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"Sputtering yield" 검색결과 1-20 / 64건

  • 판매자 표지 자료 표지
    반도체 공정 term project
    DC/RF sputteringAbstarct(혹은 초록)Sputtering은 Chamber내에 공급되는 가스에서 발생되는 전자 사이의 충돌로부터 시작된다. 그 과정을 보 ... 에 의해 음극인 target쪽으로 가속되어 타겟의 표면과 충돌하면 중성의 target원자들이 튀어나와 기판에 박막을 형성한다. DC Sputtering방법은 직류전원을 이용 ... 한 Sputtering 방법으로 구조가 간단하며 가장 표준적인 sputter 장치이다. DC spttering방법의 경우 target이 산화물이절연체 일 경우 Spttering되지 않아 이러
    리포트 | 11페이지 | 5,000원 | 등록일 2023.06.22
  • 판매자 표지 자료 표지
    SK하이닉스 P and T(패키지 and 테스트) 합격 자기소개서
    ’에서 전문성을 키웠습니다. 올해 7월부터 랩실에서 학부연구생으로 ‘반도체 패키지 공정개발/물성평가’를 수행했습니다. 항상 Time, Yield, Standard을 토대로 공정 면 ... 에서 가치 있는 Data를 뽑았습니다.(1) 반도체공정및장비개론, 반도체공정, 반도체공학을 수강하며 전공정을 이해했습니다. 반도체공정실습으로 DC Sputtering을 포함한 7개 ... SMT 공정으로 ‘Screen Printing, Mounting, Reflow, UF Dispensing, Curing‘을 진행했습니다. 주 목표는 Time 감소, Yield 향상
    자기소개서 | 4페이지 | 3,000원 | 등록일 2023.02.09
  • 스퍼터링(sputtering)
    Weissmantel)5) Sputtering yield"하나의 양이온이 음극에 충돌할 때 표면에서 방출되는 원자의 수“로 정의되며, 이는 target 재료의 특성 및 입사 이온 ... )이란?Sputtering은 실로 많은 부분에 사용되어지는 없어서는 안 될 기술이라고 할 수 있다. 스퍼터링이란 간단히 말해 금속판에 아르곤 등의 불활성 원소를 부딪쳐서 금속 분자 ... 면 target 원자의 방출과 그 원자의 substrate에의 부착이라는 2가지 과정을 포함하는 개념으로 볼 수 있습니다.Sputtering process의 가장 우수한 특성은 증착된 물질
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.11.18
  • IGZO TFT ( PR patterning, channel dimension ) 발표 PPT
    05Present progress 25% 30% 45% PR Patterning Optimization Patterning yield ↓ Securing electrical ... Final Presentation Patterning yield ↓ Securing electrical property To Find how and why electrical ... AZ GXR-601 MaskIntroduction Cleaning Sputtering Annealing Patterning Electrode formation Measurement
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 14페이지 | 1,000원 | 등록일 2019.11.05
  • [예비보고서] RF-Magnetron Sputter를 이용한 박막 증착 원리 이해
    magnetron sputtering이라 한다.나. Sputtering yieldSputter yield란 하나의 양이온이 음극에 충돌할 때 표면에서 방출되는 원자의 수를 말 ... 하며, 이 값은 입사하는 원자의 에너지에 따라 급격히 증가한다.Sputtering yield는 Target 재료의 특성 및 임사 이온의 에너지와 질량과 관계가 있다.2. Plasma ... II. RF-Magnetron Sputter를 이용한박막 증착 원리 이해신소재공학부1. PVD 증착방식인 Sputtering의 원리에 대한 이해가. Sputtering의 원리s
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.07.21
  • 판매자 표지 자료 표지
    표면개질공학 sputtering 원리와 특징, 현상과 응용
    )이 많이 쓰인다.Sputtering yield는 입사하는 ion의 질량이 증가할수록 커지게 된다. 입사하는 입자에 따라 sputtering yield가 크게는 100배 정도까지 차이 ... 고진공 상태에서 고체를 증발시켜 박막 thin film 이나 후막 thick film 을 형성하는 경우에 사용 된다.(1) 원리Sputtering은 chamber 내에 공급 ... 을 형성한다.(2) Sputtering 현상Glow discharge를 이용하여 ion을 형성하고 이를 전장으로 가속하여 고체 표면에 충돌시킨다. 이때 고체 내부의 원자와 분자
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2016.01.05
  • sputtering (스퍼터링)
    이 Substrate 로 도달하는 동안에 Scattering 이 상대적으로 감소하여 높은 Sputtering Yield 값을 가질 수 있다.DC discharge 에서는 2차 전자 ... 되는 자기장내에 국부적으로 모아 Ar 기체원자와의 충돌을 촉진시킴으로써 Sputter yield 를 높이는 방법이다. ... 에서는 target이 산화물이나 절연체일 경우 sputtering 되지 않는다. 이러한 단점은 RF sputtering 함으로써 해결될 수 있으며 특히 낮은 압력에서도 Sputter 된 물질
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2015.12.07
  • 스퍼터링(Sputtering) 결과 레포트
    Yield를 높이는 방법이다. 이 방법은 Sputtering 효율이 증가하고 전자의 와류운동으로 전자의 기판 및 박막에의 충돌을 감소시켜 기판온도 상승효과가 적다. 절연제의 경우에도 성막 ... 결과 레포트Thin Film 공정 : Sputtering윤영훈차례1. 실험 목적2. 실험 원리1) 글로우 방전2) 스퍼터링3) RF4) 기타 도구 및 용어3. 실험 과정4. 실험 ... 결과5. 실험 고찰1. 실험 목적RF - Magnetron Sputtering을 이용하여 500℃에서 ZnO 박막의 증착 및 분석2. 실험 원리(1) Glow Discharge
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2015.05.18
  • pva 나노섬유막의 소수화 가공
    플라즈마(불활성기체 플라즈마)가 타겟 물질의 이온을분출시키는 Sputtering force를 이용하여 오염물질을 제거하는 Mechanism이다.? 표면화학반응에 의한 구조 변화- 물질 ... 이 생기는 항복점(Yield Point)에 다가가게 된다. 항복점 이후에는병목현상 때문에 변형하는데 필요한 응력이 잠시 줄어들다가 파단이 된다. 그 점을파단점이라고 하고 그때에 걸리
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 12페이지 | 4,000원 | 등록일 2019.09.19 | 수정일 2019.10.12
  • KLA-Tencor CS 엔지니어 합격자소서, 면접 기출 총망라 (합격 보장)
    in terms of Yield management. also I found KLA-tencor has provided the best solutions to ... 물 반도체를 DC Sputter 장비를 이용해 각기 다른 공정 조건에서 증착하고 이에대한 특성을 평가하는 프로젝트를 진행했습니다. 저는 팀리더의 역할을 맡아 팀원들의 의견을 수렴
    Non-Ai HUMAN
    | 자기소개서 | 22페이지 | 8,000원 | 등록일 2019.07.09
  • 59스퍼터링02
    스퍼터링 이란?스퍼터링 원리스퍼터링 Glow Discharge스퍼터링 Plasma스퍼터링 종류스퍼터링 Sputter Yield스퍼터링SPUTTERING스퍼터링 이란?1852년 ... SPUTTERING스퍼터 Yield*************0keVIon EnergyAtoms/Ion5201510구 리XeKrArNeN24681012keVIon EnergyAtoms ... /Ion51510(111)(Poly)(100)(101)이온 에너지에 따른 기체별 Sputter Yield이온 `에너지에 따른 결정방향별 Sputter YieldMt/Mi가 클수록
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.02.18
  • DC 마그네트론 스퍼터링 장치를 이용한 Cu 증착률의 스퍼터링 압력 및 Power 의존성 조사
    . Sputter yield의 기체 압력에 대한 의존성을 Fig. 13에 나타내었다. 한편 스퍼터 되어 target을 떠난 원자 또한 평균 자유 행로가 짧아 많은 기체 입자와 충돌할 것이 ... .이온의 에너지가 target 원자에 얼마나 잘 전달되느냐에 따라 sputter yield는 달라지며, 이는 nuclear stopping power, s(E) 에 의하여 결정 ... 충분히 가속되기 전에 자꾸 다른 입자와 충돌하여 큰 에너지를 갖는 못한다. 따라서 낮은 에너지로 target에 입사하기 때문에 sputter yield가 떨어지게 된다
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 37페이지 | 6,000원 | 등록일 2008.01.16 | 수정일 2014.08.20
  • LG,삼성,외국계대기업 합격 영문이력서입니다.
    XXX Company ( MEMS Probe card )1) Improvement of process and yield2) set up recipe and resolve an ... wafer )4) Set up LPCVD ( Oxide, Nitride ), Photo, Dry and Wet etch , Sputter , Plating5) Flip Chip ... yield2) analysis a failure mode when mass-production have a technical problem3) verification of new
    Non-Ai HUMAN
    | 이력서 | 4페이지 | 6,000원 | 등록일 2020.06.14 | 수정일 2023.02.09
  • PVD
    yield 를 높이는 방법이다 . Magnetron Sputtering 63구성 : Target[cathode] + Substrate[anode] + RF power supply ... -Gel Plating CVD Sputtering Electro plating Electroless -plating CVD APCVD LPCVD PECVD MOCVD Thermal ... Sputtering스퍼터링 (sputtering) 현상은 1852 년 William Robert Grove 에 의하여 처음 발견 1920 년 Langmuir 에 의해서 박막증착 기술로 발전
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 77페이지 | 3,000원 | 등록일 2012.12.24
  • Sputter 원리 및 종류 영어 발표자료
    SputterSputtering yieldSubstrate TemperatureDC/RF PowerOperating pressure..PAGE:6Sputter yield(S)Number of ... sputteringDeposition Parameters of Sputter..PAGE:7Parameters of Sputter yield(S)Target ... ..PAGE:1Sputter..PAGE:2Vapor phase depositionPulsed Laser DepositionVapor phase depositionPhysical
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 12페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.02.06
  • PVD의 종류와 특성, 응용분야
    의 장점? Sputtering yield가 증가된다.? 전자를 자기장내에 구속함으로써 전자가 모재 및 박막에 충돌하는 것을 감소시킨다.? SiO2, Al2O3 등의 절연체의 경우에도 ... 장치의 개략도DC Sputtering의 특징? 구조가 간단하며, 가장 표준적인 sputter 장치이다.? 성막속도가 여러 종류의 금속에 대해 거의 일정하다.? 전류량과 박막두께
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 21페이지 | 2,500원 | 등록일 2015.01.08 | 수정일 2023.04.29
  • 신소재 실험
    로 방출, 일부 에너지만이 스퍼터링에 이용.2-4.Sputter yield & Target considerationSputter yield: 하나의 양이온이 음극에 충돌할 때 표면 ... Sputter서론반도체, 도체 및 부도체박막의 제조방법으로는 CVD, evaporation, sputtering 등의 다양한 방법이 있다. CVD방법의 경반도체, 도체 및 부도체 ... 를 발산Plasma의 Abnormal Glow region을 이용하는 것이 Sputtering으로서, 증가된 이온들의 전극 충돌에 의한 손실이 일어난다.②Plasma의 특성Plasma
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 13페이지 | 4,000원 | 등록일 2010.03.01 | 수정일 2018.10.22
  • Cu 박막 전기적 특성 분석
    에 반사전자상이나 X선 화상으로 응용이 가능하다.2) Sputter물리적 기상 증착을 이용해 박막을 제조하는 장치로 진공상태에서 화학적으로 불활성기체인 아르곤 가스를 소량 주입 ... 를target 바깥으로 형성되는 자기장내에 국부적으로 모아 Ar 기체원자와의 충돌을 촉진시킴으로써sputter yield를 높이는 방법이다.DC sputteringRF s ... , Bl 달아준다.? Sputter의 Pump를 이용해 Chamber안을 진공으로 만들어준 뒤, 불활성 기체인Ar가스를 주입한다. 이후 전기를 가하여 Ar을 이온화 상태(Ar
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 9페이지 | 2,500원 | 등록일 2012.09.21 | 수정일 2015.09.17
  • 반사방지막코팅
    Sputtering 23 장 점 단 점 1. 넓은 면적의 target 을 사용할 경우 wafer 전 면적에 걸친 고른 박막의 증착이 가능 . 2. 박막의 두께 조절이 용이 . 3. 합금 물질 ... 를 target 바깥으로 형성되는 자기장내에 국부적으로 모아 Ar 기체원자와의 충돌 을 촉진시킴으로써 sputter yield 를 높이는 방법 이다 .RF Magnetron ... Sputtering 25 RF sputtering 은 금속 이외에도 비금속 , 절연체 , 산화물 , 유전체 , 등 의 sputtering 이 가능하며 주로 13.56MHz 의 고주파 전원
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 39페이지 | 5,000원 | 등록일 2012.12.24 | 수정일 2013.11.17
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2026년 02월 26일 목요일
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