07.27 | 수정일 2025.03.21
  • 판매자 표지 자료 표지
    [냉동공조에너지실험]태양광 발전기
    에 상업화가 가능한 양산체제 단계에서 광전환 효율(태양에너지를 전기에너지로 바꾸는 효율)을 제대로 내기 어렵다는 점이다.박막 태양전지의 예로는 비정질 실리콘(a-Si), CIGS ... 기술이다. 즉, 햇빛을 받으면 광전효과에 의해 전기를 발생하는 태양전지를 이용한 발전방식이다. 태양광 발전시스템은 태양전지(solar cell)로 구성된 모듈(module)과 축 ... (Voc) 를 나타낸다. 몰리브덴(Mo) 으로 코팅된 유리기판 위에 p-type 반도체인 CIS층을 증착하고 그 위에 n-type CdS를 주로 화학적 용액성장법 (chemical
    리포트 | 6페이지 | 2,500원 | 등록일 2020.05.09 | 수정일 2020.08.12
  • '포항공대' 물리실험 - N-type, P-type Ge 반도체에서 전류, 자기장, 온도에 따른 홀 전압 측정을 통한 불순물반도체의 특성 조사
    시킨다. multimeter를 이용, Ge borad의 수직방향으로 생기는 홀 전압을 측정한다. 코일의 자기장과 module이 수직을 유지하도록 유의한다. 첫 번째로 n-type Ge ... N-type, P-type Ge 반도체에서 전류, 자기장, 온도에 따른 홀 전압 측정을 통한 불순물반도체의 특성 조사Department of physics, Pohang ... -type과 p-type Ge 반도체에서 홀 효과를 확인하여 불순물 반도체의 성질을 알아본다. 전류와 자기장에 따른 홀 전압의 그래프의 기울기에서 홀 계수를 구하고, 전하 운반자의 부호
    리포트 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2020.06.03
  • 투명전극 결과보고서 [A+ 레포트]
    으로 인해 전자의 이동이 생기면서 전류가 흐르게 되는 것을 P-type이라 일컫는다. 4가의?Ge(게르마늄)이나?Si(실리콘) 등의 원자에 5가의?As(비소)나?Sb(안티몬)을 극히 ... ) PN junction diode의 개념?P-type, N-type-정공에 의해서 전기 전도를 하는 불순물 반도체로써 순수한 규소나 게르마늄의 결정 중에 미량의 3가 원자를 혼입 ... 역할을 한다. 전하의 운반체가 음(-)전하를 띤 전자인?반도체를 N형 반도체라고 한다.②P-N junction-P형 반도체와 n형 반도체를 붙여놓으면 p-type의 holes
    리포트 | 15페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.06.01
  • (Jelly) A+ 기초전기전자실험 센서
    을 켠 후 운용프 로그램을 실행시킨다.④ “투과형 광센서의 실험 실습 배선도”를 보고 회로연결 케이블을 이용하여 배선도에 맞게 각 모듈을 연결한다.⑤ PS-7400-2의 전원을 켜 ... 고 ED-6832의 Select 스위치를 NPN Type에 설정한다.⑥ 응용 프로그램에서 Run Remote Reset 버튼을 차례대로 클릭한 후 DSO 화면에 흰색선 이 나타나 ... CELL의 종류-기둥형(Column Type) : 원통형으로 생겼으며, 위에서 아래로 하중을 가하는 종류로 2장의 스트레인 게이지를 종, 횡으로 부착하여 측정하는 방식으로 대용량
    리포트 | 19페이지 | 2,500원 | 등록일 2020.04.08
  • 고체화학-Solar Cell Based on Bulk Si
    -type Si electronhole n-type Si electron electronhole electron p-n junction 빛 흡수 전하생성 전하분리 수집 PV ... yonsei universityKinds of Solar Cell Bulk Si solar cell 재료 형태 대표소자 특징 시장점유율 최대효율 상업모듈효율 태 양 전 지 무 기 ... % 8% Non-Si 결정 GaAs 가장고효율 , 우주용 ,AS 유해성 , 고가 1% 29% - 박막 CuInGaSe 이종접합 , 물질합성용이 3% 11% - 적층 박막 AGaAs
    리포트 | 23페이지 | 3,000원 | 등록일 2015.07.11
  • LED의 발전과정, 최신동향, 기초이론, 제조 및 측정분석 방법 ppt
    Module Pakaging GaN Structure - + P-type N-type MQW EBL - + -Ⅳ LED 기초 이론 Wafer 공정 Epi 공정 FAB 공정 Module ... 갈륨 p-n 접합에서 고 발광효율이 발견 발광현상에 대한 본격적인 연구 시작Ⅱ LED 발전 과정 1900 2010 J.R HAYNES Ge , Si 의 P-N 접합 1952 년 ... 발광 관측Ⅱ LED 발전 과정 1900 2010 G.A WOLFF GaP 에서 1955 년 발광 관측Ⅱ LED 발전 과정 1900 2010 Jacques Pankove GaAs P
    리포트 | 75페이지 | 8,000원 | 등록일 2013.04.22 | 수정일 2022.11.21
  • LED 발전 과정, 최신 동향, 기초 이론, 제조 공정, 측정 분석
    Module Pakaging GaN Structure - + P-type N-type MQW EBL - + -Ⅳ LED 기초 이론 Wafer 공정 Epi 공정 FAB 공정 Module ... 이 발견 발광현상에 대한 본격적인 연구 시작Ⅱ LED 발전 과정 1900 2010 J.R HAYNES Ge , Si 의 P-N 접합 1952 년 발광 관측Ⅱ LED 발전 과정 ... 1900 2010 G.A WOLFF GaP 에서 1955 년 발광 관측Ⅱ LED 발전 과정 1900 2010 Jacques Pankove GaAs P-N 1960 년 발광 관측 시작
    리포트 | 82페이지 | 5,000원 | 등록일 2012.12.24
  • cigs의 개요 원리 구성및특성 박막성장기술 장단점 고효울화방안
    높은 실리콘 의존도 낮은 효율 낮 은 박막 증착 속도 높 은 장비 투자 비용 화합물 반도체 Ⅱ-Ⅵ Ⅲ-Ⅴ 단결정 실리콘 다결정 실리콘 비정질 실리콘 A-Si/ nc -Si 박 막 ... 짧은 수명 아 직 R D 단계 소재구분 기술군 세부기술 Bottle Neck태양전지분류 단결정 Si (c-Si) 다결정 Si (mc-Si) 비정질형 (a-Si : H) 실리콘계 Ⅲ ... 고 흐린 날 발전 효율 저하가 낮아 상대적 발전량 우수 효율에서 타 박막 태양광 모듈보다 우수 , 가격에서 c-Si 보다 우수모듈 / 시스템에서 소요되는 에너지와 배출되는 이산화탄소
    리포트 | 62페이지 | 4,000원 | 등록일 2012.05.26
  • FPCB 세미나
    연성기판 시장에 진출한 대덕 GDS는 '04년부터 연성 기판 사업을 본격화 계획 ▶ 이수페타시스 - 디지털카메라용 RF 기판 시장에 진출, 최근 카메라폰 및 LCD 모듈용 RF 기판 ... , 홍콩.▶ 소품종 대량 생산 - 민생용.▶ EPOXY TYPE 원자재.▶ 추 이대만, 한국의 성장률 20%이상.저임 국가로의 이전. (인도네시아, 태국. 등)FINE PATTERN ... FPCB SeminarFPC 탄생성장과정주요 업체 현황 (국/내외)주요 업체별 생산능력FPC History1940년대 - CABLE 형태. 유럽 및 미국. (연합국
    리포트 | 34페이지 | 3,000원 | 등록일 2014.01.14
  • 실리콘과 실리카의 정전선별 SiO2 Si ( 태양전지로부터 실리콘의 회수연구)
    장 결 론48참고문헌49List of TablesTable. 2-1 Generation type of solar cell5Table. 2-2 The proposed ... 하였다. 그러나 장기적으로 태양광발전 산업의 발전과 더불어 수요가 늘어날 것으로 예상되어 앞으로 늘어날 수요에 맞추어 태양전지 폐모듈로부터 재활용 할 수 있는 Si, SiO2 선별 ... 연구를 진행하였다.따라서 본 연구에서는 태양광 폐모듈에서 실리콘(Si)과 실리카(SiO2)의 선별가능성이 있는 여러 가지 물리선별을 알아보고, 그 중 마찰하전 정전선별을 통해 분리
    리포트 | 55페이지 | 4,500원 | 등록일 2013.01.07
  • Color TFT-LCD 제조기술
    적으로 두껍게 증착하고 n+ a-Si E/B 공정에서 etching하고 남아있는 a-Si 두께로 channel 영역의 a-Si 두께가 결정되는E/B type TFT 구조에서는 E/B ... hannel영역의 a-Si 두께 박형화 측면에서 불리하다. 그러나 E/S type TFT 구조에서는 photo-induced-leakage-current표 2.5 금속박막의 전기 ... 은 그림50nm 이하의 균일한 두께의 a-Si 증착이 가능하기 때문에 photo-induced-leakage-current 최소화에 유리하다. a-Si을 200~300nm 정도로 상대
    리포트 | 54페이지 | 8,000원 | 등록일 2011.11.01
  • 판매자 표지 자료 표지
    태양전지-차세대 태양전지로써의 박막형 태양전지의 성장성(태양전지의 작동원리 등)
    이Cells)비정질 실리콘 태양전지(a-Si) 는 가장 상업적으로 성공한 최초의 박막 형태의 태양전지이다. 그러나 이 태양전지는 아직은 1980년대부터 예 상되어왔던 만큼의 효율 ... 은 현재 보이지 않고 있다. 그 이유는 빛을 받을 때 a-Si이 상당히 intrinsic degradation 되기 때문이다. 빛을 쪼 여줄 때 발생하는 intrinsic ... degradation은 약 20%정도로 제한될 수 있다. 따라서 재료의 가공기술과 디바이스 디자인을 얼마나 발전시키는가가 a-Si의 효율을 안정화 시키는 관건이 된다.다중접합
    리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.05.10
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2025년 10월 11일 토요일
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- 작별인사 독후감