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NAND flash 집적회로공정 메모리 pelt Reram atmega128 nandflash
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"Program/erase" 검색결과 1-20 / 126건

  • 자료 표지
    3차원 낸드 플레쉬에서 타원형 GAA SONOS 셀의 프로그램과 삭제 특성 연구 (Study of Program and Erase Characteristics for the Elliptic GAA SONOS Cell in 3D NAND Flash Memory)
    대한전자공학회 최득성, 이승희, 박성계
    논문 | 7페이지 | 무료 | 등록일 2025.05.25 | 수정일 2025.05.27
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  • 자료 표지
    ESP: Subpage 단위의 쓰기 명령어를 활용한 대용량 3D 플래시 메모리 기반 저장장치의 성능 및 수명 개선 (ESP: Improving Performance and Lifetime of High-Capacity 3D Flash Storage Using an Erase-Free Subpage Programming Technique)
    한국정보과학회 김명석
    논문 | 10페이지 | 무료 | 등록일 2025.06.03 | 수정일 2025.06.06
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  • 판매자 표지 자료 표지
    HfAlN vs ZrAlN vs SiAlN 온도별 특성 비교 보고서
    특성(–120°C ~ –55°C)• SiAlN: 저온 최강, –120°C까지 program/read 가능, erase 속도 감소 적음• ZrAlN: deep trap으로 인해 저온 ... 어려움4. 상온(25°C) 특성• SiAlN: program/erase 빠르고 안정, retention 10⁵~10⁶년 equivalent• ZrAlN: retention 최상 ... , program/erase는 SiAlN보다 약간 느림• HfAlN: retention absolute strongest, 속도는 가장 느림5. 고온(85–150°C) 특성• SiAlN
    리포트 | 7페이지 | 2,500원 | 등록일 2025.11.25
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  • 판매자 표지 자료 표지
    moscap 기술기획
    구성 (토폴로지 고정 / Al₂O₃ 또는 tunnel 두께 범위 Sweep)6. 결론본 이중층 trap 구조는 +5V 기반 Program/Erase 속도를 유지하면서 고온 실효 ... .8 nm· Al₂O₃ mid blocking: 1.0 nm· SiO₂ tunnel: 2.5 nm3. Program/Eerase 동작 권장 조건· Program +5V / Si=0V ... FN 주입 기반, 100~400 ns 펄스 권장· Erase -5V / FN out tunneling 동일4. 보유 특성 전망터널 SiO₂ 2.5 nm 및 중간 Al₂O₃ 1
    리포트 | 1페이지 | 2,500원 | 등록일 2025.11.07
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  • 판매자 표지 자료 표지
    저가형 moscap 제작
    Et ~ 2.5~2.6eV를 기대하며, 2.6nm 터널막은 보유성 중심 설계에 유리하다.4. Program/Erase 동작Program: +Vg에서 전자 주입Erase: -Vg
    리포트 | 2페이지 | 10,000원 | 등록일 2025.11.04
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  • 판매자 표지 자료 표지
    Hf기반 VO 제어형 트랩층을 적용한 MOSCAP구조안
    ) Program/Erase 속도 및 요구 전압(Vprog/Verase), (ii) 고온 보유(85°C/150°C/250°C) 특성, (iii) Read Disturb/SILC/엔듀런스 등 ... VO 그레이딩): 하부에서 상부로 갈수록 트랩이 깊어진다. 게이트 인접부에 깊은 트랩이 위치하여 Program 속도와 저전압화는 유리하나, Erase 경로가 짧고 인터페이스 ... 은 η≈0.45를 적용하여 Eox≈1.8 MV/cm·Vg로 추정한다. Program/Erase에 대해 step-and-verify 멀티샷 운용을 권장한다.3.2 Program(25
    리포트 | 6페이지 | 2,500원 | 등록일 2025.11.07
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  • 판매자 표지 자료 표지
    고온 NVM SiBCN vs SiAlBN 비교
    )SiAlBN이1자릿수길다Program전압±67V±6VSiAlBN낮음Erase전압±7V±6.5V유사Program시간100200ns80150nsSiAlBN빠름Erase시간0.51s0.30
    리포트 | 2페이지 | 2,500원 | 등록일 2025.11.12
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  • 판매자 표지 자료 표지
    히타치하이테크코리아 반도체직 합격자소서
    하였습니다. 이를 해결하기 위해 논문을 서치하고 최적의 조건을 찾은 결과 EOT를 맞추고 터널링 Oxide에 Oxide-Al2O3-Oxide 구조를 채용하면 Program Erase ... 하였습니다. 기존 TANOS 구조에서 Erase/Retention 성능 향상을 위해 터널링 Oxide를 Oxide-Si3N4-Oxide 구조로 채용하여 시뮬레이션을 진행하였을 때 ... 가정했던 이론과는 달리 터널링 Si3N4에 많은 전자가 Trap 되어 Charge Trap 층 Nitride에는 들어오는 전자가 적어지고 Program 전압이 낮아지는 경향이 발생
    자기소개서 | 3페이지 | 3,000원 | 등록일 2024.02.13
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  • 자료 표지
    Memory 세미나 내용, RAM ROM Flash NOR NAND
    Memory Cell 의 동작 Data Write(Program) / Read / Erase Flash Memory 구조 NAND Flash Memory Array / 동작 / Bad ... 는 영역을 erase / program 하면 안되며 , 때문에 NAND 사용 전엔 항상 NAND 의 bad block 영역을 검출하여 bad block table(BBT) 을 만들 ... 에 취득된다 . /WP WRITE PROTECT 불필요한 program, erase 동작들로 부터 보호한다 . R/B READY / BUSY OUTPUT Memory 의 상태
    리포트 | 42페이지 | 10,000원 | 등록일 2023.01.16
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  • 자료 표지
    FLASH MEMORY report
    사용할 수 있고, 또한 Tunnel oxide에 trap되는 carrier의 절대량도 감소하여 Program /Erase 반복 횟수도 개선되는 장점이 있다.Gate ... Charge Storage Node가 존재한다. 0, 1의 비트 정보는 각 cell의 Tunnel Oxide양단에 고전계를 인가하여 FG로 전자를 주입시키거나(Program), 전자 ... 를 빼냄으로써(Erase) 저장된다. FG가 oxide layer에 의해 절연되어 있기 때문에 그 곳에 위치한 전자는 갇히게 되어 전원이 공급되지 않더라도 저장된 정보가 사라지지 않
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.02.21
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  • 판매자 표지 자료 표지
    MOS 캐패시터 메모리
    retention but suffering from high program voltages (1020 V), slow erase operations, and substantial ... 에서는 완전 절연을 통해 전하 누설을 방지한다.선입니다.3. Operation Principle / 동작 원리English:Write (Program):A +5 V pulse ... .Erase:Applying 5 V to G1 drives electrons th confirm correct WriteHoldReadErase cycles. During
    리포트 | 5페이지 | 2,500원 | 등록일 2025.10.22
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  • 판매자 표지 자료 표지
    고려대학교 객체지향프로그래밍 A+ 기말고사 치팅시트
    Good programming language: fast(C better than Matlab), easy to use(Matlab better than C), “makes ... good software”-programming language theory-software engineeringPLT: should be able to describe 1 ... tape, read/write/erase device, and state table, Turing complete or Turing equivalent, Real computer is
    리포트 | 2페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.07.02
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  • 판매자 표지 자료 표지
    MOSCAP_기술기획_및_웨이퍼분할보고서
    Program/Erase (VWP)- Step 폭: 0.4–0.8 μs/step, Verify-While-Program 적용- Gate 전압: 공정 윈도우 내에서 ±(2.0–3.5 V ... ): 유효 트랩 에너지 Et_eff = 2.1–2.4 eV, Read 20–35 ns, Program 0.4–0.8 μs/step, 데이터 보유 1–5년.2. 소자 개념 및 동작 개요 ... 는 블로킹/배리어 역할, 터널 SiO₂는 프로그램/소거 시 전하 주입 통로.• 동작 시나리오: Program(양/음 펄스) – Verify 반복, Read는 저전압·단시간(20–35 ns
    리포트 | 5페이지 | 2,500원 | 등록일 2025.10.31
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  • 자료 표지
    3차원 SONOS 낸드 플래쉬 메모리 셀 적용을 위한 String 형태의 폴리실리콘 박막형 트랜지스터의 특성 연구 (A Study on Poly-Si TFT characteristics with string structure for 3D SONOS NAND Flash Memory Cell)
    한국마이크로전자및패키징학회 최채형, 최득성, 정승현
    논문 | 5페이지 | 무료 | 등록일 2025.05.25 | 수정일 2025.05.27
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  • 판매자 표지 자료 표지
    (A+) 마이크로프로세서응용 ATmega128 Module, Test Board LED 결과보고서
    과 EEPROM에 프로그래밍이 가능한 기능이다.이것은 별도의 ROM Writer 및 ROM Eraser 장치가 없이 간단하게 프로그래밍 및 디버깅이 가능하게 해줌으로서 사용 ... - 128kbyte의 내부 프로그램 메모리- 4kbyte의 내부 SRAM- 4kbyte의 in-system program 기능의 EEPROM 데이터 메모리- 최대 64kbyte의 외부 메모리 장착 가능
    리포트 | 5페이지 | 3,000원 | 등록일 2024.11.04
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  • 판매자 표지 자료 표지
    광운대학교 반도체 공정1 조()()교수님 레포트과제
    고 %EC%9D%98-%EB%8F%99%EC%9E%91-Program-Erase-%EC%9D%BD%EA%B8%B0-%EB%8F%99%EC%9E%91" NAND Flash의 동작 ... - Program, Erase, 읽기 동작 (tistory.com) Hyperlink "https://koreascience.kr/article/JAKO*************99
    리포트 | 63페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.12.21
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  • 판매자 표지 자료 표지
    고온 NVM (SiBCN) 메모리 기술 설명서
    m,읽기전압≤1.5V로운용권장.SiC계면의C클러스터형성을방지하기위해짧은NO질화공정도입가능.6.예상전기적특성동작전압시간특징Program+7V100ns빠른주입(SiCSiO₂계면전계강)Erase7V0.51sCN경로전하방출가속Read+1.5V비파괴판독가능
    리포트 | 2페이지 | 2,500원 | 등록일 2025.11.12
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  • 자료 표지
    반도체 공정 레포트 - Flash memory
    access가 가능한 NOR-type보다 read 속도가 느리다. 하지만 메모리 블록이 여러 페이지로 나누어져 있기 때문에 write/erase 속도는 NAND-type이 더 빠르 ... 를 읽음으로써 read 속도는 빠르지만 데이터를 덮어쓰거나 지우는 것은 random access가 불가능 하므로 write/erase 속도는 느리다. 그 이유는 read시에는 페이지 ... gate에 축적된 전하에 따라 threshold voltage 영역을 나누어 programmed state를 구분하는데 이때 선 폭이 점점 미세화 되면서 Short channel
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 22페이지 | 1,500원 | 등록일 2022.12.29 | 수정일 2023.01.03
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  • 판매자 표지 자료 표지
    moscap 4가지 구조 스펙 제안 보고서(검토요청)
    게, 보유 최우선. 속도는 수백 ns대 목표.• Hybrid: User 기반 + HfO₂ 질화(또는 Al 도핑)로 Et_eff 중간값 확보.5. 측정 및 판정 기준• Program ... /Erase: ±(3.5–4.2 V), 10–500 ns, 프리엠퍼시스(+0.6 V/40 ns)• Read: +0.5–0.7 V, 200–500 ns, 비선택 라인 V/2 바이어스• Δ
    리포트 | 2페이지 | 2,500원 | 등록일 2025.10.26
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  • 자료 표지
    마이크로컴퓨터 레포트(6)
    Program을 하는 유저가 사용한다.- 트랜지스터를 사용하는 타입이다.· Erasable PROM- 강한 자외선을 쬐어 줘야 내용이 지워진다.- 사용 할 때는 저항, 사용하지 ... 을 제거 했을 때 정보가 사라지는 Memory이다.· Program에 의해 Program을 바꿀 수 있다.· Static RAM- 1Bit의 정보를 기억하는 Memory Cell을 사용
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 11페이지 | 3,000원 | 등록일 2021.05.16
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2026년 01월 31일 토요일
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