목차 CVD - PECVD CVD 종류 CVD 열에너지 (AP,LPCVD) 플라즈마 에너지 (HDP,PECVD) 원자층 (ALCVD) CVD 란 ? ... ) 개발 PECVD 는 열에너지를 적게 사용하는 대신 플라즈마 에너지를 보충하여 증착시키는 방식 PECVD + 플라즈마 (Plasma) 진공 챔버에 비활성 기체 를 주입한 후 , 전기 ... 장 / 단점 PECVD 는 플라즈마를 만들 때 생성된 여러 가지 입자 ( 양이온 , 음이온 , 전자 , 라디칼 등 ) 중 라디칼 (Radical) 사용 ( 라디칼은 에너지적으로 볼
재료공학실험1 - PECVD 1. ... PECVD 공정 플라즈마 화학 기상 증착법의 줄임말으로 플라즈마를 이용하여 원하는 물질을 기판에 증착시키는 공정을 의미하며, TFT의 절연막과 보호막 증착시 이용한다. ... PECVD의 원리 (1) 전기적으로 중성인 분자 상태의 기체에 강한 전압을 걸어주어 플라즈마 상태를 만든다. (2) 기판 온도를 400도 정도로 높이고, 증착하고자 하는 표면과 증착하고자
In this paper, 36 sets of DLC films were fabricated by RF-PECVD. ... Especially, the quantitative relationship of sp3/ sp2 ratio to Eg of DLC film by PECVD is unclear.
P lasma E nhanced C hemical V apor D eposition PECVD Outline Plasma - history mean - application CVD ... - review - type feature PECVD - mean feature - application Plasma Present to develop DC discharge to ... ( Plasma Ehanced Chemical Vapor Deposition) Mean : Plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD)
SOG박막 밑에 층간 절연박으로 사용하는 PECVD산화막을 Si rich산화막으로 만들어 줌으로써 실리콘 dangling bond가 수소원자나 수분과 결합하여 SOG박막으로 부터 ... FTIR에서 Si-O-Si peak의 세기가 감소하고 낮은 파수영역으로 이동하며, AES분석 결과에서 일반적인 oxide(Si:0=1:1.98)에서 보다 Si:O비가 1:1.23으로 낮아 PECVD산화
rf PECVB법을 이용하여 붕규산 유리 기판 위에 diamond like carbon(DLC) 박막을 증착하였다. 메탄(CH4)-수소(H2) 혼합 가스를 전구체 가스로 사용하였다. DLC 박막의 형상, 구조 및 광학적 특성은 SEM, 라만 및 UV 스펙트럼으로 분석하..
rf 플라즈마 화학증착을 이용하여 증착된 hydrogenated DLC막의 잔류응력 거동에 대해 조사하였다. 합성된 DLC막의 압축 잔류응력은 이온 에너지뿐만 아니라 이온/원자 유입량 비에 의해 영향을 받는 것으로 조사되었다. 잔류응력의 최대치는 이온/원자 유입량비가 ..
일반적으로 TFT(thin film transistor)의 유전체막으로 실리콘 질화막(Si3N4)이나 실리콘 산화막(SiO2)을 200-300˚C의 온도에서 증착을 하게 되는데 본 연구에서는 비정질 실리콘과 유전체막 사이의 계면 특성 특히 계면의 거칠기를 향상시키기 위..
본 연구에서는 플라즈마 화학 증착법으로 기판에 따른 DLC 박막의 접착력 변화를 조사하였다. 박막의 분리가 발생하기 시작하는 경우의 두께를 임계두께로 정하여 스크래치 테스터로 측정된 임계하중과 더불어 박막의 잡착강도값으로 사용하였다. 다이아몬드상 탄소박막은 실리콘 기판..
450KHz 저주파수로 플라즈마 화학증착법을 이용하여 Diamondlike carbon박막을 제작하고 optical band gap, 미소경도, 내부응력 등의 물성에 대하여 13.56MHz의 전원을 사용했을 때보다 optical band gap이 감소하였으며 FT-IR..